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Flash數據為何不翼而飛
- 芯片貼板后跑不起來(lái)?Flash里面的數據在使用過(guò)程中莫名改變或不翼而飛?程序丟失可能無(wú)法正常運行，從而造成整個(gè)系統崩潰，下面我們來(lái)看看是什么原因讓數據異常變化?！ ?nbsp; 1、用戶(hù)代碼對Flash的誤操作不當引起程序丟失或被錯誤改寫(xiě) 例如，在有對Flash寫(xiě)入或擦除操作的代碼中，如果用戶(hù)誤調用了寫(xiě)入或擦除函數或者由于程序跑飛而恰好執行了Flash擦除或寫(xiě)入函數，這自然會(huì )導致數據丟失或改變。針對以上情況，可以在程序中設置多個(gè)允許操作的變量，當執行寫(xiě)入或擦除操作時(shí)，對
- 關(guān)鍵字： Flash 芯片
NAND Flash供不應求，第三季品牌商營(yíng)收大幅季成長(cháng)19.6%
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀(guān)察)最新調查顯示，受惠于智能手機需求強勁，及供給端2D-NAND 轉進(jìn)3D-NAND 所導致的整體產(chǎn)出減少，第三季NAND Flash開(kāi)始漲價(jià)，使得NAND Flash原廠(chǎng)營(yíng)收季成長(cháng)19.6%，營(yíng)業(yè)利益率也較上季大幅進(jìn)步。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，第四季各項終端設備出貨進(jìn)入今年最高峰，預估整體NAND Flash供不應求的市況將更為顯著(zhù)，各項NAND Flash產(chǎn)品的合約價(jià)漲幅將更高，廠(chǎng)商的營(yíng)收
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 英特爾
Flash缺貨，存儲器成為三星的搖錢(qián)樹(shù)
- NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇，缺貨現象可能延續到2017Q1。(法新社) 根據DIGITIMES的報導，NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇，缺貨現象可能延續到2017Q1以后。估計2017年DRAM供應量成長(cháng)率是15%，比2016年的32%低很多，而Flash更是從67%暴跌至35%。更值得注意的是，2016年投資金額為10兆韓元的記憶體產(chǎn)業(yè)，2017年將增加至13兆韓元，其中4兆韓元用于DRAM，Flash則約9兆韓元，遠不如原
- 關(guān)鍵字： Flash 存儲器
中國存儲三大勢力成形 各自進(jìn)擊
- 早前報導，中國存儲三大勢力成形，目前長(cháng)江存儲、晉華集成已積極展開(kāi)建廠(chǎng)、布建產(chǎn)能，就差合肥團隊還未有相關(guān)消息，現在相關(guān)招募信息與環(huán)評結果曝光，也透露更多發(fā)展信息。 中國發(fā)展存儲成三路進(jìn)擊，除了由武漢新芯與紫光合體組成的長(cháng)江存儲、聯(lián)電相助的福建晉華集成，第三勢力在兆易創(chuàng )新與前中芯CEO王寧國主導的合肥長(cháng)鑫合作下也蠢蠢欲動(dòng)，現在從兆易創(chuàng )新的招募消息與合肥長(cháng)鑫的環(huán)評公告，也可一窺其在合肥的布局。 合肥將發(fā)展存儲的消息已不是新聞，但原先傳出與合肥市政府合作的爾必達前社長(cháng)坂本幸雄，目前得到消息已淡出合
- 關(guān)鍵字： 長(cháng)江存儲 Flash
基于TMS320C6678的多核DSP加載模式研究
- 摘要：德州儀器TI推出的八核DSP芯片TMS320C6678是目前基于Keystone架構的最高性能的DSP器件，是市場(chǎng)上應用廣泛的C6455高端處理平臺升級的理想選擇。本文主要研究了C6678 DSP程序的各種單核加栽和多核加載的幾種模式
- 關(guān)鍵字： C6678 DSP flash boot 多核boot I2C引導 SRIO 網(wǎng)絡(luò )
如何將“壞塊”進(jìn)行有效利用
- 被廣泛應用于手機、平板等數碼設備中的Nand Flash由于工藝原因無(wú)法避免壞塊的存在，但是我們可以憑借高科技變廢為寶，將“壞塊”進(jìn)行有效的利用，從而滿(mǎn)足我們的應用需求，讓壞塊不“壞”。 要想變廢為寶，有效利用壞塊。我們首先要弄明白什么是“壞塊”，做到知己知彼，才能為我所用。壞塊的特點(diǎn)是當編程或者擦除這個(gè)塊時(shí)，不能將某些位拉高，從而造成編程和塊擦除操作時(shí)的錯誤，這種錯誤可以通過(guò)狀態(tài)寄存器的值反映出來(lái)。這些無(wú)效塊無(wú)法確定編程時(shí)
- 關(guān)鍵字： Nand Flash 寄存器
關(guān)于單片機中的flash和eeprom
- FLASH 和EEPROM的最大區別是FLASH按扇區操作，EEPROM則按字節操作，二者尋址方法不同，存儲單元的結構也不同，FLASH的電路結構較簡(jiǎn)單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比EEPROM低，因而適合用作程序存儲器，EEPROM則更多的用作非易失的數據存儲器。當然用FLASH做數據存儲器也行，但操作比EEPROM麻煩的多，所以更“人性化”的MCU設計會(huì )集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲器，而廉價(jià)型設計往往只有 FLASH，早期可電擦寫(xiě)型MCU則都是EEPRM結構，現在已基本上停產(chǎn)了。
- 關(guān)鍵字： 單片機 flash eeprom
NAND flash和NOR flash的區別詳解
- 我們使用的智能手機除了有一個(gè)可用的空間(如蘋(píng)果8G、16G等)，還有一個(gè)RAM容量，很多人都不是很清楚，為什么需要二個(gè)這樣的芯片做存儲呢，這就是我
- 關(guān)鍵字： NOR flash Nand flash FlaSh
flash介紹
閃存（Flash ROM）：
是一種電擦除非易失型存儲器，由浮柵型場(chǎng)效應管構成，寫(xiě)入時(shí)，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時(shí)，則利用高壓下的隧道效應，使浮柵失去電子。
FLASH閃存是半導體技術(shù)，內部是相對靜態(tài)的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導體技術(shù)發(fā)展很快，價(jià)格下降也很快，這是目前的MP3大多數是用FLASH閃存的原因。
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