EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
sic fet
sic fet 文章 進(jìn)入sic fet技術(shù)社區
J-FET開(kāi)關(guān)電路工作原理
- 1、簡(jiǎn)單開(kāi)關(guān)控制電路圖5.4-97為簡(jiǎn)單J-FET開(kāi)關(guān)電路。當控制電壓VC高于輸入電壓V1時(shí)，VGS=0，J-FET導通，傳輸信號至VO；當VC比V1足夠負，VD導通而J-FET截止，VO=0。2、改進(jìn)的J-FET開(kāi)關(guān)電路圖5.4-98電路是圖5.4-97電路的
- 關(guān)鍵字： J-FET 開(kāi)關(guān)電路 工作原理
使用FET輸入型OP放大器的長(cháng)時(shí)間模擬定時(shí)電路
- 電路的功能定時(shí)器專(zhuān)用IC有NE555和C-MOS單穩態(tài)多批振蕩器4538B等。然后用FET輸入型OP放大器也可用途長(cháng)時(shí)間定時(shí)電路。本電路采用其他模擬電路中使用的雙OP放大器余下的一個(gè)來(lái)組成定時(shí)器，這樣可以減少I(mǎi)C的數量，事先了
- 關(guān)鍵字： FET 輸入 OP放大器 模擬定時(shí)電路
英飛凌推出第二代ThinQ! 碳化硅肖特基二極管
- 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC(碳化硅)肖特基二極管。新的TO220 FullPak產(chǎn)品系列不僅延續了第二代ThinQ! SiC肖特基二極管的優(yōu)異電氣性能，而且采用全隔離封裝，無(wú)需使用隔離套管和隔離膜，使安裝更加簡(jiǎn)易、可靠。 獨具特色的是，新的TO220 FullPAK器件的內部結到散熱器的熱阻與標準非隔離TO-220器件類(lèi)似。這要歸功于英飛凌已獲得專(zhuān)利的擴散焊接工藝，該技術(shù)大大降低了內部芯片到管腳的熱阻，有效地彌補了FullPAK內部隔離層的散
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 肖特基二極管 SiC
友達光電宣布收購FET公司的FED資產(chǎn)及技術(shù)
- 友達光電1月20日宣布， 與由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)FET)及FET Japan Inc.(以下簡(jiǎn)稱(chēng)FETJ)簽署資產(chǎn)收購技術(shù)移轉協(xié)議，收購FET的場(chǎng)發(fā)射顯示器(field emission displays;FED)技術(shù)，該公司為全球FED技術(shù)的領(lǐng)導者。友達在此交易中，將取得FET顯示技術(shù)及材料的專(zhuān)利、技術(shù)、發(fā)明，以及相關(guān)設備等資產(chǎn)。 FED技術(shù)在快速反應時(shí)間、高效率、亮度和對比度方面不但能與傳統CRT相
- 關(guān)鍵字： 友達 FED FET
瞄準高端市場(chǎng) 友達將收購FET的部分資產(chǎn)
- 臺灣友達科技近日宣布，他們已經(jīng)與FET公司以及FET日本公司達成了協(xié)議，友達將出資收購FET公司的部分資產(chǎn)，并將因此而獲得FET公司的部分專(zhuān)利技術(shù)。FET公司目前在FED場(chǎng)射顯示技術(shù)(Field Emission Display)領(lǐng)域占據領(lǐng)先地位，索尼公司目前擁有FET公司39.8%的股份。友達并表示，其收購的內容將包括FED場(chǎng)射面板相 關(guān)技術(shù)專(zhuān)利，FED技術(shù)實(shí)施方案，以及FED面板生產(chǎn)用設備等。 FED場(chǎng)射面板兼具CRT顯示器和LCD顯示器的優(yōu)勢，其工作原理與CRT顯示器完全相同，同樣采用
- 關(guān)鍵字： 友達 FED FET
即將普及的碳化硅器件
- 隨綠色經(jīng)濟的興起，節能降耗已成潮流。在現代化生活中，人們已離不開(kāi)電能。為解決“地球變暖”問(wèn)題，電能消耗約占人類(lèi)總耗能的七成，提高電力利用效率被提至重要地位。 據統計，60%至70%的電能是在低能耗系統中使用的，而其中絕大多數是消耗于電力變換和電力驅動(dòng)。在提高電力利用效率中起關(guān)鍵作用的是功率器件，也稱(chēng)電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。 在這種情況下，性能遠優(yōu)于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環(huán)境
- 關(guān)鍵字： 豐田 SiC 碳化硅 MOSFET 200910
砷化鎵外延襯底市場(chǎng)規模將超過(guò)4億美元
- Strategy Analytics 發(fā)布最新年度預測報告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場(chǎng)預測2008-2013”。報告總結，2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市場(chǎng)年增長(cháng)率達到22%，但 Strategy Analytics 預計2009年該市場(chǎng)將持平或轉負增長(cháng)。借助下一代蜂窩手機平臺上嵌入多砷化鎵(GaAs)器件，以及來(lái)自其它市場(chǎng)對砷化鎵 (GaAs) 器件的需求，半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場(chǎng)在2010年將恢復增長(cháng)。 一直
- 關(guān)鍵字： GaAs 外延襯底 FET HBT
T推出具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉換器
- 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉換器，該器件將寬泛的輸入、輕負載效率以及更小的解決方案尺寸進(jìn)行完美結合，可實(shí)現更高的電源密度。TPS51315 是一款具有 D-CAP 模式控制機制的 1 MHz DC/DC 轉換器，與同類(lèi)競爭產(chǎn)品相比，該器件在將外部輸出電容需求數量降至 32% 的同時(shí)，還可實(shí)現快速瞬態(tài)響應。該轉換器充分利用自動(dòng)跳過(guò)模式與 Eco-mode 輕負載控制機制，幫助設計人員滿(mǎn)足能量之星/90Plus 標準的要求，從而可實(shí)現整個(gè)負載范圍內的高
- 關(guān)鍵字： TI FET 轉換器 TPS51315
德州儀器1.5A 線(xiàn)性電池充電器可最大化AC 適配器與USB 輸入功率
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
- 關(guān)鍵字： FET TI IC－bq2407x
sic fet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條sic fet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對sic fet的理解，并與今后在此搜索sic fet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對sic fet的理解，并與今后在此搜索sic fet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
sic fet相關(guān)帖子
sic fet資料下載
sic fet專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473