EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
lpddr5x dram
lpddr5x dram 文章 進(jìn)入lpddr5x dram技術(shù)社區
日韓貿易戰與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價(jià)格走勢,長(cháng)期須關(guān)注原廠(chǎng)庫存水位
- Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)指出,繼6月中旬東芝斷電事件后,日本政府近日宣布從7月4日起,開(kāi)始管控向南韓出口3種生產(chǎn)半導體、智能手機與面板所需的關(guān)鍵材料,造成存儲器產(chǎn)業(yè)下游模組廠(chǎng)出現提高報價(jià)狀況,然而,由于目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高,加上并非完全禁止原物料出貨,僅是申請流程延長(cháng),短期結構性供需反轉的可能性低。日韓貿易戰的爆發(fā)使得業(yè)界盛傳存儲器價(jià)格將反轉,集邦咨詢(xún)分析指出,因DRAM價(jià)格已歷經(jīng)連續三個(gè)季度快速下滑,下游
- 關(guān)鍵字: 日韓貿易戰 東芝 DRAM/NAND
國際半導體遭遇寒冬 中國存儲方隊逆勢擴張
- 在中美貿易摩擦有所緩和之際,日前紫光集團宣布組建DRAM集團,讓市場(chǎng)注意力集中到國內存儲器布局上。當前國際存儲寡頭壟斷的格局下,國內存儲方隊既要面對技術(shù)、團隊等方面的疊代差距,又要面對當前國際半導體市場(chǎng)勢弱,存儲大幅降價(jià)的風(fēng)險,迎難而上,逆勢擴張?! H半導體產(chǎn)業(yè)降溫 6月30日晚間,紫光集團宣布了組建DRAM事業(yè)群的計劃,并配套部署人事安排,深化和完善紫光集團“從芯到云”產(chǎn)業(yè)鏈的建設。而如果放眼國際,此時(shí)紫光集團布局DRAM可謂迎難而上,逆勢擴張?! 绹雽w行業(yè)協(xié)會(huì )官網(wǎng)最新統計,5月全球半
- 關(guān)鍵字: 半導體 存儲 DRAM
MRAM技術(shù)新突破!臺灣清大團隊發(fā)表新磁性翻轉技術(shù)
- 全球各半導體大廠(chǎng)如三星、東芝、英特爾等摩拳擦掌競相投入磁阻式隨機存取存儲器(MRAM),準備在后摩爾定律世代一較高下。臺灣清華大學(xué)研究團隊最新發(fā)表以自旋流操控鐵磁-反鐵磁納米膜層的磁性翻轉,研究成果已于今年2月19日刊登于材料領(lǐng)域頂尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)?! RAM為非揮發(fā)性存儲器技術(shù),斷電時(shí)利用納米磁鐵所存儲的數據不會(huì )流失,是“不失憶”的存儲器。其結構如三明治,上層是自由翻轉的鐵磁層,可快速處理數據,底層則是釘鎖住的鐵磁層,可用作存儲數據,兩層中則有氧化層隔開(kāi)?! ∑?/li>
- 關(guān)鍵字: MRAM DRAM
集邦咨詢(xún):DRAM均價(jià)受庫存尚未去化完成影響,跌勢恐將持續至下半年

- Mar. 25, 2019 ---- 集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)指出,受庫存過(guò)高影響,DRAM第一季合約價(jià)跌幅持續擴大,整體均價(jià)已下跌逾20%。然而價(jià)格加速下跌并未刺激需求回溫,預計在庫存尚未去化完成的影響下,DRAM均價(jià)跌勢恐將持續至第三季?! 「鶕﨑RAMeXchange調查,DRAM供應商累積的庫存水位在第一季底已經(jīng)普遍超過(guò)六周 (含wafer bank),而買(mǎi)方的庫存水位雖受到不同產(chǎn)品別的影響略有增減,但平均至少達五周,在服務(wù)器以及PC客戶(hù)端甚至超過(guò)七周?! ∵M(jìn)
- 關(guān)鍵字: 集邦咨詢(xún) DRAM
中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨瓶頸,因素在于美國管制與韓國壟斷
- 根據韓國媒體《BusinessKorea》的報導指出,中國一直企望發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè),但在近期受到韓國存儲器大廠(chǎng)三星與SK海力士在市場(chǎng)壟斷與持續技術(shù)精進(jìn)下,加上美國對知識產(chǎn)權的嚴密保護,其目的將難以達成?! 髮е赋?,2018年10月份,在中國NANDFlash快閃存儲器技術(shù)上領(lǐng)先的長(cháng)江存儲(YMTC)發(fā)布了自行研發(fā)的32層堆疊產(chǎn)品之后,當時(shí)就宣布將在2020年時(shí)跳過(guò)64層及96層堆疊的產(chǎn)品,直接發(fā)展128層堆疊的產(chǎn)品。由于韓國的存儲器龍頭廠(chǎng)三星,早在2014年就已經(jīng)推出了32層堆疊的NANDFlash快
- 關(guān)鍵字: DRAM NANDFlash
DRAM價(jià)格暴跌 韓國前景“一片烏云”
- 根據據韓媒《韓鮮日報》報導,DRAM的價(jià)格接連下跌,零售的計算機用DRAM價(jià)格最終也下跌到5萬(wàn)韓元以下,這樣的走勢比預期要快許多,預計今年出口的前景也不樂(lè )觀(guān)?! ≡陧n國電子產(chǎn)品價(jià)格比較網(wǎng)“Danawa”上,本月6日三星電子DDR48GBPC4-21300DRAM價(jià)格是4萬(wàn)8900韓元,已經(jīng)下跌到5萬(wàn)韓元以下,與去年4月9萬(wàn)9270韓元的高點(diǎn)相比下跌了50.7%?! 2B(企業(yè)間交易)市場(chǎng)價(jià)格指標也呈暴跌的趨勢,據市調公司DRAMeXchange指出,2月底的DDR48Gb的固定交易價(jià)格是比起今年1月
- 關(guān)鍵字: DRAM SK海力士
DRAM大幅跌價(jià) 三星的半導體老大位置懸了

- 據市調機構DRAMeXchange公布的調查報告指,今年以來(lái)DRAM內存價(jià)格大幅下跌,其估算一季度的跌幅從預期的25%擴大至30%,這對于依靠存儲芯片取得了全球半導體老大位置的三星來(lái)說(shuō)顯然不是好消息,其或因存儲芯片價(jià)格持續下跌導致位置不保?! 〈鎯π酒瑑r(jià)格持續上漲助三星取代Intel 自2016年以來(lái),受PC、智能手機等產(chǎn)品對存儲芯片需求不斷擴大,PC正將機械硬盤(pán)轉換為速度更快的SSD硬盤(pán)、DRAM內存的容量在不斷增大,智能手機的閃存和內存容量也在不斷擴大,存儲芯片價(jià)格進(jìn)入了快速上漲的階段?! ∽鳛?/li>
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM
集邦咨詢(xún):第一季DRAM合約價(jià)大幅下修,創(chuàng )8年以來(lái)最大跌幅
- Mar. 5, 2019 ---- 根據集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調查,由于供過(guò)于求的市況,DRAM產(chǎn)業(yè)大部分交易已經(jīng)改為月結價(jià)(Monthly Deals),2月份更罕見(jiàn)出現價(jià)格大幅下修。目前季跌幅從原先預估的25%調整至逼近30%,是繼2011年以來(lái)單季最大跌幅?! RAMeXchange指出,從市場(chǎng)面來(lái)觀(guān)察,整體合約價(jià)自去年第四季開(kāi)始下跌,隨后庫存水位持續攀升。近期DRAM原廠(chǎng)庫存(含wafer bank)普遍來(lái)到至少一個(gè)半月的高水位。同時(shí),Intel低
- 關(guān)鍵字: DRAM
中國將增加在美半導體采購量?韓媒:不太容易
- 據businesskorea報道,中國計劃在未來(lái)六年內將在美國的半導體采購增加到2000億美元(約合225.9萬(wàn)億韓元),大約是目前水平的五倍?! ∪欢?,許多專(zhuān)家表示,美國急于遏制中國的半導體野心,不太可能接受中國的提議,因為它將增加對中國的半導體依賴(lài)?! №n國企業(yè)對該計劃持謹慎態(tài)度,主要有兩個(gè)原因?! ∈紫?,中國沒(méi)有提及將購買(mǎi)哪一種半導體。一家韓國半導體公司的高級官員表示:“中國沒(méi)有說(shuō)明將進(jìn)口何種半導體芯片,無(wú)論是內存、中央處理器(CPU)還是系統半導體芯片。在這種情況下,很難預測對韓國企業(yè)的影響。
- 關(guān)鍵字: NAND DRAM
lpddr5x dram介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條lpddr5x dram!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對lpddr5x dram的理解,并與今后在此搜索lpddr5x dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對lpddr5x dram的理解,并與今后在此搜索lpddr5x dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
