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sic fet 文章 進(jìn)入sic fet技術(shù)社區
TI推出具有啟動(dòng)過(guò)程中禁止吸入功能的DC/DC 轉換器
- TPS54377 是一款輸入電壓為 3V ～6V 的 DC/DC 轉換器，具有可將電壓步降至 0.9V 的集成的 FET。其轉換頻率為同步頻率并可調至 1.6MHz，以減少外部組件數量且有助于確定頻譜噪聲頻帶。該器件在整個(gè)溫度范圍內均可提供高達 3A 的輸出電流并可支持 4A 的峰值輸出電流。其具有電源狀態(tài)良好指示、啟動(dòng)、可調慢啟動(dòng)、電流限制、熱關(guān)斷以及 1% 的參考精度等特性。TPS54377 可用于寬帶、聯(lián)網(wǎng)和通信基礎設施、分布式電源系統以及 DSP、FPGA 和 ASIC 的 POL 穩壓。
- 關(guān)鍵字： TI 轉換器 DC/DC FET
探討基于SiC集成技術(shù)的生物電信號采集方案
- 人體信息監控是一個(gè)新興的領(lǐng)域，人們設想開(kāi)發(fā)無(wú)線(xiàn)腦電圖(EEG)監控設備來(lái)診斷癲癇病人，可穿戴的無(wú)線(xiàn)EEG能夠極大地改善病人的活動(dòng)空間，并最終通過(guò)因特網(wǎng)實(shí)現家庭監護。這樣的無(wú)線(xiàn)EEG系統已經(jīng)有了，但如何將他們的體積縮小到病人可接受的程度還是一個(gè)不小的挑戰。本文介紹采用IMEC的SiC技術(shù)，它的開(kāi)發(fā)重點(diǎn)是進(jìn)一步縮小集成后的EEG系統體積以及將低功耗處理技術(shù)、無(wú)線(xiàn)通信技術(shù)和能量提取技術(shù)整合起來(lái)，在已有系統上增加一個(gè)帶太陽(yáng)能電池和能量存儲電路的額外堆疊層，這樣就能構成一套完全獨立的生物電信號采集方案。
- 關(guān)鍵字： SiC EEG 生物電信號采集 IMEC
集成功率FET的鋰離子開(kāi)關(guān)充電器
- 當輸入至輸出的開(kāi)銷(xiāo)電壓(overhead voltage)和/或充電電流較高時(shí)，線(xiàn)性電池充電器的功耗相當大。以一般的便攜式DVD播放器(雙節鋰離子電池組、12V車(chē)載適配器、1.2A額定充電電流)為例，其線(xiàn)性充電器的平均功耗超過(guò)5W。 bq241xx系列開(kāi)關(guān)充電器是對過(guò)熱問(wèn)題的簡(jiǎn)便解決方案。內置功率FET能夠提供高達2A的充電電流。同步PWM控制器的工作頻率為1.1MHz，輸入電壓最高可達18V，非常適用于由單節、雙或三節電池組供電的系統。該系列開(kāi)關(guān)充電器具有的高電壓、高電流、高效率等優(yōu)異特性，并且
- 關(guān)鍵字： FET 鋰離子開(kāi)關(guān)充電器 電源
車(chē)載SiC功率半導體前景光明 逆變器大幅實(shí)現小型化及低成本化
- 豐田汽車(chē)在“ICSCRM 2007”展會(huì )第一天的主題演講中，談到了對應用于車(chē)載的SiC功率半導體的期待。為了在“本世紀10年代”將其嵌入到混合動(dòng)力車(chē)等所采用的馬達控制用逆變器中，“希望業(yè)界廣泛提供合作”。如果能嵌入SiC半導體，將有助于逆變器大幅實(shí)現小型化及低成本化。 在汽車(chē)領(lǐng)域的應用是許多SiC半導體廠(chǎng)商瞄準的目標，但多數看法認為，就元器件的成本、性能及可靠性而言，比起在產(chǎn)業(yè)設備以及民用設備上配備，在汽車(chē)上配備的障礙更大。該公司雖然沒(méi)有透露計劃采用SiC半導體的日期，但表示“到本世紀10年代前
- 關(guān)鍵字： 汽車(chē)電子 豐田 SiC 半導體 汽車(chē)電子
飛兆推出業(yè)界最小的DrMOS FET加驅動(dòng)器多芯片模塊
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出全面優(yōu)化的集成式FET加驅動(dòng)器功率級解決方案FDMF6700，采用超緊湊型6mm x 6mm MLP封裝。對于空間極度受約束的應用，比如小外形尺寸的臺式電腦、媒體中心PC、超密集服務(wù)器、刀片服務(wù)器、先進(jìn)的游戲系統、圖形卡、網(wǎng)絡(luò )和電信設備，以及其它電路板空間有限的DC-DC應用，FDMF6700為設計人員提供別具吸引力的解決方案。 在個(gè)人電腦主板中，典型的降壓轉換器在每個(gè)相位可能包含：采用DPAK封裝的三個(gè)N溝道MOSFE
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統 單片機 飛兆 DrMOS FET 模塊
京大等三家開(kāi)發(fā)成功SiC外延膜量產(chǎn)技術(shù)
- 京都大學(xué)、東京電子、羅姆等宣布，使用“量產(chǎn)型SiC（碳化硅）外延膜生長(cháng)試制裝置”，確立對SiC晶圓進(jìn)行大批量統一處理的技術(shù)已經(jīng)有了眉目。由此具備耐高溫、耐高壓、低損耗、大電流及高導熱系數等特征的功率半導體朝著(zhù)實(shí)用化邁出了一大步。目前，三家已經(jīng)開(kāi)始使用該裝置進(jìn)行功率半導體的試制，面向混合動(dòng)力車(chē)的馬達控制用半導體等環(huán)境惡劣但需要高可靠度的用途，“各廠(chǎng)商供應工程樣品，并獲得了好評”。 此次開(kāi)發(fā)的是SiC外延生長(cháng)薄膜的量產(chǎn)技術(shù)。
- 關(guān)鍵字： 消費電子 京大 SiC 外延膜 消費電子
功率P-FET控制器LTC4414
- LTC4414是一種功率P-EFT控制器，主要用于控制電源的通、斷及自動(dòng)切換，也可用作高端功率開(kāi)關(guān)。該器件主要特點(diǎn)：工作電壓范圍寬，為3.5～36V；電路簡(jiǎn)單，外圍元器件少；靜態(tài)電流小，典型值為30μA；能驅動(dòng)大電流P溝道功率MOSFET；有電池反極性保護及外接P-MOSFET的柵極箝位保護；可采用微控制器進(jìn)行控制或采用手動(dòng)控制；節省空間的8引腳MSOP封裝；工作溫度范圍-40℃～+125℃。 圖1 LTC4414的引腳排列 引腳排列及功能 LTC4414的引腳排列如圖1所示，各引腳
- 關(guān)鍵字： LTC4414 P-FET 電源技術(shù) 工業(yè)控制 模擬技術(shù) 工業(yè)控制
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