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微軟:2021年所有版本W(wǎng)indows都將徹底刪除Adobe Flash Player

  • 由于Flash技術(shù)的使用量減少,以及HTML5、WebGL和WebAssembly等更好、更安全的技術(shù)出現,三年前,Adobe、微軟和其它行業(yè)技術(shù)伙伴同時(shí)宣布,將在2020年12月放棄Flash Player。微軟今天發(fā)布了一則對Adobe Flash Player的終止支持文檔,再次提醒用戶(hù)。微軟指出,2020年底,Microsoft Edge(新版和舊版)、IE11都將停止對Adobe Flash Player的支持。不過(guò),對于企業(yè)用戶(hù),還有轉圜余地。為了幫助此類(lèi)客戶(hù),Microsoft Edge將允
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游戲新機上市填補云端需求空缺 三季度NAND Flash價(jià)格波動(dòng)有限

  • 根據TrendForce內存儲存研究(DRAMeXchange)調查,盡管消費性產(chǎn)品及智能型手機受到疫情沖擊導致需求下降,但云端服務(wù)、遠距教學(xué)的需求也同步催生,加上部份客戶(hù)因擔憂(yōu)供應鏈中斷而提前備貨,促使NAND Flash市場(chǎng)在2020年第一季與第二季呈現缺貨。整體而言,目前需求以SSD占最大宗,與手機、消費性較相關(guān)的eMMC、UFS及wafer市場(chǎng)較為冷卻。根據TrendForce分析師葉茂盛指出,當前為NAND Flash第三季議價(jià)的關(guān)鍵時(shí)刻,初步觀(guān)察因新款游戲機的年底上市計劃不變,首次轉進(jìn)SSD的
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集邦咨詢(xún):數據中心需求大增,第一季NAND Flash營(yíng)收成長(cháng)8.3%

  • 根據集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)調查,2020年第一季NAND Flash(閃存)位元出貨量較前一季大致持平,加上平均銷(xiāo)售單價(jià)上漲,帶動(dòng)整體產(chǎn)業(yè)營(yíng)收季成長(cháng)8.3%,達136億美元。
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武漢新芯50nm高性能SPI NOR Flash產(chǎn)品全線(xiàn)量產(chǎn)

  • 近日,紫光集團旗下武漢新芯集成電路制造有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“武漢新芯”),一家領(lǐng)先的非易失性存儲供應商,宣布其采用50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC全線(xiàn)量產(chǎn),產(chǎn)品容量覆蓋16Mb到256Mb。該系列支持低功耗寬電壓工作,為物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設備和其它功耗敏感應用提供靈活的設計方案。
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集邦咨詢(xún):受新冠肺炎疫情擴大沖擊,NAND Flash均價(jià)可能提前于下半年反轉向下

  • 根據集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調查,雖然新冠肺炎疫情延燒,使得2020年第一季的終端產(chǎn)品出貨動(dòng)能格外疲弱,但在NAND Flash領(lǐng)域,因為2020年全年供給位元產(chǎn)出年成長(cháng)收斂至三成,加上各大供應商資本支出保守,第一季NAND Flash均價(jià)在淡季仍上漲約5%。
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華邦電進(jìn)軍車(chē)用、工業(yè)領(lǐng)域

  • 存儲器大廠(chǎng)華邦電近日宣布,開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款新型高速Octal NAND Flash產(chǎn)品,可望使高容量序列(Serial)介面NAND Flash成為當前Octal NOR Flash可行的低成本替代方案,解決NOR Flash容量愈大、成本愈高問(wèn)題。華邦電表示,Octal NAND Flash可望于1Gb以上儲存容量級別,提供車(chē)用與工業(yè)應用領(lǐng)域穩健可靠的儲存存儲器。
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武漢新芯推出50nm高性能SPI NOR Flash產(chǎn)品系列

  • 近日,紫光集團旗下武漢新芯集成電路制造有限公司,宣布推出業(yè)界先進(jìn)的50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC。該系列支持低功耗寬電壓工作,為物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設備和其它功耗敏感應用提供靈活的設計方案。
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??煽菔蔂€,程序存儲的空間也會(huì )變

  • 現如今,基本上所有的東西都打上了一個(gè)叫做“保質(zhì)期”的標簽。在電子產(chǎn)品那里,有一個(gè)更為專(zhuān)業(yè)一點(diǎn)的術(shù)語(yǔ),叫做“產(chǎn)品生命周期”。
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兆易SPI NOR Flash GD25LX256E榮獲“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng )新產(chǎn)品獎

  • 近日,?業(yè)界領(lǐng)先的半導體器件供應商兆易創(chuàng )新GigaDevice(股票代碼 603986)宣布,其旗下全新一代高速8通道SPI NOR Flash---GD25LX256E榮獲中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院頒發(fā)的2019年第十四屆“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng )新產(chǎn)品獎?!爸袊尽豹勴検悄壳皣鴥茸罹邫嗤耘c影響力的獎項之一,本屆共有125家芯片企業(yè)、累計187款芯片產(chǎn)品參與報名,基本涵蓋國內最具實(shí)力的集成電路企業(yè)和最具代表性的產(chǎn)品,是國內集成電路產(chǎn)品和技術(shù)發(fā)展的風(fēng)向標和大檢閱。此次SPI NOR Flash產(chǎn)品
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東芝存儲器最新發(fā)布XL-Flash技術(shù)

  • 據外媒報道,東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器(Storage Class Memory)解決方案:XL-Flash,該技術(shù)是基于創(chuàng )新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC,XL-Flash將為數據中心和企業(yè)存儲帶來(lái)了低延遲和高性能的解決方案,樣品預計將于下月送樣檢測,或將于2020年量產(chǎn)。
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NAND Flash 2020年新戰場(chǎng)暗潮洶涌 各家布局蓄勢待發(fā)

  • 受到東芝工廠(chǎng)停產(chǎn)及日韓貿易戰導致存儲器價(jià)格將反轉契機出現,NAND Flash價(jià)格調漲從7月開(kāi)始顯現,而國際大廠(chǎng)之間的技術(shù)競爭更是暗潮洶涌。
  • 關(guān)鍵字: 三星電子  東芝存儲器  NAND Flash  3D XPoint  Z-NAND  

停電余威沖擊NAND Flash出貨 價(jià)格維持小跌

  • 日本三重縣四日市日前發(fā)生停電意外,市場(chǎng)傳出存儲器大廠(chǎng)東芝存儲器(TMC)當地營(yíng)運的5座 NAND Flash工廠(chǎng)的營(yíng)運中斷,盡管東芝存儲器尚未對外說(shuō)明影響,但據傳出,合作投資的威騰(WD)已通知客戶(hù)可能無(wú)法按照原定時(shí)程出貨。
  • 關(guān)鍵字: ?威騰  東芝存儲器  NAND Flash  

數據存儲很重要,這塊把錢(qián)省不掉?

  • 多日后,當李工在領(lǐng)導面前拍著(zhù)桌子指責我的時(shí)候,我才知道,原來(lái)我倆在項目啟動(dòng)會(huì )上的交鋒早已埋下了日后沖突的種子。
  • 關(guān)鍵字: 數據存儲  EEPROM  Flash  

2019年全球Flash支出達260億美元 連續3年高于DRAM與晶圓代工支出

  • 盡管隨著(zhù)主要存儲器業(yè)者已完成或即將完成Flash存儲器產(chǎn)量擴增計劃,2019年全球半導體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出將會(huì )大幅下滑,但該支出金額仍然會(huì )繼續高于各業(yè)者在DRAM與晶圓代工業(yè)務(wù)上的支出?! CInsights最新資料顯示,2016年全球半導體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出金額為144億美元,低于同年晶圓代工業(yè)務(wù)資本支出金額的219億美元?!?/li>
  • 關(guān)鍵字: DRAM  晶圓  Flash  

美光行使認購期權,收購在IM Flash Technologies 合資公司中的剩余股份

  •   美光科技股份有限公司(納斯達克股票代碼:MU)今日宣布公司正在行使其認購期權,收購英特爾在雙方合資公司 IM Flash Technologies, LLC (簡(jiǎn)稱(chēng)“IM Flash”) 中的權益。2018 年 10 月 18 日,美光宣布了其行使期權的意向?!  笆召?IM Flash 將使美光加速研發(fā)進(jìn)程,并優(yōu)化 3D Xpoint 制造計劃,”美光科技總裁兼首席執行官 Sanjay Mehrotra 說(shuō)?!蔼q他州的工廠(chǎng)將幫助我們提升生產(chǎn)制造柔性,配備高技術(shù)型人才隊伍,以推動(dòng) 3D Xpo
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flash介紹

閃存(Flash ROM): 是一種電擦除非易失型存儲器,由浮柵型場(chǎng)效應管構成,寫(xiě)入時(shí),利用熱電子注入,使浮柵帶電;擦除時(shí),則利用高壓下的隧道效應,使浮柵失去電子。 FLASH閃存是半導體技術(shù),內部是相對靜態(tài)的,體積小,抗震性很高(便于攜帶)。加上半導體技術(shù)發(fā)展很快,價(jià)格下降也很快,這是目前的MP3大多數是用FLASH閃存的原因。 [ 查看詳細 ]

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