美光宣布量產(chǎn)第3代10納米級制程DRAM

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根據國外科技媒體《Anandtech》的報導指出，日前美系存儲器大廠(chǎng)美光科技(Micron)正式宣布，將采用第3代10納米級制程(1Znm)來(lái)生產(chǎn)新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來(lái)生產(chǎn)的DRAM將會(huì )是16GB的DDR4及LPDDR4X存儲器。對此，市場(chǎng)預估，美光的該項新產(chǎn)品還會(huì )在2019年底前，在美光位于中國臺灣臺中的廠(chǎng)區內建立量產(chǎn)產(chǎn)線(xiàn)。

報導指出，美光指出，與第2代10納米級（1ynm）制程相比，美光的第3代10納米級制程(1Znm)DRAM制造技術(shù)將使該公司能夠提高其DRAM的位元密度，從而增強性能，并且降低功耗。此外，以第3代10納米級制程所生產(chǎn)新一代DRAM，與同樣為16GB DDR4的產(chǎn)品來(lái)比較，功耗較第2代10納米級制程產(chǎn)品低40%。

另外，在16GB LPDDR4X DRAM方面，1Znm制程技術(shù)將較1Ynm制程技術(shù)的產(chǎn)品節省高達10%的功率。而且，由于1Znm制程技術(shù)提供的位元密度更高，這使得美光可以降低生產(chǎn)成本，未來(lái)使得存儲器更加便宜。

報導進(jìn)一步指出，美光本次并沒(méi)有透露其16Gb DDR4 DRAM的傳輸速度為何，但根據市場(chǎng)預計，美光的新一代1Znm制程DRAM存儲器將會(huì )符合JEDEC制定的官方標準規格。而首批使用美光新一代1Znm制程16GB DDR4存儲器的設備將會(huì )是以桌上型電腦、筆記型電腦、工作站的高容量存儲器模組為主。

至于，在行動(dòng)存儲器方面，根據美光公布的資料顯示，1Znm制程的16GB LPDDR4X存儲器的傳輸速率最高可達4266 MT/s。此外，除了為高端智能手機提供高達16GB（8×16Gb）LPDDR4X的DRAM模組外，美光還將提供基于UFS規格的多存儲器模組（uMCP4），其中內含NAND Flash和DRAM。而美光針對主流手機的uMCP4系列產(chǎn)品將包括64GB＋3GB至256GB＋8GB（NAND＋DRAM）等規格。

雖然美光沒(méi)有透露其采用1Znm技術(shù)的16GB DDR4和LPDDR4X存儲器將會(huì )在哪里生產(chǎn)，不過(guò)市場(chǎng)分析師推測，美光其在日本廣島的工廠(chǎng)將會(huì )采用最新的制造技術(shù)開(kāi)始批量生產(chǎn)，而在此同時(shí)，也期待2019年底前在臺灣臺中附近的美光臺灣晶圓廠(chǎng)將開(kāi)始營(yíng)運1Znm制程技術(shù)的生產(chǎn)線(xiàn)。