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Teledyne e2v宣布擴展其Flash CMOS圖像傳感器系列
- Teledyne Technologies[紐交所代碼：TDY]旗下公司、全球成像解決方案創(chuàng )新者Teledyne e2v宣布擴展其Flash? CMOS圖像傳感器系列，推出Flash 2K LSA，該產(chǎn)品專(zhuān)門(mén)適用于需要使用大沙姆角（LSA）的激光輪廓應用。Teledyne e2v的Flash系列CMOS圖像傳感器專(zhuān)為三維激光輪廓/位移應用和高速/高分辨率檢測量身定制。Flash 2K LSA是Flash 2K傳感器的衍生產(chǎn)品，適用于需要大沙伊姆弗勒角度的應用，其角度響應在30°角度下為四倍以上，在
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累計上漲100%還不停！消息稱(chēng)SK海力士將對內存等漲價(jià) 至少上調20%
- 5月6日消息，供應鏈爆料稱(chēng)，SK海力士將對旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產(chǎn)品提價(jià)，漲幅均有15%-20%。按照消息人士的說(shuō)法，海力士DRAM產(chǎn)品價(jià)格從去年第四季度開(kāi)始逐月上調，目前已累計上漲約60%-100%不等，下半年漲幅將趨緩?？恐?zhù)存儲漲價(jià)，三星電子2024年第一季營(yíng)業(yè)利潤達到了6.606萬(wàn)億韓元。財報顯示，三星電子一季度存儲業(yè)務(wù)營(yíng)收17.49萬(wàn)億韓元，環(huán)比增長(cháng)11%，同比暴漲96%，在整體的半導體業(yè)務(wù)營(yíng)收當中的占比高達75.58%。三星表示，一季度存儲市場(chǎng)總體需求強勁，特別是生
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EEPROM 和 flash 這樣講，早就懂了！
- 前幾天看到群里在討論存儲器，有些人一直搞不懂，今天給大家分享一篇文章總結一下。存儲器分為兩大類(lèi)：RAM 和 ROM。RAM 就不講了，今天主要討論 ROM。rom最初不能編程，出廠(chǎng)什么內容就永遠什么內容，不靈活。后來(lái)出現了prom，可以自己寫(xiě)入一次，要是寫(xiě)錯了，只能換一片，自認倒霉。人類(lèi)文明不斷進(jìn)步，終于出現了可多次擦除寫(xiě)入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外線(xiàn)上照一下，想一下你往單片機上下了一個(gè)程序之后發(fā)現有個(gè)地方需要加一句話(huà)，為此你要把單片機放紫外燈下照半小時(shí)
- 關(guān)鍵字： 存儲器 flash EEPROM
群聯(lián)3月?tīng)I收年增73%，創(chuàng )歷史單月新高紀錄
- 近日，存儲廠(chǎng)商群聯(lián)公布了2024年3月份營(yíng)運結果，合并營(yíng)收為新臺幣67.75億元，年成長(cháng)達73%，刷新歷史單月?tīng)I收新高紀錄。全年度營(yíng)收累計至3月份達新臺幣165.26億元，年成長(cháng)達64%，為歷史同期次高。群聯(lián)表示，2024年3月份SSD控制芯片總累計總出貨量年成長(cháng)達96%，其中PCIe SSD控制芯片總出貨量年增率達176%，刷新歷史單月新高。此外，全年度累計至3月份之整體NAND閃存位元數總出貨量的年成長(cháng)率（Bit Growth Rate）也達80%，刷新歷史同期新高，顯示整體市場(chǎng)需求持續緩步回升趨勢不
- 關(guān)鍵字： 群聯(lián) SSD固態(tài)硬盤(pán) NAND Flash
3D NAND，1000層競爭加速
- 據國外媒體Xtech Nikkei報道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術(shù)官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應用物理學(xué)會(huì )春季會(huì )議上宣布，該公司計劃到2031年批量生產(chǎn)超過(guò)1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產(chǎn)品中，NAND閃存應用幾乎無(wú)處不在。而隨著(zhù)云計算、大數據以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲產(chǎn)品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場(chǎng)的青睞。自三星2013年設計出垂直堆疊單元技術(shù)后，NAND廠(chǎng)商之間的競爭便主要集中在芯
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 存儲芯片 鎧俠
第二季NAND Flash合約價(jià)季漲13~18%，Enterprise SSD漲幅最高
- TrendForce集邦咨詢(xún)表示，除了鎧俠（Kioxia）和西部數據（WDC）自今年第一季起提升產(chǎn)能利用率外，其它供應商大致維持低投產(chǎn)策略。盡管第二季NAND Flash采購量較第一季小幅下滑，但整體市場(chǎng)氛圍持續受供應商庫存降低，以及減產(chǎn)效應影響，預估第二季NAND Flash合約價(jià)將強勢上漲約13~18%。eMMC方面，中國智能手機品牌為此波eMMC最大需求來(lái)源，由于部分供應商已降低供應此類(lèi)別產(chǎn)品，中國模組廠(chǎng)出貨大幅提升。買(mǎi)方為了滿(mǎn)足生產(chǎn)需求開(kāi)始擴大采用模組廠(chǎng)方案，助益中國模組廠(chǎng)技術(shù)進(jìn)一步升級及
- 關(guān)鍵字： TrendForce NAND Flash Enterprise SSD
西部數據NAND Flash業(yè)務(wù)拆分最新進(jìn)展，新任CEO揭曉
- 月5日，西部數據宣布，在NAND Flash業(yè)務(wù)拆分后，將保留原名，專(zhuān)注經(jīng)營(yíng)核心HDD業(yè)務(wù)，并表示這一分拆過(guò)程有望在2024年下半年完成。與此同時(shí)，將為即將分拆的閃存和傳統硬盤(pán)業(yè)務(wù)任命CEO。西部數據稱(chēng)，現任西部數據全球運營(yíng)執行副總裁 Irving Tan 將出任剩下的獨立 HDD公司的CEO，繼續以西部數據的身份運營(yíng)?，F任CEO David Goeckeler則受命轉往NAND Flash部門(mén)成立的新公司，出任新公司執行長(cháng)。圖片來(lái)源：西部數據西部數據與鎧俠合并進(jìn)展如何？據悉，自2021年以來(lái)，西部數據及
- 關(guān)鍵字： 閃存芯片 NAND Flash 西部數據
淺談因電遷移引發(fā)的半導體失效
- 前言半導體產(chǎn)品老化是一個(gè)自然現象，在電子應用中，基于環(huán)境、自然等因素，半導體在經(jīng)過(guò)一段時(shí)間連續工作之后，其功能會(huì )逐漸喪失，這被稱(chēng)為功能失效。半導體功能失效主要包括：腐蝕、載流子注入、電遷移等。其中，電遷移引發(fā)的失效機理最為突出。技術(shù)型授權代理商Excelpoint世健的工程師Wolfe Yu在此對這一現象進(jìn)行了分析。?1、?背景從20世紀初期第一個(gè)電子管誕生以來(lái)，電子產(chǎn)品與人類(lèi)的聯(lián)系越來(lái)越緊密，特別是進(jìn)入21世紀以來(lái)，隨著(zhù)集成電路的飛速發(fā)展，人們對電子產(chǎn)品的需求也變得愈加豐富。隨著(zhù)電子
- 關(guān)鍵字： 電遷移 半導體失效 世健 Microchip Flash FPGA
一季度 NAND Flash合約價(jià)預計上漲15%-20%
- 供應商為了盡量減少損失，正在推高 NAND Flash 價(jià)格。
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閃存芯片將掀起新一輪漲價(jià)潮
- 2023 下半年，以 DRAM 和 NAND Flash 為代表的存儲器報價(jià)逐步止跌回升。近期，NOR Flash 也呈現出明顯的回暖態(tài)勢，供應鏈人士透露，2024 年 1 月，預計 NOR Flash 價(jià)格將上漲 5%，并保持上漲態(tài)勢，到第二季度，漲幅將達到 10%。過(guò)去幾年，隨著(zhù)整個(gè)半導體市場(chǎng)的變化，NOR Flash 的供需和價(jià)格也是起起落落。2018 年，NOR Flash 市場(chǎng)需求較為疲軟，而供貨商的產(chǎn)能卻在持續提升，導致當年的價(jià)格進(jìn)入下行周期。經(jīng)過(guò)一年的低迷期后，NOR Flash 價(jià)格在 2
- 關(guān)鍵字： NOR Flash
NAND Flash和NOR Flash的異同
- NAND Flash和NOR Flash是兩種常見(jiàn)的閃存類(lèi)型NOR Flash是Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出來(lái)的存儲技術(shù)，改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面；NAND Flash是東芝公司于1989年發(fā)布的存儲結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級。NAND=NOT AND(與非門(mén)) &?NOR=NOT OR(或非門(mén))相同點(diǎn)· 兩者都是非易失性存儲器，可以在斷電后保持存儲的數據?！?兩者都可以進(jìn)行擦寫(xiě)和再編程?！?兩者在寫(xiě)之前都要先
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預估2024年第一季NAND Flash合約價(jià)平均季漲幅15~20%
- 據TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示，盡管適逢傳統淡季需求呈現下降趨勢，但為避免缺貨，買(mǎi)方持續擴大NAND Flash產(chǎn)品采購以建立安全庫存水位，而供應商為減少虧損，對于推高價(jià)格勢在必行，預估2024年第一季NAND Flash合約價(jià)季漲幅約15~20%。值得注意的是，NAND Flash原廠(chǎng)為減少虧損而急拉價(jià)格漲幅，但由于短期內漲幅過(guò)高，需求腳步卻跟不上，后續價(jià)格上漲仍需仰賴(lài)Enterprise SSD拉貨動(dòng)能恢復。2024年第一季供應商的投產(chǎn)步伐不一，隨著(zhù)部份供應商產(chǎn)能利用率提早拉升
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DRAM / NAND 巨頭明年加碼半導體投資：三星增加 25%、SK 海力士增加 100%
- IT之家 12 月 21 日消息，根據韓媒 ETNews 報道，三星和 SK 海力士都計劃 2024 年增加半導體設備投資。三星計劃投資 27 萬(wàn)億韓元（IT之家備注：當前約 1482.3 億元人民幣），比 2023 年投資預算增加 25%；而 SK 海力士計劃投資 5.3 萬(wàn)億韓元（當前約 290.97 億元人民幣），比今年的投資額增長(cháng) 100%。報道中指出，三星和 SK 海力士在增加半導體設備投資之外，還提高了 2024 年的產(chǎn)能目標。報道稱(chēng)三星將 DRAM 和 NAND
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集邦咨詢(xún)稱(chēng) 2024Q1 手機 DRAM、eMMC / UFS 均價(jià)環(huán)比增長(cháng) 18-23%
- IT之家 12 月 20 日消息，集邦咨詢(xún)近日發(fā)布報告，預估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash（eMMC / UFS）環(huán)比增長(cháng) 18-23%，而且不排除進(jìn)一步拉高的情況。集邦咨詢(xún)表示 2024 年第 1 季中國智能手機 OEM 的生產(chǎn)規劃依然穩健，由于存儲器價(jià)格漲勢明確，帶動(dòng)買(mǎi)方積極擴大購貨需求，以建設安全且相對低價(jià)的庫存水位。集邦咨詢(xún)認為買(mǎi)賣(mài)雙方庫存降低，加上原廠(chǎng)減產(chǎn)效應作用，這兩大因素促成這一波智能手機存儲器價(jià)格的強勁漲勢。集邦咨詢(xún)認為明年第 1 季
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明年半導體暴增20%，哪些賽道市場(chǎng)回暖？
- 今年的半導體可謂寒風(fēng)瑟瑟，市場(chǎng)下滑的消息從年頭傳到年尾，半導體企業(yè)也疲于應對蕭瑟的市場(chǎng)環(huán)境，不斷傳出減產(chǎn)、虧損的消息。熬過(guò)冬就是春，最近的半導體市場(chǎng)總算是迎來(lái)了一些好消息。IDC 最新的預測，認為半導體市場(chǎng)已經(jīng)觸底，明年開(kāi)始半導體將會(huì )加速恢復增長(cháng)。在它的預測中，2023 年全球半導體市場(chǎng)收入從 5188 億美元上調至 5265 億美元，2024 年收入預期也從 6259 億美元上調至 6328 億美元。到明年，全球半導體收入將同比增長(cháng) 20.2%。IDC 全球半導體供應鏈技術(shù)情報研究經(jīng)理 Rudy Tor
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flash介紹
閃存（Flash ROM）：
是一種電擦除非易失型存儲器，由浮柵型場(chǎng)效應管構成，寫(xiě)入時(shí)，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時(shí)，則利用高壓下的隧道效應，使浮柵失去電子。
FLASH閃存是半導體技術(shù)，內部是相對靜態(tài)的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導體技術(shù)發(fā)展很快，價(jià)格下降也很快，這是目前的MP3大多數是用FLASH閃存的原因。
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