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兩大新技術(shù)加持 三星二代10納米DRAM量產(chǎn)搶商機
- 搶攻DRAM市場(chǎng)商機，三星電子(Samsung Electronics)宣布量產(chǎn)其第二代10奈米等級(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 該組件采用高敏感度的單元數據感測系統(Cell Data Sensing System)及「空氣間隔」(Air Spacer)解決方案，以達更高效能、更低功耗，以及更小的體積。 DRAM市場(chǎng)表現強勁，IC Insights預估，2017年DRAM市場(chǎng)將激增74%，為1994年以來(lái)最大增幅;未來(lái)DRAM預計將成為至今半導體產(chǎn)業(yè)內最大的單一產(chǎn)品類(lèi)別，產(chǎn)值高
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
兩大新技術(shù)加持 三星二代10納米DRAM量產(chǎn)搶商機
- 搶攻DRAM市場(chǎng)商機，三星電子(Samsung Electronics)宣布量產(chǎn)其第二代10奈米等級(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 該組件采用高敏感度的單元數據感測系統(Cell Data Sensing System)及「空氣間隔」(Air Spacer)解決方案，以達更高效能、更低功耗，以及更小的體積。 DRAM市場(chǎng)表現強勁，IC Insights預估，2017年DRAM市場(chǎng)將激增74%，為1994年以來(lái)最大增幅;未來(lái)DRAM預計將成為至今半導體產(chǎn)業(yè)內最大的單一產(chǎn)品類(lèi)別，產(chǎn)值高
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR4
明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求
- 內存明年市況恐將不同調，DRAM市場(chǎng)仍將持續吃緊，NAND Flash市場(chǎng)則將于明年上半年轉為供過(guò)于求。 DRAM 與 NAND Flash 市場(chǎng)今年都處于供不應求狀態(tài)，產(chǎn)品價(jià)格同步高漲，只是業(yè)界普遍預期，明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調。 內存模塊廠(chǎng)創(chuàng )見(jiàn)指出，DRAM 市場(chǎng)供貨持續吃緊，價(jià)格未見(jiàn)松動(dòng)跡象。 NAND Flash 方面，隨著(zhù) 3D NAND Flash 技術(shù)日益成熟，生產(chǎn)良率改善，可望填補供貨缺口。 另一內存模塊廠(chǎng)威剛表示，短期內全球 DRAM
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
5nm工藝可能無(wú)法實(shí)現？存儲器除了3D NAND還有其他選擇？看這4個(gè)技術(shù)老兵怎么說(shuō)
- 5nm以下的工藝尺寸縮減邏輯;DRAM、3DNAND和新型存儲器的未來(lái);太多可能解決方案帶來(lái)的高成本。 近日，外媒SE組織了一些專(zhuān)家討論工藝尺寸如何繼續下探、新材料和新工藝的引入帶來(lái)哪些變化和影響，專(zhuān)家團成員有LamResearch的首席技術(shù)官RickGottscho、GlobalFoundries先進(jìn)模塊工程副總裁MarkDougherty、KLA-Tencor的技術(shù)合伙人DavidShortt、ASML計算光刻產(chǎn)品副總裁GaryZhang和NovaMeasuringInstruments的首
- 關(guān)鍵字： 5nm DRAM
再進(jìn)一步，三星發(fā)布最強10nmDRAM芯片
- 根據三星最新財報顯示，三星Q3凈利潤更是高達98.7億美元，增長(cháng)145%，季度凈利直逼蘋(píng)果，成為世界最賺錢(qián)的兩家公司之一。而耀眼財報的背后，其半導體業(yè)務(wù)起著(zhù)舉足輕重的作用。 昨日半導體產(chǎn)業(yè)曝出一條最大新聞——“ 三星電子全球首發(fā)第二代10納米級DRAM產(chǎn)品。” 三星在聲明中稱(chēng)，這是全球第一個(gè)第二代10納米級8Gb DDR4 DRAM芯片，擁有強化的節能效率和資料處理效能，將鎖定云端運算中心、移動(dòng)設備和高速繪圖卡等高階大數據處理的電子設備。
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
三星DRAM“霸主”地位難撼動(dòng)！已開(kāi)發(fā)出全球最小DRAM內存芯片
- 繼 2016 年 2 月三星使用第一代 10nm 制程工藝生產(chǎn)出了 8Gb DDR4 芯片之后，三星電子今日又宣布已開(kāi)始通過(guò)第二代 10nm 制程工藝生產(chǎn) 8Gb DDR4 芯片。另?yè)吠干鐖蟮?，三星開(kāi)發(fā)的 8Gb DDR4 芯片是“全球最小”的 DRAM 芯片。 據悉，和第一代 10nm 工藝相比，三星第二代 10nm 工藝的產(chǎn)能提高了 30%，有助于公司滿(mǎn)足全球客戶(hù)不斷飆升的 DRAM 芯片需求。此外，第二代 10nm 芯片不僅比第一代快 10%，同時(shí)功耗又降低了 1
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
第四季DRAM銷(xiāo)售額預估年增65%,明年首季確定再漲
- DRAM 內存市場(chǎng)近期嚴重供不應求，造成全球內存龍頭三星將于 2018 年第 1 季價(jià)格再上調 3% 至 5%。 而另一家內存大廠(chǎng) SK 海力士也將調漲約 5%。 除此之外，有部分供應鏈透露，2018 年第 2 季的價(jià)格恐也將不樂(lè )觀(guān)，價(jià)格將續漲 5% 以上。 因此，在需求太強勁的情況下，此波 DRAM 價(jià)格從 2016年下半年以來(lái)，每季都呈現上漲的態(tài)勢。 如果加上 2018 年第 1 季持續漲價(jià)，報價(jià)已經(jīng)連續 7 季走揚，堪稱(chēng) DRAM 史上時(shí)間最長(cháng)的多頭行情。 事實(shí)上，當前的第 4 季是傳統
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR4
第四季DRAM銷(xiāo)售額預估年增65%，再寫(xiě)史上新高
- 今年內存供給吃緊，推升價(jià)格持續走揚，研調機構IC Insights預期第四季DRAM銷(xiāo)售金額將創(chuàng )歷史新高。 據IC Insights估計，第四季DRAM銷(xiāo)售金額將來(lái)到211億美元，較去年同期跳增65%，且是有史以來(lái)最佳記錄。 全年來(lái)看，DRAM市場(chǎng)預估成長(cháng)74%，較1993-2017年平均水平高61個(gè)百分點(diǎn)，也是繼1994年成長(cháng)78%以來(lái)最強成長(cháng)動(dòng)能。 許多因素造就今年內存走大多頭，當中包含近幾年主要內存廠(chǎng)刻意節制擴產(chǎn)動(dòng)作，同期間剛好又遇上數據中心、行動(dòng)與游戲設備對高效能內存的需求大
- 關(guān)鍵字： DRAM
南亞科：明年DRAM市場(chǎng)穩健，Q1供貨仍吃緊
- 今年DRAM市場(chǎng)強勁成長(cháng)，南亞科技(2408)預期2017年第四季及2018年第一季供貨將持續吃緊，DRAM平均銷(xiāo)售單價(jià)走勢穩健;展望2018，預期明年整體DRAM市場(chǎng)供需均衡且健康，市場(chǎng)將持續維持穩健。 隨著(zhù)人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、智能汽車(chē)、高速運算等應用，促進(jìn)半導體產(chǎn)業(yè)更多元發(fā)展，DRAM成為電子產(chǎn)品的關(guān)鍵組件，帶動(dòng)今年內存市場(chǎng)強勁成長(cháng)逾50%。 展望2018年，南亞科預期DRAM資本支出主要用于先進(jìn)制程轉換及維持原有月產(chǎn)能，DRAM位年成長(cháng)率在20%~25%，預估2018年需求將較2017
- 關(guān)鍵字： 南亞科 DRAM
研調：預計2017年DRAM市場(chǎng)銷(xiāo)售額增長(cháng)74％至720億美元
- 縱觀(guān)2017年，隨著(zhù)數據中心、服務(wù)器、智能手機和其他移動(dòng)產(chǎn)品對DRAM需求不斷提升，DRAM產(chǎn)能供不應求，平均售價(jià)也在持續上漲。如圖1所示，IC Insights預計2017年第四季度DRAM銷(xiāo)售額將增至211億美元的歷史最好成績(jì)，與2016年第四季度的128億美元相比增長(cháng)65%。 圖1 2015Q1-2017Q4的DRAM季度營(yíng)收 IC Insights預計2017年全年DRAM的銷(xiāo)售額將達720億美元，年增長(cháng)率達74%。這是自1993年(1994年的年增長(cháng)率為78%)以來(lái)的歷史最好
- 關(guān)鍵字： DRAM
2021年全球IC市場(chǎng)規模4345億美元 汽車(chē)與物聯(lián)網(wǎng)IC應用成長(cháng)最快
- 調研機構IC Insights最新報告預估，全球整體IC市場(chǎng)規模將由2016年的2,977億美元，成長(cháng)為2021年的4,345億美元。合計2016~2021年規模年復合成長(cháng)率(CAGR)為7.9%。 在12類(lèi)IC終端應用主要產(chǎn)品中，僅游戲機與平板電腦產(chǎn)品用IC市場(chǎng)規模會(huì )出現下滑，其余如汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)連結、手機等IC應用市場(chǎng)規模都會(huì )呈現成長(cháng)。其中以車(chē)用與物聯(lián)網(wǎng)連結用IC市場(chǎng)規模成長(cháng)最快，成長(cháng)幅度較整體IC高出70%。 預估2017年全球車(chē)用IC市場(chǎng)規模，將繼2016年成長(cháng)11%(達2
- 關(guān)鍵字： 物聯(lián)網(wǎng) DRAM
DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長(cháng)
- DRAM嚴重供不應求，三星明年首季再漲價(jià)3%至5%之后，SK海力士 下季也將漲價(jià)約5%，全球DRAM價(jià)格連續七季上揚，是歷來(lái)漲勢最久的一次。 業(yè)界解讀，三星、海力士下季漲價(jià)態(tài)度堅決，等于向全球宣告，韓系大廠(chǎng)決定維持DRAM價(jià)格持穩不墜的決心，消除外界認為兩大韓廠(chǎng)打算調降售價(jià)格，防止中國DRAM競爭對手竄起的流言。 手機中國聯(lián)盟秘書(shū)長(cháng)王艷輝認為，有人說(shuō)三星瘋狂擴產(chǎn)存儲器是為了將中國存儲器產(chǎn)業(yè)扼殺在萌芽，有點(diǎn)太看得起自己，雖然明年大陸存儲器產(chǎn)業(yè)開(kāi)始進(jìn)入試產(chǎn)階段，要與三星、海力士抗衡，至少還需要
- 關(guān)鍵字： DRAM
馮丹：憶阻器RRAM最有希望取代DRAM
- 日前，一年一度的中國存儲峰會(huì )在北京如期舉行，“數據中流擊水，浪遏飛舟”是今年大會(huì )主題，論道存儲未來(lái)，讓數據釋放價(jià)值，業(yè)界嘉賓圍繞中國及全球存儲市場(chǎng)的現狀與發(fā)展趨勢進(jìn)行了深入解讀，干貨滿(mǎn)滿(mǎn)。下午第三分論壇，中國計算機協(xié)會(huì )信息存儲專(zhuān)委會(huì )主任馮丹作為開(kāi)場(chǎng)嘉賓，就算存融合的憶阻器發(fā)展趨勢及RRAM(阻變存儲器)性能優(yōu)化方法展開(kāi)主題演講。馮丹表示，當前憶阻器呈現出大容量、計算與存儲深度融合的發(fā)展趨勢，而RRAM容量很大，速度快、能耗低，RRAM也認為是下一代代替DRAM(動(dòng)態(tài)隨機存儲器)
- 關(guān)鍵字： RRAM DRAM
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