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市況好轉 內存廠(chǎng)Q3獲利嗨
- NAND Flash現貨價(jià)于8月中旬反彈，DRAM價(jià)格也在9月開(kāi)始回升，內存市況確立好轉，帶動(dòng)內存族群獲利能力普遍呈現攀升。觀(guān)察第三季內存族群財報，內存制造大廠(chǎng)包括南亞科、旺宏及華邦電仍呈小幅虧損；內存模塊廠(chǎng)創(chuàng )見(jiàn)、威剛、廣穎、品安、宇瞻單季每股稅后純益（EPS）皆有1元以上，宜鼎及群聯(lián)單季EPS更分別有3、4元以上亮眼成績(jì)。另從毛利率、營(yíng)利率及稅后純益率三大財務(wù)指標來(lái)看，第三季財報數字呈現「三率三升」的內存廠(chǎng)商，則有創(chuàng )見(jiàn)、威剛、十銓、廣穎、宜鼎、品安，財務(wù)成績(jì)表現亮眼。此外，威剛14日公告10月自結財務(wù)數
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兆易創(chuàng )新車(chē)規閃存產(chǎn)品成功應用于懸架控制器，在奇瑞多款車(chē)型實(shí)現量產(chǎn)
- 兆易創(chuàng )新GigaDevice宣布，搭載了兆易創(chuàng )新GD25F128F車(chē)規級SPI NOR Flash的明然科技國產(chǎn)化主動(dòng)懸架控制器（CDC）出貨量已超數萬(wàn)臺，并在奇瑞瑞虎9和星途瑤光等車(chē)型上量產(chǎn)。在汽車(chē)底盤(pán)懸架系統等安全性要求較高的場(chǎng)景中穩定運行，標志著(zhù)兆易創(chuàng )新車(chē)規級SPI NOR Flash的可靠性得到進(jìn)一步驗證。懸架是車(chē)架（或車(chē)身）與車(chē)轎（或車(chē)輪）之間的傳力連接裝置，分為傳統被動(dòng)式、半主動(dòng)式和主動(dòng)式三類(lèi)，而主動(dòng)式懸架系統能根據車(chē)輛的運動(dòng)狀態(tài)和路面情況自適應調節減振器阻尼力，使其更好地適用于當前路段，懸架
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預估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價(jià)均上漲
- 據TrendForce集邦咨詢(xún)最新研究顯示，第四季Mobile DRAM合約價(jià)季漲幅預估將擴大至13~18%。NAND Flash方面，eMMC、UFS第四季合約價(jià)漲幅約10~15%；由于Mobile DRAM一直以來(lái)獲利表現均較其他DRAM產(chǎn)品低，因此成為本次的領(lǐng)漲項目。季漲幅擴大包括幾個(gè)原因，供應方面：三星擴大減產(chǎn)、美光祭出逾20%的漲幅等，持續奠定同業(yè)漲價(jià)信心的基礎。需求方面：2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受傳統旺季帶動(dòng)，華為Mate
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第四季NAND Flash合約價(jià)季漲幅預估8~13%
- 據TrendForce集邦咨詢(xún)集邦咨詢(xún)研究顯示，由于供應商嚴格控制產(chǎn)出，NAND Flash第四季合約價(jià)全面起漲，漲幅約8~13%。展望2024年，除非原廠(chǎng)仍能維持減產(chǎn)策略，且服務(wù)器領(lǐng)域對Enterprise SSD需求回溫，否則在缺乏需求作為支撐的前提下，NAND Flash要延續漲勢將有難度。Client SSD方面，由于原廠(chǎng)及模組廠(chǎng)均積極漲價(jià)，促使PC OEM欲在價(jià)格相對低點(diǎn)預備庫存，采購量會(huì )較實(shí)際需求量高。而供應商為擴大位元出貨量，已在第三季推出促銷(xiāo)，故Client SSD價(jià)格沒(méi)有
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消息稱(chēng)三星電子計劃從下月起大幅提高 NAND 閃存價(jià)格
- 10 月 6 日消息，據韓媒 Business Korea 報道，三星內部認為目前 NAND Flash 供應價(jià)格過(guò)低，公司計劃今年四季度起，調漲 NAND Flash 產(chǎn)品的合約價(jià)格，漲幅在 10% 以上，預計最快本月新合約便將采用新價(jià)格?！?圖源韓媒 Business Korea自今年年初以來(lái)，三星一直奉行減產(chǎn)戰略，IT之家此前曾報道，三星的晶圓產(chǎn)量大幅下降了 40%，最初的減產(chǎn)舉措主要集中在 DRAM 領(lǐng)域，之后下半年三星開(kāi)始著(zhù)手大幅削減 NAND Flash 業(yè)務(wù)產(chǎn)量，眼下正試圖推動(dòng)
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集邦咨詢(xún)：2023Q4 NAND 價(jià)格預估增長(cháng) 3-8%，DRAM 要開(kāi)啟增長(cháng)周期
- IT之家 9 月 27 日消息，存儲制造商在經(jīng)歷了有史以來(lái)最長(cháng)的下降周期之后，終于看到了 DRAM 市場(chǎng)復蘇的希望。根據集邦咨詢(xún)報道，伴隨著(zhù)主要存儲制造商的持續減產(chǎn)，已經(jīng)市場(chǎng)去庫存效果顯現，預估 NAND Flash 價(jià)格回暖之后，DRAM 價(jià)格也會(huì )上漲。NAND 閃存供應商為減少虧損，2023 年以來(lái)已經(jīng)進(jìn)行了多次減產(chǎn)，目前相關(guān)效果已經(jīng)顯現，消息稱(chēng) 8 月 NAND Flash 芯片合約價(jià)格出現反彈，9 月繼續上漲。行業(yè)巨頭三星繼續減產(chǎn)，主要集中在 128 層以下產(chǎn)品中，在 9 月產(chǎn)量下降了
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第二季NAND Flash營(yíng)收環(huán)比增長(cháng)7.4%，預期第三季將成長(cháng)逾3%
- 據TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示，第二季NAND Flash市場(chǎng)需求仍低迷，供過(guò)于求態(tài)勢延續，使NAND Flash第二季平均銷(xiāo)售單價(jià)（ASP）續跌10~15%，而位元出貨量在第一季低基期下環(huán)比增長(cháng)達19.9%，合計第二季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收環(huán)比增長(cháng)7.4%，營(yíng)收約93.38億美元。自第二季起，三星（Samsung）加入減產(chǎn)行列，且預期第三季將擴大減產(chǎn)幅度，供給收斂的同時(shí)也在醞釀漲價(jià)，供過(guò)于求態(tài)勢有望因此獲得改善。不過(guò)，由于NAND Flash產(chǎn)業(yè)供應商家數多，在庫存仍高的情
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NAND Flash第四季價(jià)格有望止跌回升
- 近日，三星（Samsung）為應對需求持續減弱，宣布9月起擴大減產(chǎn)幅度至50%，減產(chǎn)仍集中在128層以下制程為主，據TrendForce集邦咨詢(xún)調查，其他供應商預計也將跟進(jìn)擴大第四季減產(chǎn)幅度，目的加速庫存去化速度，預估第四季NAND Flash均價(jià)有望因此持平或小幅上漲，漲幅預估約0~5%。價(jià)格方面，如同年初TrendForce集邦咨詢(xún)預測，NAND Flash價(jià)格反彈會(huì )早于DRAM，由于NAND Flash供應商虧損持續擴大，銷(xiāo)售價(jià)格皆已接近生產(chǎn)成本，供應商為了維持營(yíng)運而選擇擴大減產(chǎn)，以期帶動(dòng)價(jià)
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行業(yè)庫存情況如何？國內一存儲廠(chǎng)商回應
- 近日，存儲器芯片供應商普冉股份披露投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表。關(guān)于NOR Flash行業(yè)庫存情況，普冉股份表示，NOR Flash終端客戶(hù)的原廠(chǎng)庫存以及渠道庫存已經(jīng)幾近健康，設計原廠(chǎng)的庫存調整也逐步接近尾聲。接下來(lái)一段時(shí)間，各廠(chǎng)商依然會(huì )采取適當的降價(jià)策略去化庫存。但隨著(zhù)行業(yè)庫存逐步健康，行業(yè)格局逐步出清，預計下半年會(huì )持續向好，價(jià)格也會(huì )逐步回歸平穩態(tài)勢，公司將密切關(guān)注后續市場(chǎng)走勢。普冉股份強調，公司將積極地進(jìn)行戰略盤(pán)整，持續調整以應對市場(chǎng)的迅速變化。面對激烈的行業(yè)競爭格局，機遇與挑戰并存，公司會(huì )充分發(fā)揮公司的
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NAND 原廠(chǎng)過(guò)夠了「苦日子」，有晶圓合約成功漲價(jià) 10%
- 廠(chǎng)家期待觸底后的反彈早日到來(lái)。
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基于FPGA的NAND Flash的分區續存的功能設計實(shí)現
- 傳統的控制器只能從NAND Flash存儲器的起始位置開(kāi)始存儲數據，會(huì )覆蓋上次存儲的數據，無(wú)法進(jìn)行數據的連續存儲。針對該問(wèn)題，本文設計了一種基于FPGA的簡(jiǎn)單方便的NAND Flash分區管理的方法。該方法在NAND Flash上開(kāi)辟專(zhuān)用的存儲空間，記錄最新分區信息，將剩余的NAND Flash空間劃成多個(gè)分區。本文給出了分區工作機理以及分區控制的狀態(tài)機圖，并進(jìn)行了驗證。
- 關(guān)鍵字： 202308 NAND Flash FPGA 分區 起始地址
ROM、RAM、FLASH、DDR、EMMC都是什么？一次性搞清楚！
- 簡(jiǎn)單解釋ROMROM：只讀存儲器，內容寫(xiě)入后就不能更改了，制造成本比較低，常用于電腦中的開(kāi)機啟動(dòng)如啟動(dòng)光盤(pán)bios，在系統裝好的電腦上時(shí)，計算機將C盤(pán)目錄下的操作系統文件讀取至內存，然后通過(guò)cpu調用各種配件進(jìn)行工作這時(shí)系統存放存儲器為RAM。PROM：可編程程序只讀存儲器，但是只可以編寫(xiě)一次。EPROM：可抹除可編程只讀存儲器，可重復使用。EEPROM：電子式可抹除可編程只讀存儲器，類(lèi)似于EPROM但是摸除的方式是使用高電場(chǎng)完成。RAMRAM：隨機存取存儲器，也叫主存，是與CPU直接交換數據的內部存儲器
- 關(guān)鍵字： ROM RAM FLASH DDR EMMC
6月中國市場(chǎng)NAND Flash Wafer部分容量合約價(jià)有望小幅翻揚
- 據TrendForce集邦咨詢(xún)調查，5月起美、韓系廠(chǎng)商大幅減產(chǎn)后，已見(jiàn)到部分供應商開(kāi)始調高wafer報價(jià)，對于中國市場(chǎng)報價(jià)均已略高于3~4月成交價(jià)。因此，TrendForce集邦咨詢(xún)預估6月在模組廠(chǎng)啟動(dòng)備貨下，主流容量512Gb NAND Flash wafer有望止跌并小幅反彈，結束自2022年5月以來(lái)的猛烈跌勢，預期今年第三季起將轉為上漲，漲幅約0~5%，第四季漲幅將再擴大至8~13%。至于SSD、eMMC、UFS等產(chǎn)品庫存仍待促銷(xiāo)去化，現階段價(jià)格尚未有上漲跡象。下半年旺季備貨周期將至，盡管今
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傳鎧俠/西數合并進(jìn)入最終階段 NAND Flash營(yíng)收或超三星？
- 近日，據日本共同社消息，日本存儲器大廠(chǎng)鎧俠與合作方美國西部數據的合并經(jīng)營(yíng)已經(jīng)進(jìn)入最終收尾調整階段。目前，作為全球知名的存儲器廠(chǎng)商，鎧俠和西部數據既是競爭對手又是合作伙伴，目前兩家公司正在共同運營(yíng)巖手縣北上市和三重縣四日市的工廠(chǎng)。報道引用相關(guān)人士消息稱(chēng)，鎧俠和西部數據正在探討出資設立新公司、統一開(kāi)展半導體生產(chǎn)及營(yíng)銷(xiāo)的方案等，未來(lái)雙方將進(jìn)行經(jīng)營(yíng)合并，擬由鎧俠掌握主導權，關(guān)于出資比率等將繼續探討。報道稱(chēng)，由于面向智能手機等的半導體行情疲軟、業(yè)績(jì)低迷，鎧俠和西部數據此舉意在提升經(jīng)營(yíng)效率并提高競爭力。資料顯示，鎧俠
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DDR5 重新下跌，內存現貨價(jià)格未見(jiàn)回暖
- 業(yè)界對 DDR5 DRAM 的市場(chǎng)預期不太樂(lè )觀(guān)。
- 關(guān)鍵字： NAND Flash NAND DDR5
flash介紹
閃存（Flash ROM）：
是一種電擦除非易失型存儲器，由浮柵型場(chǎng)效應管構成，寫(xiě)入時(shí)，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時(shí)，則利用高壓下的隧道效應，使浮柵失去電子。
FLASH閃存是半導體技術(shù)，內部是相對靜態(tài)的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導體技術(shù)發(fā)展很快，價(jià)格下降也很快，這是目前的MP3大多數是用FLASH閃存的原因。
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