1γ DRAM、321層NAND！存儲大廠(chǎng)先進(jìn)技術(shù)競賽仍在繼續

盡管由于經(jīng)濟逆風(fēng)、高通貨膨脹影響，存儲產(chǎn)業(yè)身處下行周期，但存儲大廠(chǎng)對于先進(jìn)技術(shù)的競賽仍在繼續。

對DRAM芯片而言，先進(jìn)制程意味著(zhù)高能效與高容量，以及更好的終端使用體驗。當前，DRAM先進(jìn)制程工藝——10nm級別目前來(lái)到了第五代，美光稱(chēng)之為1β DRAM，三星稱(chēng)之為1b DRAM。

美光去年10月開(kāi)始量產(chǎn)1β DRAM之后，計劃于2025年量產(chǎn)1γ DRAM，這將是美光第1代采用極紫外光（EUV）的制程技術(shù)，目前在美光只在臺中有EUV的制造工廠(chǎng)，因此1γ制程勢必會(huì )先在臺中廠(chǎng)量產(chǎn)，未來(lái)日本廠(chǎng)也有望導入EUV設備。三星計劃于2023年進(jìn)入1bnm工藝階段，芯片容量將達到 24Gb（3GB）- 32Gb（4GB），原生速度將在6.4-7.2Gbp。

NAND Flash領(lǐng)域，目前NAND Flash已經(jīng)突破200層堆疊大關(guān)，存儲廠(chǎng)商正持續發(fā)力更高層數。8月9日SK海力士便在2023閃存峰會(huì )（Flash Memory Summit 2023）上，首次展示了全球首款321層NAND閃存樣品，效率比上一代238層512Gb提高了59%。SK海力士表示將進(jìn)一步完善321層NAND閃存，并計劃于2025年上半期開(kāi)始量產(chǎn)。

除此之外，美光計劃232層之后推出2YY、3XX與4XX等更高層數產(chǎn)品；鎧俠與西數也在積極探索300層以上、400層以上與500層以上的3D NAND技術(shù)；三星則計劃2024年推出第九代3D NAND（有望達到280層），2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達到430層），2030年前實(shí)現1000層NAND Flash。