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DSP硬件設計需要知道的注意事項

  • 數字信號處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時(shí)鐘性能超過(guò)100MHZ)和高速先進(jìn)外圍設備,通過(guò)CMOS處理技術(shù),DSP芯片的功耗越來(lái)越低。這些巨大的進(jìn)步增加了DSP
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從Flash和SRAM中觸發(fā)中斷的過(guò)程示例

  • 使用LPC2106的Timer 1 進(jìn)行的簡(jiǎn)單的中斷處理。示例代碼中Timer1分為FIQ和IRQ,用戶(hù)可以從Flash或者SRAM中運行這些代碼。示例展示了ARM構架中中斷是如何操作
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NAND Flash合約價(jià) 恐一路跌到年底

  • 市調機構集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange調查顯示,第4季各項NAND Flash終端需求確立旺季不旺,加上廠(chǎng)商庫存水位依舊偏高,采購意愿薄弱,
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如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過(guò)程位反轉

  • 如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過(guò)程位反轉,關(guān)于使用燒錄器燒錄Nand Flash,一直都是很多用戶(hù)頭疼的難點(diǎn),他們強調已經(jīng)使用了正確的壞塊管理方案,也制定了規范的操作流程,但是燒錄的良品率還是無(wú)法提高,只能每天眼睜睜看著(zhù)一盤(pán)盤(pán)“廢品”被燒錄器篩選出來(lái)!
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東芝跑第一,64 層 3D Flash 開(kāi)始試產(chǎn)送樣

  •   據海外媒體報道,韓國三星電子為全球第一家量產(chǎn) 3D 架構 NAND 型快閃存儲器(Flash Memory)的廠(chǎng)商,不過(guò)其N(xiāo)AND Flash 最大競爭對手東芝(Toshiba)追趕速度驚人,宣布已領(lǐng)先全球同業(yè),研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 產(chǎn)品(見(jiàn)首圖),且開(kāi)始進(jìn)行送樣。   東芝 27 日發(fā)布新聞稿宣布,已研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 制程技術(shù),并自今日起領(lǐng)先全球同業(yè)開(kāi)始進(jìn)行樣品出貨,且預計將透過(guò)甫于 7 月完工的四日市工廠(chǎng)“新第 2 廠(chǎng)房”進(jìn)行生
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全快閃儲存導入新型Flash存儲器以降低成本、生態(tài)大洗牌

  •   許多廠(chǎng)商開(kāi)始將重心轉移到降低全快閃儲存陣列的成本,如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導入低成本的TLCFlash記憶體;眾多廠(chǎng)商爭相發(fā)展全快閃儲存陣列,也改變了既有的全快閃儲存市場(chǎng)消長(cháng)   在全快閃儲存陣列這類(lèi)型產(chǎn)品誕生初期,唯一的賣(mài)點(diǎn)便是高效能,應用面向也局限于線(xiàn)上交易處理等高IO需求領(lǐng)域。為了擴展應用環(huán)境,后來(lái)的全快閃儲存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。   我們可以把全快閃儲存陣列的發(fā)展分為4個(gè)階段:   第一階段是效能導向。提供高效能,是全快閃儲存陣列這類(lèi)產(chǎn)品誕生的目的,早期的全快閃儲存陣列
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全快閃儲存導入新型Flash存儲器以降低成本、生態(tài)大洗牌

  •   許多廠(chǎng)商開(kāi)始將重心轉移到降低全快閃儲存陣列的成本,如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導入低成本的TLC Flash記憶體;眾多廠(chǎng)商爭相發(fā)展全快閃儲存陣列,也改變了既有的全快閃儲存市場(chǎng)消長(cháng)   在全快閃儲存陣列這類(lèi)型產(chǎn)品誕生初期,唯一的賣(mài)點(diǎn)便是高效能,應用面向也局限于線(xiàn)上交易處理等高IO需求領(lǐng)域。為了擴展應用環(huán)境,后來(lái)的全快閃儲存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。   我們可以把全快閃儲存陣列的發(fā)展分為4個(gè)階段:   第一階段是效能導向。提供高效能,是全快閃儲存陣列這類(lèi)產(chǎn)品誕生的目的,早期的全快閃儲存陣
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中國半導體存儲器市場(chǎng)前景

  • 本文介紹了存儲器芯片分類(lèi),國際存儲芯片廠(chǎng)商的發(fā)展情況,及我國存儲芯片供需情況。
  • 關(guān)鍵字: 存儲器  市場(chǎng)  DRAM  Flash  201607  

NAND Flash供貨吃緊態(tài)勢明顯 價(jià)格走揚

  •   第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯,TLC-Wafer與現貨卡片價(jià)格自4月初以來(lái)已連續三個(gè)月份逐步走揚。   TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報價(jià)顯示,第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯,TLC-Wafer與現貨卡片價(jià)格自4月初以來(lái)已連續三個(gè)月份逐步走揚,而近一個(gè)月漲幅開(kāi)始增加。   DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,NAND Flash原廠(chǎng)持續降低對于通路(Channel)的供貨比重來(lái)滿(mǎn)足eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟(SS
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火災后瘋7供應商三星Flash廠(chǎng)部分復工

  • 三星西安工廠(chǎng)受到變電站爆炸停電影響,對供應緊張的NAND Flash雪上加霜,不過(guò)事故后回復速度很快,給當地供電局和三星應急處理點(diǎn)個(gè)贊。
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下半年NAND Flash一定缺貨,且會(huì )非常缺

  •   全球儲存型快閃記憶體(NAND Flash)晶片最大供應商慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章昨(21)日表示,固態(tài)硬碟(SSD)價(jià)格已到甜蜜點(diǎn),今年出貨將大爆發(fā),成為成長(cháng)最強勁的記憶體產(chǎn)品;法人預估臺廠(chǎng)概念股群聯(lián)、創(chuàng )見(jiàn)、威剛、宇瞻、廣穎、宜鼎等,可望掀比價(jià)效應。   慧榮是以臺灣為研發(fā)重心,立足全球的國際公司,上周五(20日)股價(jià)以每股42.19美元創(chuàng )2005年6月在美國那斯達克掛牌以來(lái)新高,市值達1.48億美元(約新臺幣48.5億元),同創(chuàng )歷史新高。   茍嘉章昨天主持慧榮愛(ài)心園游會(huì )后,針對今年NAND Fl
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發(fā)展Flash晶圓制造的四大投資方向

  •   中國大陸業(yè)者在NANDFlash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開(kāi)展,成為中國大陸半導體業(yè)揮軍全球的下一波焦點(diǎn)。   某研究所最新研究報告顯示,隨著(zhù)紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠(chǎng),及國際廠(chǎng)如三星、英特爾增加產(chǎn)能,預估2020年中國大陸國內Flash月產(chǎn)能達59萬(wàn)片,相較于2015年增長(cháng)近7倍。        預估2012~2016年NANDFlash生產(chǎn)端年平均位元增長(cháng)率達47%,其最終消費端需求年平均位增長(cháng)率亦高達46%,顯示NANDFlash仍為高速發(fā)展產(chǎn)業(yè)。   拓墣
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TrendForce:2020年中國大陸國內Flash月產(chǎn)能上看59萬(wàn)片

  •   中國大陸業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開(kāi)展,成為中國大陸半導體業(yè)揮軍全球的下一波焦點(diǎn)。TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報告顯示,隨著(zhù)紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠(chǎng),及國際廠(chǎng)如三星、英特爾增加產(chǎn)能,預估2020年中國大陸國內Flash月產(chǎn)能達59萬(wàn)片,相較于2015年增長(cháng)近7倍。   TrendForce預估2012~2016年NAND Flash生產(chǎn)端年平均位元增長(cháng)率達47%,其最終消費端需求年平均位增長(cháng)率亦高達46%,顯示NAND Flash仍為高速發(fā)
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Flash芯片你都認識嗎?

  •   Flash存儲器,簡(jiǎn)稱(chēng)Flash,它結合了ROM和RAM的長(cháng)處,不僅具備電子可擦除可編程的性能,還不會(huì )因斷電而丟失數據,具有快速讀取數據的特點(diǎn);在現在琳瑯滿(mǎn)目的電子市場(chǎng)上,Flash總類(lèi)可謂繁多,功能各異,而你對它了解有多少呢?  為了讓大家更深入了解Flash,今天將主要根據芯片的通信協(xié)議并且結合Flash的特點(diǎn),給大家一個(gè)全新認識?! ∫?、IIC?EEPROM  IIC?EEPROM,采用的是IIC通信協(xié)議;IIC通信協(xié)議具有的特點(diǎn):簡(jiǎn)單的兩條總線(xiàn)線(xiàn)路,一條串行數據線(xiàn)(SDA)
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Flash與SAS硬碟價(jià)格2015年恐現死亡交叉

  •   資料儲存解決方案大廠(chǎng)NetApp表示,經(jīng)由云端與Flash兩股推力驅動(dòng),讓近年IT基礎架構進(jìn)入新一波的轉型期,其中2016年經(jīng)由融合式基礎架構(Converged Infrastructure)、DevOps(Development and Operations)系統工具應用性竄升,將讓2016年成為IT的精簡(jiǎn)之年。   此外值得注意的是,TLC架構的Flash存儲器借由需求性提升及單位成本快速下降,預期今年每GB的FLash價(jià)格也將較SAS硬碟更低,并讓All Flash資料中心的將進(jìn)入主流儲存領(lǐng)
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flash介紹

閃存(Flash ROM): 是一種電擦除非易失型存儲器,由浮柵型場(chǎng)效應管構成,寫(xiě)入時(shí),利用熱電子注入,使浮柵帶電;擦除時(shí),則利用高壓下的隧道效應,使浮柵失去電子。 FLASH閃存是半導體技術(shù),內部是相對靜態(tài)的,體積小,抗震性很高(便于攜帶)。加上半導體技術(shù)發(fā)展很快,價(jià)格下降也很快,這是目前的MP3大多數是用FLASH閃存的原因。 [ 查看詳細 ]

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