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H-Jtag V1.0 燒寫(xiě)NOR Flash
- H-Jtag V1.0 燒寫(xiě)NOR Flash
- 關(guān)鍵字： H-Jtag V1. 燒寫(xiě)NOR Flash
ARM平臺數據為何會(huì )莫名其妙丟失
- Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線(xiàn)性宏單元模式存儲器，為固態(tài)大容量存儲的實(shí)現提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-Flash存儲器具有容量大，改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數據的存儲，因而越來(lái)越廣泛地應用在如嵌入式產(chǎn)品、智能手機、云端存儲資料庫等業(yè)界各領(lǐng)域?！ ?nbsp; 圖1 Nand-Flash與eMMC芯片 1.1存儲器件使用壽命 使用了Nand-Flash的主板出現丟數據掉程序現象，是一個(gè)讓無(wú)數工程師毛骨悚然的
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STM32的flash知識詳解
- 說(shuō)到STM32的flash，我們的第一反應是用來(lái)裝程序的，實(shí)際上，STM32的片內FLASH不僅用來(lái)裝程序，還用來(lái)裝芯片配置、芯片ID、自舉程序等等。當然， FLASH還可以用來(lái)裝數據?！ LASH分類(lèi) 根據用途，STM32片內的FLASH分成兩部分：主存儲塊、信息塊。 主存儲塊用于存儲程序，我們寫(xiě)的程序一般存儲在這里。 信息塊又分成兩部分：系統存儲器、選項字節。 系統存儲器存儲用于存放在系統存儲器自舉模式下的啟動(dòng)程序(BootLoader)，當使用ISP方
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兆易創(chuàng )新獲中芯支援擴產(chǎn)Nor Flash 短期恐對價(jià)格沖擊有限
- 據報導， Nor Flash 生產(chǎn)大廠(chǎng)兆易創(chuàng )新(Gigadevice)搶進(jìn) Nor Flash 市場(chǎng)，獲得代工龍頭中芯國際(SMIC)的支持，將提供兆易創(chuàng )新每月 2.5 萬(wàn)片，占全球 Nor Flash 約 30% 的產(chǎn)能，進(jìn)一步威脅臺灣大廠(chǎng)旺宏與華邦電。 不過(guò)，根據《科技新報》獨家取得的消息，中芯國際供應兆易創(chuàng )新的產(chǎn)能，僅為每月一萬(wàn)片。雖然對當前市場(chǎng)的供貨有所幫助，但是對價(jià)格的沖擊，短期可能有限。 存儲器業(yè)者透露表示，預定 2018 年第 1 季在兆易創(chuàng )新獲得中芯國際支持的產(chǎn)能陸續投片，
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東芝營(yíng)益飆升近80% 將加碼投資Flash
- 東芝(Toshiba)9日公布財報，受惠于存儲器需求暢旺，營(yíng)益飆升將近80%。該公司并宣布將加碼投資存儲器。 法新社、路透社、金融時(shí)報報導，東芝發(fā)布本財年第二季(7~9月)財報，營(yíng)收年增2.4%至1.24萬(wàn)億日圓，營(yíng)益飆升76%至1,351億日圓(12億美元)，高于路透訪(fǎng)調估計的1,245日圓。不過(guò)該季仍呈現虧損，凈損1,001億日圓。 東芝營(yíng)益大增，主因存儲器表現強勁，不過(guò)東芝已經(jīng)同意出售半導體事業(yè)子公司“東芝存儲器”(TMC)給予貝恩資本和SK海力士等集團，代價(jià)
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芯片加密后究竟能不能再次使用？
- 隨著(zhù)信息技術(shù)的發(fā)展，信息的載體-芯片的使用也越來(lái)越多了，隨之而來(lái)的芯片安全性的要求也越來(lái)越高了，各個(gè)芯片廠(chǎng)商對芯片保密性要求越來(lái)越高，芯片的加密，保證了芯片中的信息的安全性。經(jīng)常有客戶(hù)打電話(huà)過(guò)來(lái)問(wèn)，這個(gè)芯片加密了還能不能用啊。本文通過(guò)對芯片的加密的介紹來(lái)看看不同的Flash，MCU以及DSP加密的效果?！ ∫?、Flash類(lèi)型芯片的加密 Flash類(lèi)芯片(包括SPI?FLASH?,并行FLASH，NAND?FLASH等)加密后一般情況下都是禁止“寫(xiě)”以及“擦除”操作，通過(guò)
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Nand Flash編程應用難點(diǎn)淺析
- Nand Flash存儲器是flash存儲器的一種，為固態(tài)大容量?jì)却娴膶?shí)現提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND存儲器具有容量較大，改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數據的存儲，如嵌入式產(chǎn)品中包括數碼相機、記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等?！ ?989年，東芝公司發(fā)表了Nand Flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級。經(jīng)過(guò)十幾年的發(fā)展，NAND應用越來(lái)越廣泛，但是大多數工程師卻仍然不知道關(guān)于NAND應用的一些難點(diǎn)：分區、ECC糾錯、壞塊管理等。只有真正了
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flash介紹
閃存（Flash ROM）：
是一種電擦除非易失型存儲器，由浮柵型場(chǎng)效應管構成，寫(xiě)入時(shí)，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時(shí)，則利用高壓下的隧道效應，使浮柵失去電子。
FLASH閃存是半導體技術(shù)，內部是相對靜態(tài)的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導體技術(shù)發(fā)展很快，價(jià)格下降也很快，這是目前的MP3大多數是用FLASH閃存的原因。
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