一季度 NAND Flash合約價(jià)預計上漲15%-20%

TrendForce 研究顯示，盡管面臨傳統的需求淡季，但買(mǎi)家仍持續增加對 NAND Flash 產(chǎn)品的采購，以建立安全的庫存水平。作為回應，供應商為了盡量減少損失，正在推高價(jià)格，預計 2024 年第一季度 NAND Flash 合同價(jià)格將上漲 15%-20%。

值得注意的一個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)是 NAND Flash 制造商為抵消損失而發(fā)起的大幅漲價(jià)。但是，由于需求難以跟上這些快速增長(cháng)的步伐，未來(lái)的價(jià)格上漲取決于企業(yè)級 SSD 采購的復蘇。2024 年第一季度，供應商將采取不同的生產(chǎn)策略，其中一些供應商會(huì )提前提高產(chǎn)量。如果預期的需求增長(cháng)低于預期，這可能會(huì )帶來(lái)額外的壓力，從而可能會(huì )減緩 2024 年下半年的價(jià)格上漲。

客戶(hù)端 SSD：PC OEM 預計將在 24 年第一季度達到采購高峰。隨著(zhù) PCIe 4.0 SSD 越來(lái)越受歡迎，供應商正在升級流程并鎖定相當大的訂單。為了平衡收支，他們顯著(zhù)提高了 PCIe 4.0 產(chǎn)品的價(jià)格，使筆記本電腦客戶(hù)更有可能接受這些新價(jià)格。這為 PC 客戶(hù)端 SSD 合同價(jià)格預計上漲 15%-20% 奠定了基礎。

企業(yè)級 SSD：北美 CSP 的需求尚未激增，但中國 CSP 和服務(wù)器品牌正在填補這一空白，使第一季度市場(chǎng)保持出人意料的活躍?？傮w而言，買(mǎi)家急于增加訂單以及供應商堅定的定價(jià)策略預計將使本季度企業(yè)級 SSD 合同價(jià)格上漲約 18%-23%。

eMMC：隨著(zhù)智能手機和 Chromebook 的需求趨于穩定，eMMC 行業(yè)也正在經(jīng)歷一場(chǎng)價(jià)格革命。制造商和晶圓廠(chǎng)正在大膽提高 eMMC 價(jià)格。持續的減產(chǎn)已經(jīng)收緊了小產(chǎn)能產(chǎn)品的供應，迫使買(mǎi)家接受價(jià)格上漲以防止短缺。因此，eMMC 價(jià)格飛漲，所有容量和應用的漲幅預計將超過(guò) 20%。2024 年第一季度 eMMC 合約價(jià)格預計上漲約 18%-23%。

UFS：制造商正在限制供應并大幅提高價(jià)格，導致智能手機客戶(hù)端庫存極低，尤其是備受追捧的 UFS 4.0。為了應對這種短缺，智能手機原始設備制造商正在擴大訂單，以確保強勁的庫存水平。由于 UFS 4.0 供應商數量有限，且 2023 年底晶圓合同價(jià)格大幅上漲，制造商渴望迅速達到盈虧平衡點(diǎn)。盡管賣(mài)家庫存充足，可以滿(mǎn)足市場(chǎng)需求，但所有 UFS 系列產(chǎn)品的價(jià)格漲幅均超過(guò) 30%，預計 2024 年第一季度 UFS 合約價(jià)格將上漲 18%-23%，其中智能手機行業(yè)將引領(lǐng)上漲。

NAND Flash 晶圓：由于短期價(jià)格大幅上漲，且需求復蘇不確定，模組廠(chǎng)紛紛拋售晶圓庫存以確保利潤和維持現金流，削弱了買(mǎi)家追求更高價(jià)格的熱情。盡管制造商計劃提高價(jià)格以增加利潤，但預計 2024 年第一季度 NAND Flash 晶圓合同價(jià)格僅溫和上漲約 8%-13%。

DRAM 內存漲勢洶洶

DRAM 方面也漲勢明顯。據中國臺灣電子時(shí)報報道，存儲器模塊廠(chǎng)商傳出，三星電子、美光等存儲器大廠(chǎng)，正規劃今年第一季度將 DRAM 價(jià)格調漲 15%-20%，從 1 月起執行，借此催促客戶(hù)提前規劃未來(lái)使用需求量。已有廠(chǎng)商透露收到三星的漲價(jià)預告。

業(yè)界人士稱(chēng)，上游原廠(chǎng)漲價(jià)焦點(diǎn)將從 NAND 轉移至 DRAM，DDR4、DDR5 有望成下一波調漲重點(diǎn)，以加速改善營(yíng)運虧損。至于 DDR3，其產(chǎn)能及需求相對穩定，預計漲幅相對平緩。

業(yè)界預期，隨著(zhù)上游原廠(chǎng)醞釀提價(jià) DRAM，多家存儲器模塊廠(chǎng)商各自收到風(fēng)聲啟動(dòng)備貨，預計供貨給 OEM 廠(chǎng)的合約價(jià)可望延后一個(gè)季度跟進(jìn)，即二季度起將全面反映 DRAM 漲勢。

對于上游原廠(chǎng)計劃在一季度啟動(dòng) DRAM 補漲行情，存儲器模塊廠(chǎng)商表示并不意外，目前市場(chǎng)需求尚未恢復穩定，DRAM 報價(jià)調漲仍然由上游原廠(chǎng)主導，行業(yè)已有預期，近月來(lái)已陸續回補低價(jià)庫存。

至于未來(lái) DRAM 漲幅能否如同 NAND Wafer 強勁攀升，仍需觀(guān)察后續市場(chǎng)需求。報道稱(chēng)，終端市場(chǎng)仍存在觀(guān)望氣氛，前兩個(gè)季度的市場(chǎng)表現非常關(guān)鍵，若主要應用出?？谛枨箜樌暯?，存儲器前景才會(huì )比較確定。

供給方面，業(yè)界指出，無(wú)論是 DRAM 或是 NAND，2023 年 Q4 上游供貨狀況并不緊缺，「前提是要能夠接受原廠(chǎng)提出的價(jià)格，只要價(jià)格對了，原廠(chǎng)都有貨可以賣(mài)?！?/p>

據了解，2024 年 Q1 DRAM 整體產(chǎn)能供應仍然偏向節制謹慎，未來(lái)供應商將會(huì )持續減產(chǎn)成熟制程，并轉向先進(jìn)制程技術(shù)。

整體而言，從行業(yè)周期角度看，海外大廠(chǎng)稼動(dòng)控制下存儲供需逐漸改善，主流存儲價(jià)格自 2023Q3 起持續回暖，并在 Q4 帶動(dòng)利基存儲價(jià)格觸底回升，去年 8 月末起，晶圓端漲價(jià)已開(kāi)始傳導至模組端。