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需求持續下修，第一季NAND Flash總營(yíng)收環(huán)比下跌16.1%
- 據TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示，第一季NAND Flash買(mǎi)方采購動(dòng)能保守，供應商持續透過(guò)降價(jià)求售，但第一季NAND Flash位元出貨量?jì)H微幅環(huán)比增長(cháng)2.1%，平均銷(xiāo)售（ASP）單價(jià)季減15%，合計NAND Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收約86.3億美元，環(huán)比減少16.1%。SK集團（SK hynix & Solidigm）及西部數據（WDC）量?jì)r(jià)齊跌，沖擊營(yíng)收表現，環(huán)比下降均逾兩成。SK集團受淡季及削價(jià)競爭影響，第一季NAND Flash營(yíng)收僅13.2億美元，環(huán)比減少24.8%
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兆易創(chuàng )新超小尺寸128Mb SPI NOR Flash面世
- 中國北京（2023年5月16日） —— 業(yè)界領(lǐng)先的半導體器件供應商兆易創(chuàng )新GigaDevice（股票代碼 603986）今日宣布，率先推出采用3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封裝的SPI NOR Flash——GD25LE128EXH，其最大厚度僅為0.4mm，容量高達128Mb，是目前業(yè)界在此容量上能實(shí)現的最小塑封封裝產(chǎn)品，可在應對大容量代碼存儲需求的同時(shí)，提供極大限度的緊湊型設計自由。近年來(lái)，隨著(zhù)物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴、健康監護、網(wǎng)通等應用的快速發(fā)展，市場(chǎng)需求變化多樣，不僅要在精致小巧的產(chǎn)品形態(tài)中
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復旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲器新品
- 4月27日，上海復旦微電子集團股份有限公司今日舉辦線(xiàn)上發(fā)布會(huì )，推出FM25/FM29系列SLC NAND，FM24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM，以及符合AEC-Q100的車(chē)規FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲新產(chǎn)品。FM25/FM29系列產(chǎn)品基于28nm先進(jìn)NAND flash工藝，滿(mǎn)足6萬(wàn)次擦寫(xiě)次數和數據保存10年的高可靠性要求，應用于工規、5G通訊、車(chē)載等相關(guān)領(lǐng)域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產(chǎn)品基于95nm先進(jìn)EEPROM工藝，具備低功耗、
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英飛凌推出 256 Mbit SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產(chǎn)品
- 【2023 年 04 月 10日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）近日推出 SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產(chǎn)品。這種存儲器經(jīng)過(guò)專(zhuān)門(mén)優(yōu)化，適合在電池供電的小型電子設備中使用。健身追蹤器、智能耳機、健康監測儀、無(wú)人機和 GPS 導航等新型可穿戴應用及工業(yè)應用不斷涌現，有助于實(shí)現精準跟蹤、記錄關(guān)鍵信息、增強安全性、降低噪聲等更多功能。這些先進(jìn)的功能和使用場(chǎng)景要求在體積更小的電子設備中配備更大容量的存儲器。據Omdia 數據顯示，藍牙耳
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預估第二季NAND Flash均價(jià)續跌5~10%，能否止跌端看下半年需求
- 即便原廠(chǎng)持續進(jìn)行減產(chǎn)，然需求端如服務(wù)器、智能手機、筆電等需求仍未見(jiàn)起色，NAND Flash市場(chǎng)仍處在供給過(guò)剩狀態(tài)，故TrendForce集邦咨詢(xún)預估，第二季NAND Flash均價(jià)仍將持續下跌，環(huán)比下跌幅度收斂至5~10%。而后續恢復供需平衡的關(guān)鍵在于原廠(chǎng)是否有更大規模的減產(chǎn)，TrendForce集邦咨詢(xún)認為若目前需求端未再持續下修，NAND Flash均價(jià)有機會(huì )在第四季止跌反彈，反之，若旺季需求端持續疲弱，均價(jià)反彈時(shí)間恐再延后。Client SSD方面，目前PC OEM零部件庫存去化已見(jiàn)成
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NAND Flash 大降價(jià)，固態(tài)硬盤(pán)取代機械硬盤(pán)指日可待
- 相信有很多小伙伴已經(jīng)注意到了，目前市場(chǎng)上很多固態(tài)硬盤(pán)的價(jià)格相比去年又降低了不少。這是由于制造固態(tài)硬盤(pán)所需的 NAND 芯片降價(jià)導致的。根據集邦咨詢(xún)的數據顯示，NAND Flash 市場(chǎng)自 2022 年下半年以來(lái)面臨需求逆風(fēng)，供應鏈積極去化庫存加以應對，此情況導致第四季 NAND Flash 合約價(jià)格下跌 20-25%，其中 Enterprise SSD（企業(yè)級固態(tài)硬盤(pán)）是下跌最劇烈的產(chǎn)品，跌幅約 23-28%。這對于 NAND 芯片廠(chǎng)商來(lái)說(shuō)并不是什么好消息，但對于普通消費者來(lái)說(shuō)，我們確實(shí)能買(mǎi)到更便宜的固態(tài)
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存儲器廠(chǎng)商Q1虧損恐難逃
- 由于DRAM及NAND Flash第一季價(jià)格續跌，加上庫存水位過(guò)高，終端消費支出持續放緩，據外電消息，韓國三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務(wù)恐因提列庫存損失而面臨數十億美元虧損。法人指出，南亞科（2408）及華邦電（2344）因減產(chǎn)及跌價(jià)導致?tīng)I收及毛利率持續下滑，第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據外電報導，三星電子3月19日提交給韓國金融監督院的申報文件中指出，截至去年第四季，整體庫存資產(chǎn)達到52.2兆韓元（約折合399億美元），遠高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng )下歷史新高。其中，占三星營(yíng)收比重最高的半導
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存儲大廠(chǎng)展示300層NAND Flash，預計最快2024年問(wèn)世
- 近日，在第70屆IEEE國際固態(tài)電路會(huì )議（ISSCC）上，韓國存儲器大廠(chǎng)SK海力士展示了最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲器原型。SK海力士表示，新3D NAND Flash快閃存儲器預定兩年內上市，有望打破紀錄。外媒報導，SK海力士揭示有更快資料傳輸量和更高儲存等級的第八代3D NAND Flash開(kāi)發(fā)，提供1TB（128GB）容量，20Gb/mm2單位容量、16KB單頁(yè)容量、四個(gè)平面和2,400MT/s的介面。最大資料傳輸量達194MB/s，較上一代238層堆疊和164MB/
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均價(jià)跌幅擴大，2022年第四季NAND Flash總營(yíng)收環(huán)比下跌25%
- TrendForce集邦咨詢(xún)最新調查顯示，NAND Flash市場(chǎng)自2022年下半年以來(lái)面臨需求逆風(fēng)，供應鏈積極去化庫存加以應對，此情況導致第四季NAND Flash合約價(jià)格下跌20~25%，其中Enterprise SSD是下跌最劇烈的產(chǎn)品，跌幅約23~28%。在原廠(chǎng)積極降價(jià)求量的同時(shí)，客戶(hù)為避免零部件庫存再攀高，備貨態(tài)度消極，使得第四季NAND Flash位元出貨量環(huán)比增長(cháng)僅5.3%，平均銷(xiāo)售單價(jià)環(huán)比減少22.8%，2022年第四季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收環(huán)比下跌25.0%，達
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NAND Flash需求位 2025前年增率恐低于3成
- 消費性固態(tài)硬盤(pán)（Client SSD）受惠于疫情紅利，在過(guò)去二年作為推動(dòng)全球NAND Flash需求位成長(cháng)的要角，市調機構集邦預估，2022年消費性SSD在筆電的滲透率達92％，2023年約96％。但隨疫情紅利退場(chǎng)，加上總經(jīng)不佳導致消費性電子需求急凍，未來(lái)消費性SSD需求放緩最明顯，連帶使整體NAND Flash需求位成長(cháng)受限，估2022～2025年的年增率均低于30％。容量方面，2022年消費性SSD于筆電搭載容量已逾500GB，512GB消費性SSD在近期迅速跌價(jià)后，已與半年前256GB報價(jià)相近，甚至
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基于FPGA的NAND FLASH壞塊表的設計與實(shí)現
- 在現代電子設備中，越來(lái)越多的產(chǎn)品使用NAND FLASH芯片來(lái)進(jìn)行大容量的數據存儲，而且使用FPGA作為核心處理芯片與NAND FLASH直接交聯(lián)。根據NAND FLASH的特點(diǎn)，需要識別NAND FLASH芯片的壞塊并進(jìn)行管理。FPGA對壞塊的管理不能按照軟件的壞塊管理方式進(jìn)行。本文提出了一種基于FPGA的NAND FLASH芯片壞塊表的設計方法，利用FPGA中RAM模塊，設計了狀態(tài)機電路，靈活地實(shí)現壞塊表的建立、儲存和管理，并且對該設計進(jìn)行測試驗證。
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集邦：第四季NAND Flash價(jià)格續跌15～20％
- 根據集邦科技研究顯示，目前NAND Flash正處于供過(guò)于求，下半年起買(mǎi)方著(zhù)重去化庫存而大幅減少采購量，賣(mài)方開(kāi)出破盤(pán)價(jià)以鞏固訂單，使第三季NAND晶圓（wafer）價(jià)格跌幅達30～35％，但各類(lèi)NAND Flash終端產(chǎn)品仍疲弱，原廠(chǎng)庫存因此急速上升，預期將導致第四季NAND Flash總體平均價(jià)格跌幅擴大至15～20％。集邦表示，因為需求低迷導致NAND Flash下半年價(jià)格大跌，多數原廠(chǎng)的NAND Flash產(chǎn)品銷(xiāo)售也將自今年底前正式步入虧損，意即部分供貨商在運營(yíng)陷入虧損的壓力下，對于采取減產(chǎn)以降低虧
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應需而生！兆易創(chuàng )新推出突破性1.2V超低功耗SPI NOR Flash產(chǎn)品系列
- 業(yè)界領(lǐng)先的半導體器件供應商兆易創(chuàng )新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布，推出突破性的1.2V超低功耗SPI NOR Flash產(chǎn)品——GD25UF系列。該系列在數據傳輸速度、供電電壓、讀寫(xiě)功耗等關(guān)鍵性能指標上均達到國際領(lǐng)先水平，在針對智能可穿戴設備、健康監測、物聯(lián)網(wǎng)設備或其它單電池供電的應用中，能顯著(zhù)降低運行功耗，有效延長(cháng)設備的續航時(shí)間。 隨著(zhù)物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展，新一代智能可穿戴設備需要擁有更豐富的功能來(lái)滿(mǎn)足消費者的需求，這種空間敏感型產(chǎn)品對系統功耗提出了更嚴苛的要求，希
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兆易創(chuàng )新1.2mm×1.2mm USON6 GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列問(wèn)世
- 業(yè)界領(lǐng)先的半導體器件供應商兆易創(chuàng )新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布推出GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列，采用1.2mm×1.2mm USON6超小型塑封封裝，最大厚度僅為0.4mm，在如此緊湊、輕薄的空間內，其功耗、電壓范圍等方面均實(shí)現了進(jìn)一步提升，為消費電子、可穿戴設備、物聯(lián)網(wǎng)以及便攜式健康監測設備等對電池壽命和緊湊型設計有著(zhù)嚴苛需求的應用提供了理想選擇。 如今，隨著(zhù)5G、物聯(lián)網(wǎng)、AI等技術(shù)的不斷迭代，在筆記本攝像頭、智能遙控器、智能健康手環(huán)等采用電池
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累計出貨190億顆！兆易創(chuàng )新NOR閃存高居全球第三
- 在國產(chǎn)化Flash閃存領(lǐng)域，NAND閃存的領(lǐng)軍當屬長(cháng)江存儲，NOR閃存的代表則是兆易創(chuàng )新?！ ?月30日，兆易創(chuàng )新官方宣布，旗下Flash閃存產(chǎn)品累計出貨量已經(jīng)超過(guò)190億顆，其中NOR閃存的市場(chǎng)份額更是排名全球前三?！ ≌滓讋?chuàng )新還透露，正在在超低功耗、超小封裝等技術(shù)工藝上持續打磨產(chǎn)品，比如采用WLCSP超小封裝的NOR閃存產(chǎn)品已經(jīng)上市，可大大縮減系統PCB面積；比如主打超低功耗的1.2V NOR產(chǎn)品即將面世，可顯著(zhù)延長(cháng)電池壽命?！ OR閃存可廣泛用于智能手表、智能手環(huán)、無(wú)線(xiàn)耳機、XR眼鏡/頭顯等智能穿
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flash介紹
閃存（Flash ROM）：
是一種電擦除非易失型存儲器，由浮柵型場(chǎng)效應管構成，寫(xiě)入時(shí)，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時(shí)，則利用高壓下的隧道效應，使浮柵失去電子。
FLASH閃存是半導體技術(shù)，內部是相對靜態(tài)的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導體技術(shù)發(fā)展很快，價(jià)格下降也很快，這是目前的MP3大多數是用FLASH閃存的原因。
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