Bulk Si技術(shù)近極限，功率半導體大廠(chǎng)加速投入GaN、SiC開(kāi)發(fā)

　　DIGITIMES Research觀(guān)察，傳統以塊體矽(Bulk Si)材料為基礎的功率半導體逐漸難提升其技術(shù)表現，業(yè)界逐漸改以新材料尋求突破，其中氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)材料技術(shù)最受矚目，氮化鎵具有更高的切換頻率，碳化矽則能承受更高溫、更大電流與電壓，而原有的矽材仍有成本優(yōu)勢，預計未來(lái)功率半導體市場(chǎng)將三分天下。

　　更高的耐受溫度、電壓，或更高的切換頻率、運作頻率，分別適用在不同的應用，對于電動(dòng)車(chē)、油電混合車(chē)、電氣化鐵路而言需要更高電壓，對于新一代的行動(dòng)通訊基地臺，或資料中心機房設備而言，則需要更高的切換頻率。

　　氮化鎵、碳化矽技術(shù)表現雖佳，但現階段發(fā)展上有其挑戰，包含過(guò)高的成本、技術(shù)表現可靠度不足、可供貨業(yè)者有限，以及缺乏配套的封裝整合技術(shù)等，不過(guò)業(yè)界正逐一尋求突破。

　　業(yè)界為了加速發(fā)展新材料功率半導體已進(jìn)行多項商業(yè)布局，包含投資新創(chuàng )業(yè)者、發(fā)動(dòng)購并、事業(yè)體分拆、技術(shù)合作等。期許讓功率半導體獲得新應用話(huà)題、新成長(cháng)動(dòng)能。

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