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大容量NOR Flash與8位單片機的接口設計
- Flash存儲器又稱(chēng)閃速存儲器，是20世紀80年代末逐漸發(fā)展起來(lái)的一種新型半導體不揮發(fā)存儲器。它兼有RAM和ROM的特點(diǎn)，既可以在線(xiàn)擦除、改寫(xiě)，又能夠在掉電后保持數據不丟失。NOR Flash是Flash存儲器中最早出現的一個(gè)品種，與其他種類(lèi)的Flash存儲器相比具有以下優(yōu)勢：可靠性高、隨機讀取速度快，可以單字節或單字編程，允許CPU直接從芯片中讀取代碼執行等。因此NOR Flash存儲器在嵌入式系統應用開(kāi)發(fā)中占有非常重要的地位。本文以SST公司的NOR Flash芯片SST39SF040和MCS-51單
- 關(guān)鍵字： NOR Flash 接口 單片機
麥格理分析師：DRAM和Flash價(jià)格會(huì )持續漲到年底
- 據外媒報道，存儲芯片市場(chǎng)上周出現降溫雜音，麥格理分析師Daniel Kim提出反駁。 他認為下半年DRAM和NAND價(jià)格仍會(huì )續漲，有利美光、西部數據、三星、南亞科、力成、東芝和SK海力士股價(jià)。 據巴隆周刊(Barron's)報導，Daniel Kim發(fā)布報告說(shuō)：「所有數據和消息都表明存儲芯片市場(chǎng)今年下半年會(huì )比預期更強。 」他看好存儲芯片價(jià)格會(huì )持續漲到今年底。 整體來(lái)說(shuō)，Daniel Kim認為芯片價(jià)格上漲，即暴露看空論點(diǎn)的瑕疵。 他指出，建構數據中心的廠(chǎng)商「重視的是系統的表現而
- 關(guān)鍵字： DRAM Flash
大陸韓國擴產(chǎn)競賽 Flash后年產(chǎn)能恐過(guò)剩
- 儲存型快閃存儲(NANDFlash)軍備競賽再起，南韓存儲大廠(chǎng)SK海力士決定再投資3.16兆韓元(約27億美元)，在南韓及大陸兩地增加存儲產(chǎn)能;紫光集團旗下的長(cháng)江存儲武漢廠(chǎng)，也預定本月底正式動(dòng)土，都為2018年供給過(guò)于求再現，埋下隱憂(yōu)。 目前各市調機構均看好明年NANDFlash仍處于供不應求局面，但南韓存儲大廠(chǎng)SK海力士上周宣布將在南韓蓋一座全新快閃存儲廠(chǎng)，在中國大陸也將加碼投資9,500億韓元，擴充產(chǎn)能，希望市占率能趕上三星，但也為NANDFlash市場(chǎng)投下新變數。 稍早三星和美光也都
- 關(guān)鍵字： Flash 晶圓
為滿(mǎn)足NAND Flash市場(chǎng)需求 SK海力士建新廠(chǎng)
- SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個(gè)存儲器晶圓廠(chǎng)，滿(mǎn)足NAND Flash市場(chǎng)增加的需求。新工廠(chǎng)將坐落在清州科技園。SK海力士下個(gè)月開(kāi)始設計外部的建設，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達2.2兆韓元(18.4億美金)。 SK海力士表示，公司決定額外的新建一座Fab工廠(chǎng)，主要是為了確保能夠滿(mǎn)足NAND Flash市場(chǎng)需求的增長(cháng)，以及引導向3D NAND發(fā)展。加之，考慮到通常建立一個(gè)半導體工廠(chǎng)需要超過(guò)2年，所以提前做好準備。 SK海力士曾在20
- 關(guān)鍵字： NAND Flash SK海力士
flash介紹
閃存（Flash ROM）：
是一種電擦除非易失型存儲器，由浮柵型場(chǎng)效應管構成，寫(xiě)入時(shí)，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時(shí)，則利用高壓下的隧道效應，使浮柵失去電子。
FLASH閃存是半導體技術(shù)，內部是相對靜態(tài)的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導體技術(shù)發(fā)展很快，價(jià)格下降也很快，這是目前的MP3大多數是用FLASH閃存的原因。
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