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世界首家！ROHM開(kāi)始量產(chǎn)采用溝槽結構的SiC-MOSFET
- 全球知名半導體制造商ROHM近日于世界首家開(kāi)發(fā)出采用溝槽結構的SiC-MOSFET，并已建立起了完備的量產(chǎn)體制。與已經(jīng)在量產(chǎn)中的平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的導通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽(yáng)能發(fā)電用功率調節器和工業(yè)設備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關(guān)設備的功率損耗。 另外，此次開(kāi)發(fā)的SiC-MOSFET計劃將推出功率模塊及分立封裝產(chǎn)品，目前已建立起了完備的功率模塊產(chǎn)品的量產(chǎn)體制。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)，后期工序的生產(chǎn)基地為
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC-MOSFET
SiC功率器件的技術(shù)市場(chǎng)走勢
- 摘要：探討了SiC的技術(shù)特點(diǎn)及其市場(chǎng)與應用。 近期，全球知名半導體制造商ROHM在清華大學(xué)內舉辦了以“SiC功率元器件技術(shù)動(dòng)向和ROHM的SiC功率元器件產(chǎn)品”為主題的交流學(xué)習會(huì )。此次交流學(xué)習會(huì )上，ROHM在對比各種功率器件的基礎上，對SiC元器件的市場(chǎng)采用情況和發(fā)展趨勢做了分析，并對ROHM的SiC產(chǎn)品陣容、開(kāi)發(fā)以及市場(chǎng)情況做了詳盡的介紹。 各種功率器件的比較 功率元器件主要用于轉換電源，包括四大類(lèi)：逆變器、轉換器(整流器)、直流斬波器DC/DC轉換器、矩陣
- 關(guān)鍵字： SiC 功率器件 ROHM IGBT 201503
ROHM：國際半導體巨頭的“小”追求和“低”要求
- 近年來(lái)，隨著(zhù)柔性屏幕、觸控技術(shù)和全息技術(shù)在消費電子領(lǐng)域的應用日益廣泛，智能手機、平板電腦等智能終端功能越來(lái)越多樣化。加上可穿戴設備的興起、汽車(chē)電子的發(fā)展、通信設備的微型化，設備內部印制電路板所需搭載的半導體器件數大幅提升，而在性能不斷提升的同時(shí)，質(zhì)量和厚度卻要求輕便、超薄。有限的物理空間加上大量的器件需求，對電子元器件的小型化、薄型化以及高精度、高可靠性提出了更高的要求，各個(gè)領(lǐng)域元器件小型化的需求日益高漲。小型化不僅是過(guò)去幾年的發(fā)展方向，也是將來(lái)的趨勢。 談到元器件的小型化，我們就不得不提為此作
- 關(guān)鍵字： ROHM 半導體 SiC
SiC功率半導體將在2016年形成市場(chǎng) 成為新一輪趨勢
- 矢野經(jīng)濟研究所2014年8月4日公布了全球功率半導體市場(chǎng)的調查結果。 全球功率半導體市場(chǎng)規模的推移變化和預測(出處：矢野經(jīng)濟研究所) 2013年全球功率半導體市場(chǎng)規模(按供貨金額計算)比上年增長(cháng)5.9%，為143.13億美元。雖然2012年為負增長(cháng)，但2013年中國市場(chǎng)的需求恢復、汽車(chē)領(lǐng)域的穩步增長(cháng)以及新能源領(lǐng)域設備投資的擴大等起到了推動(dòng)作用。 預計2014年仍將繼續增長(cháng)，2015年以后白色家電、汽車(chē)及工業(yè)設備領(lǐng)域的需求有望擴大。矢野經(jīng)濟研究所預測，2020年全球功率半導體市場(chǎng)規
- 關(guān)鍵字： SiC 功率半導體
SiC對醫療設備電源為最佳選擇，三菱電機展示高頻功率模塊
- 三菱電機開(kāi)發(fā)出了支持50kHz左右高頻開(kāi)關(guān)動(dòng)作的工業(yè)設備用混合SiC功率半導體模塊，并在7月23～25日舉辦的“日本尖端技術(shù)展(TECHNO-FRONTIER)2014”上展示。該模塊組合了高頻用Si-IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC-SBD(肖特基勢壘二極管)，從2014年5月開(kāi)始樣品供貨。 據介紹，新產(chǎn)品可用于光伏發(fā)電用逆變器等多種工業(yè)設備，尤其適合經(jīng)常采用高開(kāi)關(guān)頻率的醫療設備用電源。新產(chǎn)品有6種，耐壓均為1200V，額定電流為100A～600A不等。通過(guò)采
- 關(guān)鍵字： SiC 醫療設備
東芝擴大650V碳化硅肖特基勢壘二極管產(chǎn)品陣容
- 東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，該公司將通過(guò)添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴大現有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動(dòng)?！ BD適合各種應用，包括光伏發(fā)電系統用的服務(wù)器電源和功率調節器。此外，它還可作為開(kāi)關(guān)電源中的硅二極管的替換件，能夠將效率提升50%(東芝調查)?！ iC功率器件提供比當前硅器件更加穩定的運行，即便是在高電壓
- 關(guān)鍵字： 東芝 SBD SiC
美國阿肯色大學(xué)設計工作溫度超過(guò)350°C的SiC基集成電路
- 美國阿肯色大學(xué)研究人員已經(jīng)設計出可在溫度高于350°C (大約660°F)時(shí)工作的集成電路。該研究由美國國家科學(xué)基金(NSF)提供資助，研究成果可以提高用于電力電子設備、汽車(chē)和航空航天設備領(lǐng)域的處理器、驅動(dòng)器、控制器和其他模擬與數字電路的功能，因為所有這些應用場(chǎng)合的電子設備都必須在高溫甚至經(jīng)常在極限溫度下運行。 阿肯色大學(xué)電子工程學(xué)院特聘教授A(yíng)lan Mantooth說(shuō)，“堅固性允許這些電路被放置在標準硅基電路部件無(wú)法工作的地方。我們設計了性能優(yōu)越的信號處理電路模
- 關(guān)鍵字： SiC 集成電路
東芝擴大650V碳化硅肖特基勢壘二極管產(chǎn)品陣容
- 東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，該公司將通過(guò)添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴大現有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動(dòng)?！ BD適合各種應用，包括光伏發(fā)電系統用的服務(wù)器電源和功率調節器。此外，它還可作為開(kāi)關(guān)電源中的硅二極管的替換件，能夠將效率提升50%(東芝調查)?！ iC功率器件提供比當前硅器件更加穩定的運行，即便是在高電壓
- 關(guān)鍵字： 東芝 SBD SiC
東芝電子攜多款功率器件產(chǎn)品參加PCIM 2014
- 日本半導體制造商株式會(huì )社東芝(Toshiba)旗下東芝半導體&存儲產(chǎn)品公司宣布，將參加在上海舉行的“上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì )”(PCIM Asia 2014 )。本次展會(huì )于2014年6月17日至19日在上海世博展覽館拉開(kāi)帷幕，東芝半導體&存儲產(chǎn)品公司此次將展示其最新的、應用在電力領(lǐng)域的技術(shù)和產(chǎn)品?！ ≌故井a(chǎn)品簡(jiǎn)介: 1. IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor) 東芝在IGBT的基礎上成功研發(fā)出“注入增強”(IE：Inject
- 關(guān)鍵字： 東芝 IEGT SiC
美高森美發(fā)布用于高壓工業(yè)應用的創(chuàng )新SiC MOSFET系列 繼續保持在碳化硅解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導地位
- 致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET產(chǎn)品系列 ─ 1200V解決方案。這系列創(chuàng )新SiC MOSFET器件設計用于效率至關(guān)重要的大功率工業(yè)應用，包括用于太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車(chē)、焊接和醫療設備的解決方案?！ ∶栏呱罁碛欣肧iC半導體市場(chǎng)增長(cháng)的良好條件，據市場(chǎng)研究機構Yole Développement預計，從201
- 關(guān)鍵字： 美高森美 MOSFET SiC
耐高溫半導體解決方案日益受到市場(chǎng)歡迎
- 日前，CISSOID 公司與上海諾衛卡電子科技有限公司簽訂在華銷(xiāo)售 CISSOID 產(chǎn)品的經(jīng)銷(xiāo)協(xié)議，后者將會(huì )幫助CISSOID公司的高溫半導體產(chǎn)品在中國市場(chǎng)大范圍推廣?！ ≈Z衛卡公司將其在碳化硅方面的專(zhuān)業(yè)技術(shù)與 CISSOID 的技術(shù)及其產(chǎn)品組合完美結合在一起，形成獨一無(wú)二的競爭力。例如：SiC 電源開(kāi)關(guān)專(zhuān)用的隔離式柵極驅動(dòng)器HADES 技術(shù);高溫 SiC MOSFET;及 SiC 傳感元件的高溫信號調節器?！ ISSOID公司營(yíng)銷(xiāo)拓展副總裁Jean-Christophe Doucet先生表示，為保
- 關(guān)鍵字： CISSOID 諾衛卡 SiC
基于場(chǎng)效應管的功率放大器設計
- 摘要：用場(chǎng)效應晶體管設計出有膽味的音頻功率放大器。前級采用單管、甲類(lèi)，后級采用甲乙類(lèi)推挽放大技術(shù)。實(shí)驗證明差分放大器使用的對管的一致性與整機的失真程度密切相關(guān)。從聽(tīng)音效果來(lái)看，末級電流200mA是理想值。 前后級間耦合電容對聽(tīng)音影響較大，要求質(zhì)量高些。 對于音頻功率放大器而言，最好聽(tīng)的莫過(guò)于甲類(lèi)放大器。根據頻率分析的結果，由集成運算放大器構成的前級聲音單薄、缺乏活力。所以，可不可以前級采用單管甲類(lèi)放大器，后級采用甲乙類(lèi)功率放大器?這樣既兼顧聽(tīng)音需要，又兼顧效率的需要。目前，電子管音頻功率放大器仍然占據
- 關(guān)鍵字： FET 場(chǎng)效應管 功率放大器
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對sic fet的理解，并與今后在此搜索sic fet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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