南亞科10nm DRAM技術(shù)突破

據臺媒報道，南亞科已完成自主研發(fā) 10 納米級 DRAM 技術(shù)，將在今年下半年試產(chǎn)！ 

全球 DRAM 內存芯片主要掌握在三星、SK 海力士、美光三家公司中，他們的份額高達 95% 以上，關(guān)鍵原因就在于這三家的技術(shù)專(zhuān)利形成了極高的門(mén)檻，其他公司突圍起來(lái)很難。 

南亞科之前的內存也是來(lái)自美光授權，今年他們將轉向自研的 10nm 級內存，未來(lái)將自產(chǎn) DDR4/LPDDR4/DDR5 等內存顆粒。 

在美光前兩年全資收購華亞科之后，南亞科技變成了全球第四大內存廠(chǎng)，不過(guò)份額只有2% 左右，而且技術(shù)來(lái)源也主要是美光授權，而且技術(shù)落后較多，在三星、美光、SK 海力士轉向 1X、1Y、1Znm 工藝之后，南亞的主力還是 30nm 等，來(lái)自美光授權，這兩年才搞定 20nm 內存，也是授權+合作研發(fā)的模式，南亞上次自己搞內存研發(fā)還是 99nm 時(shí)代。 

在 10nm 級內存芯片中，南亞決定自研了，目前 10nm 級前導產(chǎn)品預計會(huì )在今年下半年試產(chǎn)，主要包括 8Gb 核心的 DDR4、LPDDR4 及未來(lái)的 DDR5，都可以由自研的技術(shù)平臺生產(chǎn)。 

在解決 10nm 級內存工藝技術(shù)之后，南亞還會(huì )繼續研發(fā)第二代 10nm 級工藝，預計 2022 年量產(chǎn)，還會(huì )開(kāi)發(fā)第三代 10nm 級工藝。