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lpddr5x dram 文章 進(jìn)入lpddr5x dram技術(shù)社區
LPDDR5X標準與LPDRR5對比：帶寬增至8533Mbps
- 2021年7月28日，JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì )于發(fā)布了關(guān)于 LPDDR5 內存芯片的最新標準，標準號 JESD209-5B。新版標準針對目前已經(jīng)應用的 LPDDR5 內存提供了新的規格，提高了性能，降低了功耗以及增強了兼容性。此外，還包含下一代 LPDDR5X 內存標準。新標準表示，LPDDR5/LPDDR5X 旨在提高內存速率和效率，適用于 5G 智能手機等產(chǎn)品。具體來(lái)看：（1）LPDDR5X 將實(shí)現最高 8533 Mbps 的速率；（2）信號 TX/RX 發(fā)射或接收需要有更高的完整性；（3）新增 Ad
- 關(guān)鍵字： LPDDR5 LPDDR5X 內存
三星LPDDR5X內存來(lái)了：比LPDDR5快約1.2倍
- 2022年3月3日 三星半導體官方微博宣布，三星首款基于14nm的LPDDR5X內存已在高通驍龍移動(dòng)平臺上驗證使用。三星表示，三星與高通公司密切合作，7.5Gbps的LPDDR5X用于驍龍移動(dòng)平臺。LPDDR5X的速度比目前高端智能手機上的LPDDR5 (6.4Gbps)快約1.2倍，有望在下一代智能手機上提升超高分辨率視頻錄制性能和語(yǔ)音識別、圖像識別、自然語(yǔ)言處理等人工智能功能。此外，三星LPDDR5X內存采用先進(jìn)的電路設計和動(dòng)態(tài)電壓頻率縮放，功耗可降低約20%。三星半導體執行副總裁兼內存全球銷(xiāo)售和營(yíng)銷(xiāo)
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三星LPDDR5X DRAM已在高通驍龍移動(dòng)平臺上驗證使用
- 今日三星宣布，高通技術(shù)公司(Qualcomm Technologies, Inc.)已經(jīng)驗證了三星14納米(nm) 16Gb低功耗雙倍數據速率5X (LPDDR5X) DRAM，并應用于高通技術(shù)公司的驍龍(Snapdragon?)移動(dòng)平臺。自去年11月開(kāi)發(fā)出三星首款基于14nm的LPDDR5X DRAM以來(lái)，三星與高通技術(shù)公司密切合作，優(yōu)化7.5千兆比特每秒(Gbps)的LPDDR5X，用于驍龍移動(dòng)平臺。LPDDR5X的速度比目前高端智能手機上的LPDDR5 (6.4Gbps)快約1.2倍，有
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微結構不均勻性（負載效應）及其對器件性能的影響：對先進(jìn)DRAM工藝中有源區形狀扭曲的研究
- 隨著(zhù)晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進(jìn)的DRAM，晶體管的有源區 (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在DRAM結構中，電容存儲單元的充放電過(guò)程直接受晶體管所控制。隨著(zhù)晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進(jìn)的DRAM，晶體管的有源區 (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在本研究中，我們將為大家呈現，如何利用SEMulator3D研究先進(jìn)DR
- 關(guān)鍵字： DRAM 微結構
美光確認EUV工藝DRAM 2024年量產(chǎn)：1γ節點(diǎn)導入
- 三星、SK海力士及美光確定未來(lái)會(huì )用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內存在2024年量產(chǎn)。芯研所8月21日消息，CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進(jìn)入7nm之后，EUV光刻工藝不可或缺。目前內存停留在10nm工藝級別。三星、SK海力士及美光也確定未來(lái)會(huì )用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內存在2024年量產(chǎn)。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪(fǎng)中確認，美光已將EUV技術(shù)納入DRAM技術(shù)藍圖，將由10nm世代中的1γ（gamma）工藝節點(diǎn)開(kāi)始導入。美光EUV工藝DRAM將會(huì )先在臺中A3廠(chǎng)生產(chǎn)，預
- 關(guān)鍵字： 美光 EUV DRAM
TrendForce：第四季PC DRAM合約價(jià)將轉跌0~5%
- 根據TrendForce調查，第三季PC DRAM合約價(jià)格的議定大致完成，受惠于DRAM供貨商的庫存量偏低以及旺季效應，本季合約價(jià)調漲3~8%，但相較第二季25%的漲幅已大幅收斂。然約自七月初起，DRAM現貨市場(chǎng)已提前出現PC DRAM需求疲弱的態(tài)勢。賣(mài)方積極調節手上庫存，持續降價(jià)求售。合約市場(chǎng)方面，先前PC OEMs因擔憂(yōu)長(cháng)短料問(wèn)題而大量備料，使DRAM庫存已達高水位，庫存迭高問(wèn)題成為漲價(jià)的阻力，再加上歐美逐步解封可能使筆電需求降低，進(jìn)而拉低PC DRAM的總需求量。因此，預估PC DRAM合約價(jià)于第四
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三星將在不久后開(kāi)始生產(chǎn)768GB DDR5內存條
- 三星電子昨天公布了其2021年第二季度的收益。該公司整體表現良好，其內存業(yè)務(wù)也不例外。該公司預計該部門(mén)將持續增長(cháng)，尤其是針對高端服務(wù)器和高性能計算（HPC）市場(chǎng)的DRAM產(chǎn)品。這就是為什么三星一直在推動(dòng)其用于此類(lèi)用途的高密度內存模塊，該公司最近發(fā)布了業(yè)界首個(gè)512GB DDR5 DRAM模塊，從任何角度看都是一個(gè)真正的高容量解決方案?！ 〉聦?shí)證明，這家韓國巨頭可能還不滿(mǎn)足，因為它計劃在不久的將來(lái)的某個(gè)時(shí)候更進(jìn)一步，生產(chǎn)768GB DDR5模塊，也就是使用24Gb DRAM芯片。這可以從該公司的財報電
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EUV技術(shù)開(kāi)啟DRAM市場(chǎng)新賽程
- SK海力士公司在7月12日表示，本月已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)10納米8Gb LPDDR4移動(dòng)DRAM —— 他們將在該內存芯片生產(chǎn)中應用極紫外（EUV）工藝，這是SK海力士首次在其DRAM生產(chǎn)中應用EUV。根據SK海力士的說(shuō)法，比起前一代規格的產(chǎn)品，第四代在一片晶圓上產(chǎn)出的DRAM數量增加了約25%，成本競爭力很高。新的芯片將在今年下半年開(kāi)始供應給智能手機制造商，并且還將在2022年初開(kāi)始生產(chǎn)的DDR5芯片中應用10納米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士發(fā)布聲明，正式啟用EUV光刻機閃存內存芯片，批量生產(chǎn)采用
- 關(guān)鍵字： EUV DRAM
SK海力士開(kāi)始量產(chǎn)采用EUV技術(shù)的第四代10納米級DRAM
- SK海力士宣布已于7月初開(kāi)始量產(chǎn)適用第四代10納米（1a）級工藝的?8Gigabit（Gb）?*LPDDR4 移動(dòng)端DRAM產(chǎn)品。* LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 專(zhuān)為移動(dòng)終端開(kāi)發(fā)的低功耗DRAM規格?！癉DR” 為電子工程設計發(fā)展聯(lián)合協(xié)會(huì )(Joint Electron Device Engineering Council，簡(jiǎn)稱(chēng)JEDEC)規定的DRAM規格標準名稱(chēng)，DDR1-2-3-4為其順序進(jìn)行換代。?圖1.
- 關(guān)鍵字： SK海力士 10納米 DRAM
美光力推業(yè)界首款176層NAND與 1α DRAM 技術(shù)創(chuàng )新
- 近日，在一年一度的COMPUTEX 2021線(xiàn)上主題演講中，美光總裁兼首席執行官 Sanjay Mehrotra代表美光發(fā)布多項產(chǎn)品創(chuàng )新，涵蓋基于其業(yè)界領(lǐng)先的 176 層 NAND 及 1α (1-alpha) DRAM 制程的內存和存儲創(chuàng )新產(chǎn)品，并推出業(yè)界首款面向汽車(chē)應用的通用閃存 (UFS) 3.1 解決方案。這些創(chuàng )新產(chǎn)品和創(chuàng )新技術(shù)體現了美光通過(guò)內存和存儲創(chuàng )新加速數據驅動(dòng)洞察的愿景，從而助力數據中心和智能邊緣的創(chuàng )新，突出了內存和存儲在幫助企業(yè)充分發(fā)揮數據經(jīng)濟潛能方面的核心作用。在新的數據經(jīng)濟背后，有一
- 關(guān)鍵字： 美光 176層NAND 1α DRAM
美光專(zhuān)家對1α節點(diǎn)DRAM的解答
- 2021 年1 月，美光科技宣布批量出貨基于1α(1-alpha) 節點(diǎn)的DRAM產(chǎn)品，是目前世界上最為先進(jìn)的DRAM 技術(shù)，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。為此，《電子產(chǎn)品世界》記者采訪(fǎng)了公司DRAM 制程集成副總裁Thy Tran 女士。美光DRAM制程集成副總裁Thy Tran1? ?1α節點(diǎn)技術(shù)1α 節點(diǎn)DRAM 相當于10 nm 的第四代，其最小特征尺寸（通常是指內存陣列激活區半間距）在(10~19) nm之間。要做到這一點(diǎn)，需要大幅縮小位線(xiàn)和字線(xiàn)間距——可以說(shuō)是收縮
- 關(guān)鍵字： 202104 DRAM
2021年DRAM與NAND增長(cháng)快，美光領(lǐng)跑研發(fā)與新技術(shù)
- 近日，美光在業(yè)界率先推出 1α DRAM 制程技術(shù)。值此機會(huì )，該公司舉辦了線(xiàn)上媒體溝通會(huì )，執行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana 先生介紹了對DRAM、NAND的市場(chǎng)預測，以及美光的研發(fā)、資本支出、產(chǎn)品布局等。執行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana1? ?2021年DRAM和NAND將增長(cháng)19%展望2021年，全球GDP增長(cháng)約5%。而根據不同分析師的預測，半導體產(chǎn)業(yè)預計增長(cháng)可達12%，整個(gè)半導體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值將達5020億美元。其中，內存與存儲預計增長(cháng)可達19%，增度遠超整
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
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