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lpddr5x dram 文章 進(jìn)入lpddr5x dram技術(shù)社區
DRAM漲風(fēng)不停 逐漸壓抑市場(chǎng)需求
- 2017年1月與2018年1月DRAM每Gb價(jià)格一直在急劇上升，電子系統制造商目前正在爭先恐后地調整和適應DRAM價(jià)格的飛漲。
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2017年第四季服務(wù)器DRAM營(yíng)收成長(cháng)約13.9%
- 根據集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)調查顯示，回顧2017年第四季，其中北美數據中心的需求持續強勁，即使原廠(chǎng)透過(guò)產(chǎn)品線(xiàn)調整，但仍無(wú)法有效紓解市場(chǎng)供給吃緊的狀況。Server DRAM受惠平均零售價(jià)(Average Selling Price)的上揚，三大DRAM原廠(chǎng)Server DRAM營(yíng)收季成長(cháng)約13.9%。 DRAMeXchange資深分析師劉家豪指出，進(jìn)入2018年第一季，在服務(wù)器出貨動(dòng)能不減的情況下，整體Server DRAM供不應求的市況依然持續，而Server DR
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2017年第四季服務(wù)器DRAM營(yíng)收成長(cháng)約13.9%
- 根據集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)調查顯示，回顧2017年第四季，其中北美數據中心的需求持續強勁，即使原廠(chǎng)透過(guò)產(chǎn)品線(xiàn)調整，但仍無(wú)法有效紓解市場(chǎng)供給吃緊的狀況。Server DRAM受惠平均零售價(jià)(Average Selling Price)的上揚，三大DRAM原廠(chǎng)Server DRAM營(yíng)收季成長(cháng)約13.9%。 DRAMeXchange資深分析師劉家豪指出，進(jìn)入2018年第一季，在服務(wù)器出貨動(dòng)能不減的情況下，整體Server DRAM供不應求的市況依然持續，而Server DR
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IEK:DRAM去年單價(jià)上漲55%,今年再漲32%
- 工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟與趨勢研究中心(IEK)引用市調機構調查報告指出，去年全球DRAM價(jià)量飆揚，產(chǎn)值年增達約77%、達725億美元，平均銷(xiāo)售單價(jià)上漲55%;今年預估還是供不應求，雖然漲幅力道不如去年大，但在主要供貨商仍有節制增產(chǎn)下， 預估今年平均銷(xiāo)售單價(jià)仍會(huì )漲逾32%，年產(chǎn)值估約年增23%、達近900億美元，為歷年來(lái)新高。 IEK看好今年內存仍將會(huì )是價(jià)量齊揚的一年，主因人工智能將從云端運算往下落到邊緣運算，預估到2022年，將會(huì )有高達75%的數據處理工作不在云端數據中心完成， 而是透過(guò)靠近用戶(hù)的邊緣運
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海力士：去年第四季DRAM平均價(jià)格漲9%
- 全球第二大內存芯片廠(chǎng)韓國SK海力士受惠DRAM價(jià)格大漲，以及市況持續暢旺，去年第4季獲利創(chuàng )單季新高，看好今年服務(wù)器內存需求持續強勁。 市調機構集邦則預期，盡管智能手機銷(xiāo)售不如預期，恐導致本季移動(dòng)內存合約價(jià)漲幅收斂為3%，但第2季將重啟拉貨動(dòng)能，價(jià)格仍會(huì )續漲。 SK海力士昨天舉行發(fā)布會(huì )并公布去年財報，去年第4季獲利和去年全年獲利都創(chuàng )新高。 該公司分析，去年第4季獲利創(chuàng )高，主因DRAM芯片出貨季增3%，平均價(jià)格漲9%;NAND芯片出貨增16%，均價(jià)漲4%。 SK海力士預估，2018年DRAM芯
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紫光國芯:DRAM芯片設計技術(shù)處于世界先進(jìn)水平
- 紫光國芯周一在全景網(wǎng)投資者互動(dòng)平臺上回答投資者提問(wèn)時(shí)介紹，DDR4與DDR3相比，單條容量有很大提高，可以實(shí)現較高的容量。另外，頻率和帶寬都有明顯提高。工藝的提高也會(huì )降低工作電壓，有利于更低的功耗。 同時(shí)，關(guān)于公司在國內業(yè)界、排名情況，紫光國芯介紹，公司的DRAM芯片設計技術(shù)處于世界先進(jìn)水平，國內稀缺，但目前產(chǎn)品產(chǎn)量很小，市場(chǎng)份額不大。 針對投資者關(guān)于公司DDR4存儲器芯片相比DDR3優(yōu)勢的詢(xún)問(wèn)，紫光國芯作出上述回應。 1月26日紫光國芯在互動(dòng)平臺表示，公司西安子公司從事DRAM存儲
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2018年內存產(chǎn)業(yè)DRAM/NAND Flash恐是兩樣情
- 2017年，整體內存產(chǎn)業(yè)不論DRAM或NAND Flash，都度過(guò)了一個(gè)黃金好年，那么2018年可否持續榮景呢? 綜合目前業(yè)界的看法，DRAM熱度可望延續，供不應求態(tài)勢依舊，但NAND部分，恐怕就不會(huì )那么樂(lè )觀(guān)了，由于大廠(chǎng)3D NAND良率大躍進(jìn)，供給過(guò)剩問(wèn)題已經(jīng)提前在2017年第四季引爆，至少2018年上半年恐怕都不會(huì )太理想， 最快2018年第二季供需平衡，第三季再度供給吃緊，屆時(shí)產(chǎn)業(yè)由悲轉喜。 DRAM無(wú)新增產(chǎn)能 首先就DRAM部分，以大方向來(lái)說(shuō)，2018年在Fab端并無(wú)新增產(chǎn)能，頂多就
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南亞科：DRAM上半年還會(huì )漲
- 南亞科總經(jīng)理李培瑛16日表示，今年上半年DRAM價(jià)格持續看漲，但漲幅會(huì )收斂些，下半年則仍待觀(guān)察三星、 SK海力士二大韓廠(chǎng)實(shí)際增產(chǎn)內容才能做明確分析。 目前來(lái)看，韓國二大廠(chǎng)都表明將依市場(chǎng)需求增產(chǎn)，分析DRAM產(chǎn)業(yè)到明年都可維持健康穩定。 李培瑛表示，服務(wù)器和標準型DRAM今年市場(chǎng)需求持續強勁，南亞科內部預估，今年DRAM位需求增幅約20%至25%，搭配云端數據中心對服務(wù)器DRAM需求同步暢旺，以及高端手機搭載DRAM容量攀升到4GB~6GB， 以及冬季奧運來(lái)臨，刺激電視與機頂盒等需求，帶動(dòng)利基型D
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上演第二梯隊大逆襲 武漢存儲產(chǎn)業(yè)隱現“國家隊效應”
- 武漢東湖高新區未來(lái)三路與高新大道交匯處，一個(gè)被稱(chēng)為“黃金大道”的T字形結構的芯屏組合的產(chǎn)業(yè)聚集區已悄然形成。而這其中的“1號工程”正是在中國存儲器產(chǎn)業(yè)已掀起“巨浪”的長(cháng)江存儲科技責任有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(cháng)江存儲”)。 2018年1月17日，陰冷兩天的武漢再度放晴，而長(cháng)江存儲的一期工廠(chǎng)已經(jīng)竣工，已然組建的研發(fā)團隊正在東湖高新區(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“高新區”)的另一處辦公地址加緊推進(jìn)研發(fā)工作
- 關(guān)鍵字： 集成電路 DRAM
RAM、SRAM、SSRAM、DRAM、FLASH、EEPROM......都是什么鬼？
- RAM(Random Access Memory) 隨機存儲器。存儲單元的內容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無(wú)關(guān)的存儲器。這種存儲器在斷電時(shí)將丟失其存儲內容，故主要用于存儲短時(shí)間使用的程序。 按照存儲信息的不同，隨機存儲器又分為靜態(tài)隨機存儲器(Static RAM,SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機存儲器(Dynamic RAM,DRAM)。 SRAM(Static RAM)不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。 SSRAM(Synchronous SRAM)即同步靜態(tài)隨機存
- 關(guān)鍵字： SRAM DRAM
IC Insights:DRAM今年價(jià)格將開(kāi)始下滑
- 研調機構IC Insights發(fā)布最新報告指出，DRAM廠(chǎng)于2017年第4季的銷(xiāo)售金額將創(chuàng )下歷史新高峰，預估達到211億美元，較2016年第4季的128億美元大增65%。IC Insights表示，據歷史經(jīng)驗來(lái)看，DRAM產(chǎn)業(yè)在不久的將來(lái)，可能經(jīng)歷長(cháng)期間的景氣向下格局，因隨著(zhù)DRAM產(chǎn)能增加，今年價(jià)格將開(kāi)始下滑，跌勢更恐達2年之久。 回顧2017年，受惠于數據中心需求，帶動(dòng)服務(wù)器DRAM明顯升溫，同時(shí)智能手機與其他移動(dòng)裝置產(chǎn)品采用低功耗高密度DRAM也同步成長(cháng)，2017年DRAM價(jià)格報價(jià)一路上揚
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