集邦咨詢(xún)：2023Q4 NAND 價(jià)格預估增長(cháng) 3-8%，DRAM 要開(kāi)啟增長(cháng)周期

IT之家 9 月 27 日消息，存儲制造商在經(jīng)歷了有史以來(lái)最長(cháng)的下降周期之后，終于看到了 DRAM 市場(chǎng)復蘇的希望。根據集邦咨詢(xún)報道，伴隨著(zhù)主要存儲制造商的持續減產(chǎn)，已經(jīng)市場(chǎng)去庫存效果顯現，預估 NAND Flash 價(jià)格回暖之后，DRAM 價(jià)格也會(huì )上漲。

NAND 閃存供應商為減少虧損，2023 年以來(lái)已經(jīng)進(jìn)行了多次減產(chǎn)，目前相關(guān)效果已經(jīng)顯現，消息稱(chēng) 8 月 NAND Flash 芯片合約價(jià)格出現反彈，9 月繼續上漲。

行業(yè)巨頭三星繼續減產(chǎn)，主要集中在 128 層以下產(chǎn)品中，在 9 月產(chǎn)量下降了 50%，促使其他制造商效仿。

市場(chǎng)專(zhuān)家還預測，NAND 閃存價(jià)格將在第 4 季度繼續上漲。集邦咨詢(xún)對第 4 季度 NAND 閃存價(jià)格持樂(lè )觀(guān)態(tài)度，估計增長(cháng)約 3% 至 8%，高于最初預測的 0% 至 5%。

IT之家援引集邦咨詢(xún)觀(guān)點(diǎn)，DRAM 的復蘇要稍微晚一些，預估將于今年第 4 季度開(kāi)始上漲，標志著(zhù)新一輪增長(cháng)周期的開(kāi)始。

業(yè)內專(zhuān)家指出，DRAM 價(jià)格上漲不僅是由于減產(chǎn)和庫存清倉等因素，還與人工智能市場(chǎng)有關(guān)。由 AI 應用驅動(dòng)的數據中心市場(chǎng)對 DDR5 的需求有限，導致價(jià)格早期飆升。