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電源設計控必須了解的2017三大趨勢

　　2017電源市場(chǎng)需求和技術(shù)趨勢風(fēng)向如何?來(lái)e星球，與超六萬(wàn)的專(zhuān)業(yè)人士一起把握潮流!　　需求往往是推動(dòng)創(chuàng )新的源泉，無(wú)論是時(shí)尚、金融亦或是我們熟悉的電源領(lǐng)域都存在這樣的現象。抓住了用戶(hù)需求，潛在的創(chuàng )新動(dòng)力才會(huì )被激發(fā)，也只有適應需求的創(chuàng )新才是最具生命周期的。2017年電源需求在哪?創(chuàng )新著(zhù)力點(diǎn)在哪?帶著(zhù)疑問(wèn)與期盼請來(lái)亞洲第一大電子展——2017年慕尼黑上海電子展一探究竟吧!3月14日-16日將有超過(guò)6萬(wàn)多名的專(zhuān)業(yè)觀(guān)眾以及眾多的國內外領(lǐng)先電源廠(chǎng)商集聚上海新國際博覽中心，深度探討2017年中國電源市場(chǎng)需求與走勢，
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ROHM參展“2017慕尼黑上海電子展” 五大解決方案蓄勢待發(fā)

　　2017年3月14日(周二)~16日(周四)，全球知名半導體制造商ROHM將亮相在"上海新國際展覽中心"舉辦的"2017慕尼黑上海電子展"。屆時(shí)ROHM將在E4館設有展位(展位號：4100)，向與會(huì )觀(guān)眾展示ROHM最新的產(chǎn)品與技術(shù)。來(lái)到現場(chǎng)還將有ROHM的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員向您做最詳盡的介紹，期待您的到來(lái)?！　OHM展位信息　　"慕尼黑上海電子展"不僅是亞洲領(lǐng)先的電子行業(yè)展覽，還是行業(yè)內最重要的盛會(huì )。而作為擁有近60年歷史的綜合性半導體制造商，&
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新型激光材料加工專(zhuān)利大幅提升SiC生產(chǎn)率

　　日本 DISCO 公司的科學(xué)家們使用一種稱(chēng)為關(guān)鍵無(wú)定形黑色重復吸收(key amorphous-black repetitive absorption，KABRA)的專(zhuān)利和正在申請專(zhuān)利的激光材料加工技術(shù)，可以將碳化硅(SiC)晶圓的生產(chǎn)率提升到原來(lái)的四倍，并且在提高產(chǎn)量的同時(shí)減少材料損耗。該技術(shù)適用于單晶和多晶錠，不管晶體層的取向如何。目前，SiC 功率器件在市場(chǎng)中的滲透較慢，主要是因為其產(chǎn)量小、且生產(chǎn)成本高。然而，KABRA 方法能夠顯著(zhù)提高 SiC 器件的產(chǎn)量，并且應該能夠使 SiC 器件作為功率
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“十三五”期間，功率半導體產(chǎn)業(yè)應有怎樣的路線(xiàn)圖？

　　如果說(shuō)中央處理器(CPU)是一臺計算機的心臟，功率半導體就是電機的心臟，它可以實(shí)現對電能的高效產(chǎn)生、傳輸、轉換、存儲和控制。我國發(fā)布《中國制造2025》，勾勒出未來(lái)十年產(chǎn)業(yè)轉型升級的整體方向與發(fā)展規劃，在此過(guò)程中，功率半導體發(fā)揮的作用不可替代。　　然而，與集成電路產(chǎn)業(yè)相似，我國功率半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平與國際先進(jìn)水平也存在著(zhù)巨大差距。人們常拿我國每年集成電路進(jìn)口額與石油進(jìn)行比較，其實(shí)如果按比例計算，我國功率半導體的進(jìn)口替代能力可能更弱。隨著(zhù)“節能減排”、“開(kāi)發(fā)綠色
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【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
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【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
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【功率器件心得分享】GaN與SiC新型功率器件

　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
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第三代半導體技術(shù)、應用、市場(chǎng)全解析

第一代半導體材料是元素半導體的天下，第一代半導體材料是化合物半導體材料，然而隨著(zhù)半導體器件應用領(lǐng)域的不斷擴大，特別是特殊場(chǎng)合要求半導體能夠在高溫、強輻射、大功率等環(huán)境下依然堅挺，第一、二代半導體材料便無(wú)能為力，于是賦予使命的第三代半導體材料——寬禁帶半導體材料誕生了。
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無(wú)畏氮化鎵角逐中功率市場(chǎng)　碳化硅功率元件/模組商機涌現

　　有鑒于全球環(huán)保意識抬頭，碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)兩種功率轉換材料備受矚目。其中，碳化矽掌握早期開(kāi)發(fā)優(yōu)勢，其功率模組在再生能源與車(chē)用電子領(lǐng)域，商機已紛紛涌現。而主要鎖定低功率市場(chǎng)的氮化鎵，則將緩步進(jìn)軍中功率市場(chǎng)。　　可以彌補天然能源不足缺口的再生能源設備，為聚焦于中功率、高功率應用的碳化矽創(chuàng )造大量需求。另一方面，近期豐田汽車(chē)(Toyota)在電動(dòng)車(chē)中導入碳化矽(SiC)元件的測試結果也已出爐，其在改善能源效率、縮小電源控制系統(PCU)尺寸上的效果，明顯勝過(guò)矽元件。　　臺達電技術(shù)長(cháng)暨總
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11月8日：ROHM為汽車(chē)推出新一代SiC、LED方案

　　ROHM新聞發(fā)布會(huì )上，首先宣布最新的第三代SiC技術(shù)，包括SiC MOSFET、SiC SBD(肖特基勢壘二極管)、SiC模塊，提供更高的功率密度可靠性和更高的能效。據悉，相比平面(planar)柵型SiC MOSFET，新一代SiC MOSFET在整個(gè)溫度范圍內減少Rdson 50%，在同樣芯片尺寸下減少35%輸入電容器?！　OHM的德國發(fā)言人(左1)介紹了車(chē)用外部LED燈,ROHM方案精度更高，用于車(chē)前燈。還有LED矩陣控制器，使電路配置更容易、
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世界各國第三代半導體材料發(fā)展情況

技術(shù)創(chuàng )新是推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的永恒動(dòng)力，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導體材料憑借著(zhù)其優(yōu)異的特性得到了世界各國的高度重視，從國際競爭角度看，美、日、歐等發(fā)達國家已將第三代半導體材料列入國家計劃，并展開(kāi)全面戰略部署，欲搶占戰略制高點(diǎn)。
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使用FET的壓控衰減器(音量控制)電路

該電路采用衰減場(chǎng)效應晶體管(FET)分流信號到地面。這個(gè)R2是用來(lái)控制輸出級(衰減等級),但是你可以用其他來(lái)源的電壓信號來(lái)控制網(wǎng)格的FET如DAC輸出,這是一種負面的信號電壓會(huì )(你可以用DAC采用對稱(chēng)與供電系統)。使用FET...
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技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性?xún)r(jià)比更高的功率元件

與SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機源于日本信息通信研究機構等的研究小組開(kāi)發(fā)出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術(shù)人員，以論
關(guān)鍵字： SiC 講座功率元件氧化鎵

單片機設計注意要點(diǎn)

首先介紹一下這樣做的優(yōu)點(diǎn)：采用低的晶振和總線(xiàn)頻率使得我們可以選擇較小的單片機滿(mǎn)足時(shí)序的要求，這樣單片機的工作電流可以變得更低，最重要的是VDD到VSS的電流峰值會(huì )更小。
關(guān)鍵字：單片機 FET 穿通電流工作頻率

GaN、SiC功率元件帶來(lái)更輕巧的世界

　　眾人皆知，由于半導體制程的不斷精進(jìn)，數位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高，運算力不斷增強，使運算的取得愈來(lái)愈便宜，也愈來(lái)愈輕便，運算力便宜的代表是微電腦、個(gè)人電腦，而輕便的成功代表則是筆電、智慧型手機、平板。　　 ? 　　GaN、SiC、Si電源配接電路比較圖 (source：www.nedo.go.jp) 　　不過(guò)，姑且不論摩爾定律(Moors’ Law)能否持續下去，有些電子系統的輕便度仍待改進(jìn)提升，例如筆電出門(mén)經(jīng)常要帶著(zhù)一個(gè)厚重占體積的電源配接器(Power Ad
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