“助攻”電源設計：900V SiC MOSFET導通電阻創(chuàng )新低！

　　全球SiC領(lǐng)先者CREE推出了業(yè)界首款900V MOSFET：C3M0065090J。憑借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM場(chǎng)效應晶體管技術(shù)，該n溝道增強型功率器件還對高頻電力電子應用進(jìn)行了優(yōu)化。超越同樣成本的Si 基方案，能夠實(shí)現下一代更小尺寸、更高效率的電力轉換系統，并大幅降低了系統成本。C3M0065090J突破了電力設備技術(shù)，是開(kāi)關(guān)模式電源(spm)、電池充電器、太陽(yáng)能逆變器，以及其他工業(yè)高電壓應用等的電源管理解決方案。

　　世強代理的該900V SiC具有更寬的終端系統功率范圍，能滿(mǎn)足不斷演變的新型應用市場(chǎng)中的設計挑戰，更高直流母線(xiàn)電壓也同樣適用。在25°C條件下，C3M0065090J擁有目前市面上最低的65mΩ的額定導通電阻;當溫度高至150°C時(shí)，也可保證導通電阻只有90mΩ，這能有效降低功率損耗，并縮減熱管理系統的尺寸。從而進(jìn)一步減少電源設計者們的創(chuàng )新限制，有助于實(shí)現尺寸更小、速度更快、溫度更低、效率更高的電源方案。

　　圖： CREE業(yè)界首款900V MOSEFET C3M0065090J

　　C3M0065090J不僅提高了系統效率，還增加了功率密度以及開(kāi)關(guān)頻率，能夠提供優(yōu)化的+ 15 v / 5 v門(mén)極驅動(dòng)和+/- 36 v連續漏電流。配備131數控C3M0065090D通孔模型和134數控C3M0065090J表面裝配模型的快速二極管，所以反向恢復時(shí)間短。此外，該產(chǎn)品采用業(yè)界標準TO247-3/TO220-3封裝，還能提供開(kāi)爾文連接的低阻抗 D2Pak-7L表面貼封裝，從而減小了柵極振蕩。歡迎撥打世強服務(wù)熱線(xiàn)電話(huà) 40088-73266咨詢(xún)訂購。

　　C3M0065090J的特點(diǎn)與優(yōu)勢：

　　• 　采用SiC MOSFET C3MTM場(chǎng)效應晶體管技術(shù)，n溝道增強型

　　• 　高阻斷電壓，較低的導通電阻65mΩ(25°C)，90mΩ(150°C)

　　• 　較低的高速開(kāi)關(guān)功放

　　• 　新的低阻抗包和驅動(dòng)源

　　• 　具用快速內在二極管，反向恢復電流較低(Qrr)

　　• 　工作溫度：-55 °C 至 +150 °C

　　• 　封裝：標準TO247-3/TO220-3，及低阻抗 D2Pak-7L表面貼封裝

　　• 　無(wú)鹵,通過(guò)無(wú)鉛認證

　　C3M0065090J的應用：

　　• 　可再生能源

　　• 　電動(dòng)汽車(chē)電池充電器

　　• 　高壓直流/直流轉換器

　　• 　開(kāi)關(guān)模式電源

　　• 太陽(yáng)能逆變器