臺積電采購EUV 2018年或邁入7納米時(shí)代
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編者按：按照現在量產(chǎn)產(chǎn)品工藝進(jìn)展的速度，幾乎可以預見(jiàn)的是，2018年上7納米的愿望很美好，但是實(shí)際情況卻困難重重，幾乎是不太可能的事，即便在技術(shù)上能實(shí)現，在商業(yè)上來(lái)看也不能算是理性的選擇。
歐洲半導體設備大廠(chǎng)ASML透露，晶圓代工大廠(chǎng)臺積電(TSMC)計劃在2015年采購兩套超紫外光(EUV)掃描機，或將探底至7納米的工藝技術(shù)節點(diǎn)。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/266782.htm根據ASML資深副總裁FritsvanHout的描述，臺積電采購的EUV掃描機是針對10納米工藝應用。他預期，臺積電可能最快在2018年以采購ASML的EUV掃描機展開(kāi)7納米工藝芯片量產(chǎn)。
在11月24日舉行的倫敦法說(shuō)會(huì )上，ASML宣布接獲臺積電2臺NXE：3350BEUV系統訂單，預計于2015年出貨，用于量產(chǎn)。ASML表示，業(yè)界可能會(huì )開(kāi)始傾向于支持EUV技術(shù)。
臺積電在2012年8月便曾表示，同意投資ASML約85.4億元，以確保取得最新的量產(chǎn)技術(shù)知識。此次采用EUV設備，臺積電可能成為下一代半導體微影主流技術(shù)的第一波推動(dòng)者。
臺積電共同執行長(cháng)劉德音說(shuō)，他希望該套設備能在2015年年底準備好試產(chǎn)，并在2016年正式生產(chǎn)。
ASML估計邏輯電路會(huì )最早使用EUV工藝，將在2016年的10納米節點(diǎn)上實(shí)現量產(chǎn)，NAND閃存會(huì )在2019開(kāi)始啟用EUV工藝，DRAM及MPU產(chǎn)品則會(huì )在2018年進(jìn)入EUV時(shí)代。如果一切順利，ASML預計2020年前會(huì )出貨50臺~60臺EUV設備，營(yíng)收達到120億美元。
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