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t-flash 文章 進(jìn)入t-flash技術(shù)社區
1000層3D NAND Flash時(shí)代即將到來(lái)
- Lam Research 推出低溫蝕刻新技術(shù)，為 1000 層 3D NAND 鋪平道路。
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鎧俠產(chǎn)能滿(mǎn)載 傳7月量產(chǎn)最先進(jìn)NAND Flash產(chǎn)品
- 《科創(chuàng )板日報》4日訊，鎧俠產(chǎn)線(xiàn)稼動(dòng)率據悉已在6月回升至100%水準、且將在7月內量產(chǎn)最先進(jìn)存儲芯片(NAND Flash)產(chǎn)品，借此開(kāi)拓因生成式AI普及而急增的數據存儲需求。據悉，鎧俠將開(kāi)始量產(chǎn)的NAND Flash產(chǎn)品堆疊218層數據存儲元件，和現行產(chǎn)品相比，存儲容量提高約50%，寫(xiě)入數據時(shí)所需的電力縮減約30%。 (MoneyDJ）
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T-Systems與Aurora Labs將合作開(kāi)發(fā)先進(jìn)的無(wú)線(xiàn)更新技術(shù)
- Source:Nico De Pasquale PhotographyMoment via Getty Images德國電信旗下子公司T-Systems和Aurora Labs日前達成協(xié)議，將各自在車(chē)聯(lián)網(wǎng)服務(wù)、云基礎設施和專(zhuān)業(yè)無(wú)線(xiàn)升級（OTA）技術(shù)等領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)知識結合起來(lái)。此次合作將為汽車(chē)制造商和車(chē)隊提供一個(gè)安全、成本效益高且靈活的解決方案，輕松更新車(chē)輛中的各種設備，即使車(chē)輛還在行駛中。Aurora Labs的專(zhuān)利代碼行智能技術(shù)（LOCI）和無(wú)線(xiàn)軟件升級技術(shù)可將更新文件的大小最多縮小97%，從而最大限度地
- 關(guān)鍵字： T-Systems Aurora Labs 無(wú)線(xiàn)更新技術(shù)
三星1000層NAND目標，靠它實(shí)現
- 三星電子計劃實(shí)現“PB級”存儲器目標。三星高層曾預期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實(shí)現目標，且可能是關(guān)鍵。目前，三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器，而據業(yè)內消息，三星計劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，堆疊層數將達到驚人的430層。三星的目標是盡快實(shí)現超過(guò)1000 TB的存儲容量里程碑，為大數據、云計算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強大的存儲支持。最新消息是，KAIST的研究
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第二季DRAM合約價(jià)漲幅上修至13~18%；NAND Flash約15~20%
- 據TrendForce集邦咨詢(xún)最新預估，第二季DRAM合約價(jià)季漲幅將上修至13~18%；NAND Flash合約價(jià)季漲幅同步上修至約15~20%，全線(xiàn)產(chǎn)品僅eMMC/UFS價(jià)格漲幅較小，約10%。403地震發(fā)生前，TrendForce集邦咨詢(xún)原先預估，第二季DRAM合約價(jià)季漲幅約3~8%；NAND Flash為13~18%，相較第一季漲幅明顯收斂，當時(shí)從合約價(jià)先行指標的現貨價(jià)格就可看出，現貨價(jià)已出現連續走弱，上漲動(dòng)能低落、交易量降低等情況。究其原因，主要是除了AI以外的終端需求不振，尤其筆電、智能手機
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Teledyne e2v宣布擴展其Flash CMOS圖像傳感器系列
- Teledyne Technologies[紐交所代碼：TDY]旗下公司、全球成像解決方案創(chuàng )新者Teledyne e2v宣布擴展其Flash? CMOS圖像傳感器系列，推出Flash 2K LSA，該產(chǎn)品專(zhuān)門(mén)適用于需要使用大沙姆角（LSA）的激光輪廓應用。Teledyne e2v的Flash系列CMOS圖像傳感器專(zhuān)為三維激光輪廓/位移應用和高速/高分辨率檢測量身定制。Flash 2K LSA是Flash 2K傳感器的衍生產(chǎn)品，適用于需要大沙伊姆弗勒角度的應用，其角度響應在30°角度下為四倍以上，在
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累計上漲100%還不停！消息稱(chēng)SK海力士將對內存等漲價(jià) 至少上調20%
- 5月6日消息，供應鏈爆料稱(chēng)，SK海力士將對旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產(chǎn)品提價(jià)，漲幅均有15%-20%。按照消息人士的說(shuō)法，海力士DRAM產(chǎn)品價(jià)格從去年第四季度開(kāi)始逐月上調，目前已累計上漲約60%-100%不等，下半年漲幅將趨緩?？恐?zhù)存儲漲價(jià)，三星電子2024年第一季營(yíng)業(yè)利潤達到了6.606萬(wàn)億韓元。財報顯示，三星電子一季度存儲業(yè)務(wù)營(yíng)收17.49萬(wàn)億韓元，環(huán)比增長(cháng)11%，同比暴漲96%，在整體的半導體業(yè)務(wù)營(yíng)收當中的占比高達75.58%。三星表示，一季度存儲市場(chǎng)總體需求強勁，特別是生
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EEPROM 和 flash 這樣講，早就懂了！
- 前幾天看到群里在討論存儲器，有些人一直搞不懂，今天給大家分享一篇文章總結一下。存儲器分為兩大類(lèi)：RAM 和 ROM。RAM 就不講了，今天主要討論 ROM。rom最初不能編程，出廠(chǎng)什么內容就永遠什么內容，不靈活。后來(lái)出現了prom，可以自己寫(xiě)入一次，要是寫(xiě)錯了，只能換一片，自認倒霉。人類(lèi)文明不斷進(jìn)步，終于出現了可多次擦除寫(xiě)入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外線(xiàn)上照一下，想一下你往單片機上下了一個(gè)程序之后發(fā)現有個(gè)地方需要加一句話(huà)，為此你要把單片機放紫外燈下照半小時(shí)
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群聯(lián)3月?tīng)I收年增73%，創(chuàng )歷史單月新高紀錄
- 近日，存儲廠(chǎng)商群聯(lián)公布了2024年3月份營(yíng)運結果，合并營(yíng)收為新臺幣67.75億元，年成長(cháng)達73%，刷新歷史單月?tīng)I收新高紀錄。全年度營(yíng)收累計至3月份達新臺幣165.26億元，年成長(cháng)達64%，為歷史同期次高。群聯(lián)表示，2024年3月份SSD控制芯片總累計總出貨量年成長(cháng)達96%，其中PCIe SSD控制芯片總出貨量年增率達176%，刷新歷史單月新高。此外，全年度累計至3月份之整體NAND閃存位元數總出貨量的年成長(cháng)率（Bit Growth Rate）也達80%，刷新歷史同期新高，顯示整體市場(chǎng)需求持續緩步回升趨勢不
- 關(guān)鍵字： 群聯(lián) SSD固態(tài)硬盤(pán) NAND Flash
3D NAND，1000層競爭加速
- 據國外媒體Xtech Nikkei報道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術(shù)官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應用物理學(xué)會(huì )春季會(huì )議上宣布，該公司計劃到2031年批量生產(chǎn)超過(guò)1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產(chǎn)品中，NAND閃存應用幾乎無(wú)處不在。而隨著(zhù)云計算、大數據以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲產(chǎn)品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場(chǎng)的青睞。自三星2013年設計出垂直堆疊單元技術(shù)后，NAND廠(chǎng)商之間的競爭便主要集中在芯
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 存儲芯片 鎧俠
第二季NAND Flash合約價(jià)季漲13~18%，Enterprise SSD漲幅最高
- TrendForce集邦咨詢(xún)表示，除了鎧俠（Kioxia）和西部數據（WDC）自今年第一季起提升產(chǎn)能利用率外，其它供應商大致維持低投產(chǎn)策略。盡管第二季NAND Flash采購量較第一季小幅下滑，但整體市場(chǎng)氛圍持續受供應商庫存降低，以及減產(chǎn)效應影響，預估第二季NAND Flash合約價(jià)將強勢上漲約13~18%。eMMC方面，中國智能手機品牌為此波eMMC最大需求來(lái)源，由于部分供應商已降低供應此類(lèi)別產(chǎn)品，中國模組廠(chǎng)出貨大幅提升。買(mǎi)方為了滿(mǎn)足生產(chǎn)需求開(kāi)始擴大采用模組廠(chǎng)方案，助益中國模組廠(chǎng)技術(shù)進(jìn)一步升級及
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【科技和移動(dòng)性亮點(diǎn)】L&T Technology Services與英特爾合作擴展邊緣-人工智能解決方案
- Source:?Getty Images/metamorworksL&T Technology Services于3月4日宣布與英特爾公司達成合作，為包括蜂窩車(chē)聯(lián)網(wǎng)（CV2X）應用在內的一系列用例開(kāi)發(fā)和提供可擴展的邊緣-人工智能解決方案。LTTS在網(wǎng)聯(lián)汽車(chē)和智能交通系統領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)知識對于遠程信息處理、高級駕駛輔助系統和蜂窩車(chē)聯(lián)網(wǎng)等先進(jìn)通信技術(shù)的開(kāi)發(fā)及實(shí)施過(guò)程至關(guān)重要。該公司表示，通過(guò)利用英特爾的邊緣計算平臺，包括內置OpenVINO?工具可進(jìn)行實(shí)時(shí)的人工智能推理優(yōu)化，LTTS將為智慧城市
- 關(guān)鍵字： L&T 英特爾 邊緣人工智能 蜂窩車(chē)聯(lián)網(wǎng) CV2X
西部數據NAND Flash業(yè)務(wù)拆分最新進(jìn)展，新任CEO揭曉
- 月5日，西部數據宣布，在NAND Flash業(yè)務(wù)拆分后，將保留原名，專(zhuān)注經(jīng)營(yíng)核心HDD業(yè)務(wù)，并表示這一分拆過(guò)程有望在2024年下半年完成。與此同時(shí)，將為即將分拆的閃存和傳統硬盤(pán)業(yè)務(wù)任命CEO。西部數據稱(chēng)，現任西部數據全球運營(yíng)執行副總裁 Irving Tan 將出任剩下的獨立 HDD公司的CEO，繼續以西部數據的身份運營(yíng)?，F任CEO David Goeckeler則受命轉往NAND Flash部門(mén)成立的新公司，出任新公司執行長(cháng)。圖片來(lái)源：西部數據西部數據與鎧俠合并進(jìn)展如何？據悉，自2021年以來(lái)，西部數據及
- 關(guān)鍵字： 閃存芯片 NAND Flash 西部數據
淺談因電遷移引發(fā)的半導體失效
- 前言半導體產(chǎn)品老化是一個(gè)自然現象，在電子應用中，基于環(huán)境、自然等因素，半導體在經(jīng)過(guò)一段時(shí)間連續工作之后，其功能會(huì )逐漸喪失，這被稱(chēng)為功能失效。半導體功能失效主要包括：腐蝕、載流子注入、電遷移等。其中，電遷移引發(fā)的失效機理最為突出。技術(shù)型授權代理商Excelpoint世健的工程師Wolfe Yu在此對這一現象進(jìn)行了分析。?1、?背景從20世紀初期第一個(gè)電子管誕生以來(lái)，電子產(chǎn)品與人類(lèi)的聯(lián)系越來(lái)越緊密，特別是進(jìn)入21世紀以來(lái)，隨著(zhù)集成電路的飛速發(fā)展，人們對電子產(chǎn)品的需求也變得愈加豐富。隨著(zhù)電子
- 關(guān)鍵字： 電遷移 半導體失效 世健 Microchip Flash FPGA
一季度 NAND Flash合約價(jià)預計上漲15%-20%
- 供應商為了盡量減少損失，正在推高 NAND Flash 價(jià)格。
- 關(guān)鍵字： NAND Flash
t-flash介紹
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對t-flash的理解，并與今后在此搜索t-flash的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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