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Intersil集成化開(kāi)關(guān)穩壓器簡(jiǎn)化電源設計

  • 簡(jiǎn)介 　　一提到電源設計，大多數工程師都會(huì )感到撓頭，他們往往會(huì )問(wèn)，“從哪里入手呢?”。首先必須確定電源的拓撲——包括降壓、升壓、flyback、半橋和全橋等。
  • 關(guān)鍵字： intersil  FET  DC/DC  

富士電機擬擴增SiC功率半導體產(chǎn)線(xiàn)

  • 　　富士電機計劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導體，并在2012年前于該公司位于日本長(cháng)野縣的松元制作所增設一條產(chǎn)線(xiàn)，此為該公司首次在自家工廠(chǎng)設置碳化硅功率半導體的產(chǎn)線(xiàn)，未來(lái)預計在2012年春季開(kāi)始量產(chǎn)。 　　
  • 關(guān)鍵字： 富士電機  SiC  

SiC寬帶功率放大器模塊設計分析

  • 引言　　隨著(zhù)現代技術(shù)的發(fā)展， 功率放大器已成為無(wú)線(xiàn)通信系統中一個(gè)不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術(shù)已成為現代通信對抗的關(guān)鍵技術(shù)。作為第三代半導體材料碳化硅（ SiC） , 具有寬禁帶、高熱導率、高擊穿場(chǎng)
  • 關(guān)鍵字： 設計  分析  模塊  功率放大器  寬帶  SiC  

SiC寬帶功率放大器模塊設計

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
  • 關(guān)鍵字： SiC  寬帶功率放大器  模塊設計  放大電路  

MOS-FET與電子管OTL功放的制作

MOS—FET末級無(wú)負反饋蓄電池供電甲類(lèi)6瓦功率放大器

  • MOS—FET末級無(wú)負反饋蓄電池供電甲類(lèi)6瓦功率放大器
  • 關(guān)鍵字： 功率放大器  MOS—FET  

MOS—FET甲乙類(lèi)功率放大器

TI 小貼士：圖例理FET知識

  • 您可以通過(guò)周期性地收集大量的ADC輸出轉換采樣來(lái)生成FFT圖。一般而言，ADC廠(chǎng)商們將一種單音、滿(mǎn)量程模擬...
  • 關(guān)鍵字： FET  

手把手教你讀懂FET選取合適器件

  • 現在；一臺臺電源，幾乎都能發(fā)現FET的影子。幾乎每個(gè)電源工程師都用過(guò)這東西，或用來(lái)逆變；或用來(lái)整流；或就當個(gè)開(kāi)關(guān)...
  • 關(guān)鍵字： FET  

利用SiC大幅實(shí)現小型化 安川電機試制新型EV行駛系統

  • 安川電機試制出了利用SiC功率元件的電動(dòng)汽車(chē)（EV）行駛系統（圖1）。該系統由行駛馬達及馬達的驅動(dòng)部構成。通過(guò)...
  • 關(guān)鍵字： 安川電機  EV行駛系統  SiC  

CISSOID推出高溫度30V小訊號P-FET場(chǎng)效應管

  • 　　CISSOID，在高溫半導體方案的領(lǐng)導者推出了一個(gè)行星家族(高溫度晶體管及開(kāi)關(guān))的新成員.火星是一個(gè)高溫度30V小訊號P-FET場(chǎng)效應管, 適合于-55 ° C至+225° C高溫可靠運作. 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流. 所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如壓電傳感器或保護放大器. 　　
  • 關(guān)鍵字： CISSOID  P-FET  

市調公司Semico調整ASIC市場(chǎng)

  • 　　在由Xilinx主辦的會(huì )議上市調公司Semico的Richard Wawrzyniak’s作了有關(guān)全球ASIC市場(chǎng)的報告。Semico對于傳統的ASIC市場(chǎng)將只有低增長(cháng)的預測,而可編程邏輯電路(PLD)在帶寬與可移動(dòng)聯(lián)結等日益增長(cháng)的需求推動(dòng)下將有大的發(fā)展?！　?/li>
  • 關(guān)鍵字： Xilinx  Semico  SIC  

如何對反向轉換器的FET關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖

  • 　　圖 1 顯示了反向轉換器功率級和一次側 MOSFET 電壓波形。該轉換器將能量存儲于一個(gè)變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關(guān)閉時(shí)將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會(huì )使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上，因
  • 關(guān)鍵字： 進(jìn)行  緩沖  電壓  關(guān)斷  轉換器  FET  如何  

MOS-FET開(kāi)關(guān)電路

  • MOS-FET雖然與JFET結構不同，但特性極為相似，N溝道和P溝道各分增強型和耗盡型，可在許多電路中代替J-FET，如圖5.4-97所示，電路用MOS-FET代替J-FET更簡(jiǎn)單，如釁5.4-100所示短路開(kāi)關(guān)對應圖5.4-96中的A、C、D三個(gè)電路
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J-FET開(kāi)關(guān)電路工作原理

  • 1、簡(jiǎn)單開(kāi)關(guān)控制電路圖5.4-97為簡(jiǎn)單J-FET開(kāi)關(guān)電路。當控制電壓VC高于輸入電壓V1時(shí)，VGS=0，J-FET導通，傳輸信號至VO；當VC比V1足夠負，VD導通而J-FET截止，VO=0。2、改進(jìn)的J-FET開(kāi)關(guān)電路圖5.4-98電路是圖5.4-97電路的
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