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日韓貿易戰與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價(jià)格走勢,長(cháng)期須關(guān)注原廠(chǎng)庫存水位

  • Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)指出,繼6月中旬東芝斷電事件后,日本政府近日宣布從7月4日起,開(kāi)始管控向南韓出口3種生產(chǎn)半導體、智能手機與面板所需的關(guān)鍵材料,造成存儲器產(chǎn)業(yè)下游模組廠(chǎng)出現提高報價(jià)狀況,然而,由于目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高,加上并非完全禁止原物料出貨,僅是申請流程延長(cháng),短期結構性供需反轉的可能性低。日韓貿易戰的爆發(fā)使得業(yè)界盛傳存儲器價(jià)格將反轉,集邦咨詢(xún)分析指出,因DRAM價(jià)格已歷經(jīng)連續三個(gè)季度快速下滑,下游
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國際半導體遭遇寒冬 中國存儲方隊逆勢擴張

  •   在中美貿易摩擦有所緩和之際,日前紫光集團宣布組建DRAM集團,讓市場(chǎng)注意力集中到國內存儲器布局上。當前國際存儲寡頭壟斷的格局下,國內存儲方隊既要面對技術(shù)、團隊等方面的疊代差距,又要面對當前國際半導體市場(chǎng)勢弱,存儲大幅降價(jià)的風(fēng)險,迎難而上,逆勢擴張?! H半導體產(chǎn)業(yè)降溫  6月30日晚間,紫光集團宣布了組建DRAM事業(yè)群的計劃,并配套部署人事安排,深化和完善紫光集團“從芯到云”產(chǎn)業(yè)鏈的建設。而如果放眼國際,此時(shí)紫光集團布局DRAM可謂迎難而上,逆勢擴張?! 绹雽w行業(yè)協(xié)會(huì )官網(wǎng)最新統計,5月全球半
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美光正在為DDR5擴大產(chǎn)能 并迅速轉向更先進(jìn)工藝技術(shù)

  • 在近日與投資者和金融分析師召開(kāi)的收益電話(huà)會(huì )議上,美光對其長(cháng)期未來(lái)及對其產(chǎn)品的強勁需求表示了信心,該公司還概述了擴大產(chǎn)能的計劃,并迅速轉向更先進(jìn)的工藝技術(shù)。
  • 關(guān)鍵字: 美光  DDR5  DRAM  

紫光集團組建DRAM事業(yè)群

  • 6月30日,紫光集團發(fā)布公告稱(chēng),決定組建紫光集團DRAM事業(yè)群,全力加速發(fā)展國產(chǎn)內存。
  • 關(guān)鍵字: 紫光  DRAM  閃存  

DRAM顆粒6月現貨價(jià)逼近生產(chǎn)成本 跌勢趨緩訊號浮現

  • DRAM價(jià)格第2季大幅走跌,根據供應鏈透露,6月起DRAM顆?,F貨價(jià)格再度走跌,主流交易規格的8Gb顆粒正式跌破3美元關(guān)卡。
  • 關(guān)鍵字: 三星電子  SK海力士  美光  南亞科  DRAM  

紅「芯」勢力崛起 三星DRAM事業(yè)的危機與中轉

  • 半導體無(wú)所不在,舉凡汽車(chē)、家電、手機到戰斗機,皆少不了半導體這玩意。半導體為韓國最具代表性產(chǎn)業(yè),占外銷(xiāo)總金額的20%。然而2018年底存儲器榮景告終、價(jià)格走跌,除了讓三星電子(Samsung Electronics)存儲器事業(yè)陷入危機外,韓國經(jīng)濟前景也跟著(zhù)蒙上陰影。面對中國大陸DRAM力拚崛起,及工業(yè)4.0革命可能帶來(lái)的爆炸性需求,三星半導體事業(yè)將采取何種策略令人好奇。
  • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  SDI  

三星18nm工藝內存芯片曝缺陷 明年全面挺進(jìn)16nm

  • 作為占據全球DRAM內存芯片過(guò)半市場(chǎng)的超級巨頭,三星電子的一舉一動(dòng)都影響著(zhù)整個(gè)行業(yè)。前幾年內存價(jià)格持續暴漲,三星賺得盆滿(mǎn)缽滿(mǎn),最近日子就不太好過(guò)了,一季度營(yíng)業(yè)利潤暴跌了超過(guò)60%。
  • 關(guān)鍵字: DRAM  16nm  三星電子  

MRAM技術(shù)新突破!臺灣清大團隊發(fā)表新磁性翻轉技術(shù)

  •   全球各半導體大廠(chǎng)如三星、東芝、英特爾等摩拳擦掌競相投入磁阻式隨機存取存儲器(MRAM),準備在后摩爾定律世代一較高下。臺灣清華大學(xué)研究團隊最新發(fā)表以自旋流操控鐵磁-反鐵磁納米膜層的磁性翻轉,研究成果已于今年2月19日刊登于材料領(lǐng)域頂尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)?! RAM為非揮發(fā)性存儲器技術(shù),斷電時(shí)利用納米磁鐵所存儲的數據不會(huì )流失,是“不失憶”的存儲器。其結構如三明治,上層是自由翻轉的鐵磁層,可快速處理數據,底層則是釘鎖住的鐵磁層,可用作存儲數據,兩層中則有氧化層隔開(kāi)?! ∑?/li>
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集邦咨詢(xún):DRAM均價(jià)受庫存尚未去化完成影響,跌勢恐將持續至下半年

  •   Mar. 25, 2019 ---- 集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)指出,受庫存過(guò)高影響,DRAM第一季合約價(jià)跌幅持續擴大,整體均價(jià)已下跌逾20%。然而價(jià)格加速下跌并未刺激需求回溫,預計在庫存尚未去化完成的影響下,DRAM均價(jià)跌勢恐將持續至第三季?! 「鶕﨑RAMeXchange調查,DRAM供應商累積的庫存水位在第一季底已經(jīng)普遍超過(guò)六周 (含wafer bank),而買(mǎi)方的庫存水位雖受到不同產(chǎn)品別的影響略有增減,但平均至少達五周,在服務(wù)器以及PC客戶(hù)端甚至超過(guò)七周?! ∵M(jìn)
  • 關(guān)鍵字: 集邦咨詢(xún)  DRAM  

中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨瓶頸,因素在于美國管制與韓國壟斷

  •   根據韓國媒體《BusinessKorea》的報導指出,中國一直企望發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè),但在近期受到韓國存儲器大廠(chǎng)三星與SK海力士在市場(chǎng)壟斷與持續技術(shù)精進(jìn)下,加上美國對知識產(chǎn)權的嚴密保護,其目的將難以達成?! 髮е赋?,2018年10月份,在中國NANDFlash快閃存儲器技術(shù)上領(lǐng)先的長(cháng)江存儲(YMTC)發(fā)布了自行研發(fā)的32層堆疊產(chǎn)品之后,當時(shí)就宣布將在2020年時(shí)跳過(guò)64層及96層堆疊的產(chǎn)品,直接發(fā)展128層堆疊的產(chǎn)品。由于韓國的存儲器龍頭廠(chǎng)三星,早在2014年就已經(jīng)推出了32層堆疊的NANDFlash快
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手機存儲芯片價(jià)格狂跌 海外巨頭“圍剿”中國廠(chǎng)商陰謀論成真?

  • 近日,半導體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)調研品牌DRAMeXchange(全球半導體觀(guān)察)公布的最新的存儲芯片行業(yè)調研報告顯示,DRAM跌價(jià)幅度超過(guò)預期,創(chuàng )8年以來(lái)最大跌幅。一度被調侃為“價(jià)格跑贏(yíng)了房?jì)r(jià)”的內存條,如今突然迎來(lái)8年來(lái)最大跌幅,國際巨頭對中國廠(chǎng)商“圍剿”的爭議也再次出現。
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DRAM價(jià)格暴跌 韓國前景“一片烏云”

  •   根據據韓媒《韓鮮日報》報導,DRAM的價(jià)格接連下跌,零售的計算機用DRAM價(jià)格最終也下跌到5萬(wàn)韓元以下,這樣的走勢比預期要快許多,預計今年出口的前景也不樂(lè )觀(guān)?! ≡陧n國電子產(chǎn)品價(jià)格比較網(wǎng)“Danawa”上,本月6日三星電子DDR48GBPC4-21300DRAM價(jià)格是4萬(wàn)8900韓元,已經(jīng)下跌到5萬(wàn)韓元以下,與去年4月9萬(wàn)9270韓元的高點(diǎn)相比下跌了50.7%?! 2B(企業(yè)間交易)市場(chǎng)價(jià)格指標也呈暴跌的趨勢,據市調公司DRAMeXchange指出,2月底的DDR48Gb的固定交易價(jià)格是比起今年1月
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DRAM大幅跌價(jià) 三星的半導體老大位置懸了

  •   據市調機構DRAMeXchange公布的調查報告指,今年以來(lái)DRAM內存價(jià)格大幅下跌,其估算一季度的跌幅從預期的25%擴大至30%,這對于依靠存儲芯片取得了全球半導體老大位置的三星來(lái)說(shuō)顯然不是好消息,其或因存儲芯片價(jià)格持續下跌導致位置不保?! 〈鎯π酒瑑r(jià)格持續上漲助三星取代Intel  自2016年以來(lái),受PC、智能手機等產(chǎn)品對存儲芯片需求不斷擴大,PC正將機械硬盤(pán)轉換為速度更快的SSD硬盤(pán)、DRAM內存的容量在不斷增大,智能手機的閃存和內存容量也在不斷擴大,存儲芯片價(jià)格進(jìn)入了快速上漲的階段?! ∽鳛?/li>
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集邦咨詢(xún):第一季DRAM合約價(jià)大幅下修,創(chuàng )8年以來(lái)最大跌幅

  •   Mar. 5, 2019 ---- 根據集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調查,由于供過(guò)于求的市況,DRAM產(chǎn)業(yè)大部分交易已經(jīng)改為月結價(jià)(Monthly Deals),2月份更罕見(jiàn)出現價(jià)格大幅下修。目前季跌幅從原先預估的25%調整至逼近30%,是繼2011年以來(lái)單季最大跌幅?! RAMeXchange指出,從市場(chǎng)面來(lái)觀(guān)察,整體合約價(jià)自去年第四季開(kāi)始下跌,隨后庫存水位持續攀升。近期DRAM原廠(chǎng)庫存(含wafer bank)普遍來(lái)到至少一個(gè)半月的高水位。同時(shí),Intel低
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中國將增加在美半導體采購量?韓媒:不太容易

  •   據businesskorea報道,中國計劃在未來(lái)六年內將在美國的半導體采購增加到2000億美元(約合225.9萬(wàn)億韓元),大約是目前水平的五倍?! ∪欢?,許多專(zhuān)家表示,美國急于遏制中國的半導體野心,不太可能接受中國的提議,因為它將增加對中國的半導體依賴(lài)?! №n國企業(yè)對該計劃持謹慎態(tài)度,主要有兩個(gè)原因?! ∈紫?,中國沒(méi)有提及將購買(mǎi)哪一種半導體。一家韓國半導體公司的高級官員表示:“中國沒(méi)有說(shuō)明將進(jìn)口何種半導體芯片,無(wú)論是內存、中央處理器(CPU)還是系統半導體芯片。在這種情況下,很難預測對韓國企業(yè)的影響。
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