NAND Flash和NOR Flash的異同

NAND Flash和NOR Flash是兩種常見(jiàn)的閃存類(lèi)型

NOR Flash是Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出來(lái)的存儲技術(shù)，改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面；NAND Flash是東芝公司于1989年發(fā)布的存儲結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級。

NAND=NOT AND(與非門(mén)) & NOR=NOT OR(或非門(mén))

相同點(diǎn)

· 兩者都是非易失性存儲器，可以在斷電后保持存儲的數據。

· 兩者都可以進(jìn)行擦寫(xiě)和再編程。

· 兩者在寫(xiě)之前都要先擦除，擦除是將所有位變?yōu)?，而寫(xiě)操作只能使1變成0。

不同點(diǎn)

NOR Flash和NAND Flash各有其優(yōu)勢和應用場(chǎng)景，設計者可以根據產(chǎn)品需求來(lái)進(jìn)行選擇，兩者的主要不同點(diǎn)如下：

· 接口

NOR Flash帶有通用的SRAM接口，可以輕松地掛接在CPU的地址、數據總線(xiàn)上，對CPU的接口要求低。

NAND Flash使用復雜的I/O口來(lái)串行地存取數據。

· 容量和成本

NOR Flash的容量較小，價(jià)格較高。

NAND Flash的生產(chǎn)過(guò)程更簡(jiǎn)單，容量更大，價(jià)格更低。

· 可靠性

NAND Flash中的壞塊是隨機分布的，需要對介質(zhì)進(jìn)行初始化掃描以發(fā)現壞塊，并將壞塊標記為不可用。

NOR Flash上基本不存在壞塊問(wèn)題。

· 壽命

NAND Flash中每個(gè)塊的最大擦寫(xiě)次數是十萬(wàn)次。

NOR Flash的擦寫(xiě)次數是一百萬(wàn)次。

· 讀寫(xiě)擦除性能

NOR Flash的讀速度比NAND Flash快。

NAND Flash的寫(xiě)入和擦除速度比NOR Flash快很多。

總的來(lái)說(shuō)，NOR的優(yōu)勢在于隨機讀取與擦寫(xiě)壽命，因此適合用來(lái)存儲代碼和關(guān)鍵數據；NAND的優(yōu)勢在于單位比特成本，花同樣的錢(qián)可以獲得更大的容量。