EUV遭受新挫折 半導體10nm工藝步伐蹉跎

　　ASML的量產(chǎn)型EUV光刻機在TSMC現場(chǎng)初試時(shí)出現失誤。

　　在2014年加州SanJose舉行的先進(jìn)光刻技術(shù)會(huì )議上TSMC演講中透露此消息，由于EUV光源內的激光機械部分出現異位導致光源破裂。因此EUV光刻機停擺。TSMC的下一代光刻部經(jīng)理JackChen證實(shí)僅是激光的機械部分故障。

　　ASML/Cymer計劃迅速解決問(wèn)題，按Chen的看法，EUV仍有希望。盡管EUV光刻出現問(wèn)題但是TSMC計劃在10nm節點(diǎn)時(shí)能用上EUV。

　　近期EUV光刻機出現一系列的問(wèn)題被曝光。有些專(zhuān)家認為在TSMC現場(chǎng)出現的光源故障對于EUV的實(shí)用性，尤其是對于未來(lái)的量產(chǎn)型EUV光刻機客戶(hù)會(huì )產(chǎn)生疑惑，可能會(huì )延續一段時(shí)間。

　　目前對于EUV光刻機的問(wèn)題集中在光源，實(shí)際上尚有不少問(wèn)題待解決，如EUV的掩膜與光刻膠等。

　　光源問(wèn)題

　　ASML的第一代量產(chǎn)型EUV光刻機NXE;3300B近期己運抵TSMC。而Intel，Samsung和其它客戶(hù)都有望在今年也拿到設備。這類(lèi)EUV光刻機的數值孔徑(NA)0.33，4X放大及分辨率為22nm(half-pitch)。

　　運抵TSMC的NXE3300B裝上ASML/Cymer的30瓦EUV光源。按TSMC說(shuō)法，原試車(chē)計劃在1月31日前舉行，但是由于激光的機械部分出現故障，導致設備停擺。直到2月24日設備仍不能開(kāi)動(dòng)。

　　此類(lèi)光源由Cymer公司研發(fā)，近期它己被ASML兼并。ASML/Cymer曾經(jīng)承諾在2012年底時(shí)提供100瓦光源。但是至今Cymer在實(shí)驗室里能提供40-50瓦光源。

　　Chen說(shuō)，可能是EUV光源的內部件出現故障，即集光鏡。此類(lèi)EUV光源是基于激光型plasma(LPP)技術(shù)。在LPP中由激光脈沖產(chǎn)生的等離子體射中靶子。光源也利用一種pre-pulselaser和一種主振功率放大器(MOPA)來(lái)邦助提高光源的功率。

　　當一個(gè)55瓦光源可使EUV光刻機的硅片通過(guò)量達到每小時(shí)43片，顯然從產(chǎn)業(yè)角度至少需要80瓦光源，而且能穩定連續的工作。因為當光源功率在80瓦時(shí)可以每小時(shí)58片。ASML的計劃在2015年時(shí)光源功率能達到250瓦，可實(shí)現每小時(shí)126片。