EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
lpddr5x dram
lpddr5x dram 文章 進(jìn)入lpddr5x dram技術(shù)社區
漏電流和寄生電容引起的DRAM故障識別
- 從20nm技術(shù)節點(diǎn)開(kāi)始，漏電流一直都是動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)設計中引起器件故障的主要原因。即使底層器件未出現明顯的結構異常，DRAM設計中漏電流造成的問(wèn)題也會(huì )導致可靠性下降。漏電流已成為DRAM器件設計中至關(guān)重要的一個(gè)考慮因素。圖1. (a) DRAM存儲單元；(b)單元晶體管中的柵誘導漏極泄漏電流 (GIDL)；(c)位線(xiàn)接觸 (BLC) 與存儲節點(diǎn)接觸 (SNC) 之間的電介質(zhì)泄漏；(d) DRAM電容處的電介質(zhì)泄漏。DRAM存儲單元（圖1 (a)）在電
- 關(guān)鍵字： DRAM GIDL
三星率先為DRAM芯片導入EUV：明年將用于DDR5/LPDDR5大規模量產(chǎn)
- 當前在芯片制造中最先進(jìn)的EUV（極紫外光刻）工藝被三星率先用到了DRAM內存顆粒的生產(chǎn)中。這家韓國巨頭今日宣布，已經(jīng)出貨100萬(wàn)第一代10nm EUV級（D1x）DDR4 DRAM模組，并完成全球客戶(hù)評估，這為今后高端PC、手機、企業(yè)級服務(wù)器等應用領(lǐng)域開(kāi)啟新大門(mén)。得益于EUV技術(shù)，可以在精度更高的光刻中減少多次圖案化的重復步驟，并進(jìn)一步提升產(chǎn)能。三星表示，將從第四代10nm級（D1a）DRAM或高端級14nm級DRAM開(kāi)始全面導入EUV，明年基于D1a大規模量產(chǎn)DDR5和LPDDR5內存芯片，預計會(huì )使12
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM EUV
存儲器行業(yè)的冰與火之歌：凜冬是否已經(jīng)結束 ？
- 據IDC預測，2025年全球數據將有175 ZettaBytes的總量，如此驚人而又龐大的數據量，半導體存儲器將具有極大的市場(chǎng)。半導體存儲器分為易失存儲器和非易失存儲器兩種，具體類(lèi)型如下：“凜冬將至”：這兩年的存儲器市場(chǎng)2017年的存儲器市場(chǎng)可以用火熱來(lái)形容，三大存儲器公司（三星、海力士、美光）的財報都非常喜人，SK海力士、美光的營(yíng)收規模均成長(cháng)近8成，而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導體營(yíng)收頭把交椅。整體來(lái)說(shuō)，2017年全球半導體市場(chǎng)規模比2016年成長(cháng)22.2%，達4197.2億美元，存儲器的
- 關(guān)鍵字： 存儲器、NAND、DRAM
全球DRAM產(chǎn)業(yè)迎來(lái)大牛市 內存將連漲7個(gè)季度
- 最近的疫情危機給全球大多數電子產(chǎn)品的前景蒙上了陰影，智能手機Q1季度會(huì )是暴跌50%。不過(guò)內存廠(chǎng)商現在可以輕松下了，Q1季度開(kāi)始就進(jìn)入全球牛市，預計會(huì )連漲七個(gè)季度，也就是2020年底才可能穩下來(lái)。自從1月初的三星供電停電、東芝工廠(chǎng)起火之后，這兩家公司紛紛表態(tài)對生產(chǎn)基本沒(méi)影響，但是全球存儲芯片的市場(chǎng)依然像是打了雞血，內存及SSD硬盤(pán)的現貨價(jià)應聲而起，1月份就漲價(jià)高達30%。那這一波內存漲價(jià)要持續多久呢？UBS瑞銀分析師Timothy Acuri日前發(fā)表報告評估了內存市場(chǎng)的發(fā)展趨勢，他認為內存漲價(jià)將持續至少7個(gè)
- 關(guān)鍵字： DRAM、內存
美光交付全球首款量產(chǎn)的LPDDR5芯片
- 美光科技近日宣布已交付全球首款量產(chǎn)的低功耗DDR5 DRAM 芯片，并將率先搭載于即將上市的小米10智能手機。
- 關(guān)鍵字： 美光科技 DDR5 DRAM 芯片
內存和存儲的應用熱點(diǎn)與解決方案
- Raj Talluri? （美光科技移動(dòng)產(chǎn)品事業(yè)部 高級副總裁兼總經(jīng)理） 1 內存和存儲領(lǐng)域會(huì )出現哪些應用或技術(shù)熱點(diǎn) 數據爆發(fā)推動(dòng)了各個(gè)技術(shù)領(lǐng)域對內存和存儲的需求，而云和移動(dòng)是當前內存和存儲的最大需求來(lái)源?！ ≡谝苿?dòng)領(lǐng)域，基于視頻內容和游戲的需求不斷增長(cháng)，智能手機比以往需要更大的 DRAM ， 以 支持計算攝影、面部識別、增強現實(shí)等各種功能。根據客戶(hù)的需求趨勢判斷，美光認為2020年，智能手機的平均容量將達到5GB的DRAM和120 GB的NAND?！ ∨c此同時(shí)，5G網(wǎng)絡(luò )的普及將刺激對DRAM和N
- 關(guān)鍵字： 202002 內存 DRAM AI
2020年全球內存產(chǎn)業(yè)趨勢分析
- 張明花（集邦咨詢(xún)顧問(wèn)（深圳）有限公司 編輯，深圳 518000） 摘? 要：預估2020年全球內存市場(chǎng)的年成長(cháng)率僅為12.2%，這個(gè)數字在年成長(cháng)動(dòng)輒25%、甚至40%~50%的傳統內存產(chǎn)業(yè)是非常低的。三星、SK海力士、美光等內存廠(chǎng)商2020年將以獲利為主要目標，資本支出也會(huì )減少?！ ￡P(guān)鍵詞：內存；DRAM；三星；SK海力士；美光 觀(guān)察全球內存（DRAM）市場(chǎng)供需格局以及價(jià)格走勢，在歷經(jīng)近5個(gè)季度的庫存調整后，2019年第4季 度DRAM市場(chǎng)仍處于微幅供過(guò)于求狀態(tài)，即便2020年 第1季度DRAM的
- 關(guān)鍵字： 202002 內存 DRAM 三星 SK海力士 美光
儒卓力與愛(ài)普科技簽署全球分銷(xiāo)協(xié)議
- 儒卓力(Rutronik Elektronische Bauelemente GmbH)和中國臺灣證券交易所上市企業(yè)，全球領(lǐng)先的IoT RAM、利基型DRAM和AI存儲解決方案供應商愛(ài)普科技簽署全球分銷(xiāo)協(xié)議。這項分銷(xiāo)協(xié)議涵蓋了愛(ài)普科技的全部產(chǎn)品，并且已經(jīng)生效。根據此分銷(xiāo)合作關(guān)系協(xié)議，儒卓力是愛(ài)普科技IoT RAM產(chǎn)品在歐洲市場(chǎng)的獨家分銷(xiāo)商。愛(ài)普科技的產(chǎn)品范圍包括各種各樣的存儲解決方案，重點(diǎn)產(chǎn)品則是具有低引腳數的超低功耗IoT RAM和具有長(cháng)壽命支持的標準DRAM產(chǎn)品。在物聯(lián)網(wǎng)和邊緣AI市場(chǎng)，存儲器是系統性
- 關(guān)鍵字： RAM DRAM
美光推出面向移動(dòng)應用、堪稱(chēng)業(yè)內容量最高的單片式內存
- 新聞?wù)? 16Gb LPDDR4X改進(jìn)了能耗、速度和業(yè)內最高容量的單片式裸晶，它的推出進(jìn)一步鞏固了美光在低功耗 DRAM 領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。? 基于 UFS 的多芯片封裝可在同等尺寸條件下降低功耗并增加容量，從而使手機設計更加輕巧美光科技股份有限公司（納斯達克股票代碼：MU）今天宣布推出業(yè)內容量最高的單片式 16Gb 低功耗雙倍數據率 4X (LPDDR4X) DRAM。美光16Gb LPDDR4X 能夠在單個(gè)智能手機中提供高達 16GB1 的低功耗 DRAM (LPDRAM)，顯示了美光為當前和下一代
- 關(guān)鍵字： LPDDR4X 批量生產(chǎn)進(jìn)入1z 納米 DRAM 工藝節點(diǎn)
lpddr5x dram介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條lpddr5x dram!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對lpddr5x dram的理解，并與今后在此搜索lpddr5x dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對lpddr5x dram的理解，并與今后在此搜索lpddr5x dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
lpddr5x dram相關(guān)帖子
lpddr5x dram資料下載
lpddr5x dram專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473