英飛凌推出具備更大爬電距離的寬體封裝，進(jìn)一步擴大緊湊型門(mén)級驅動(dòng)產(chǎn)品陣容

　　英飛凌科技股份公司為其EiceDRIVER? Compact隔離型門(mén)級驅動(dòng)IC產(chǎn)品家族帶來(lái)了寬體封裝新成員。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封裝，可增大爬電距離并改善熱性能。

　　全新IC的爬電距離為8 mm，輸入至輸出隔離電壓1200 V。它們專(zhuān)為驅動(dòng)高壓功率MOSFET和IGBT而設計。目標應用包括通用和光伏逆變器、工業(yè)變頻器、電動(dòng)汽車(chē)充電站、焊接設備及商用和農用車(chē)等。優(yōu)化的引腳可簡(jiǎn)化PCB設計，實(shí)現低阻抗電源。與英飛凌EiceDRIVER?產(chǎn)品家族的其他成員一樣，1EDI Compact 300 mil驅動(dòng)基于英飛凌的無(wú)芯變壓器技術(shù)。最新推出的驅動(dòng)IC能實(shí)現最大6 A的輸出電流。

　　產(chǎn)品信息與上市時(shí)間

　　該IC能在獨立的灌電流和拉電流輸出引腳分別提供驅動(dòng)電流0.5A(1EDI05I12AH)、2A(1EDI20I12AH)、4A(1EDI40I12AH)和6A(1EDI60I12AH)的不同型號。這些器件的典型延遲為300納秒。對于速度更高的應用，1EDI20H12AH和1EDI60H12AH的延遲有所縮短，只有120納秒，非常適合于當今和未來(lái)的基于SiC-MOSFET的應用。另外三個(gè)型號(1EDI10I12MH、1EDI20I12MH和1EDI30I12MH)配有一個(gè)集成的米勒鉗位，可提供相應的輸出電流1A、2A和3A等規格。

　　2016年6月計劃批量生產(chǎn)1EDI Compact 300 mil門(mén)級驅動(dòng)IC。目前提供工程樣品和評估板。了解更多信息請訪(fǎng)問(wèn)：www.infineon.com/EiceDRIVER。