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IC Insights：存儲器市場(chǎng)前景好，DRAM、NAND報價(jià)調升兩倍
- DRAM、NAND 快閃存儲器價(jià)格漲不停，促使半導體研究機構 IC Insights 將今年全球芯片成長(cháng)預估調升兩倍。 IC Insights 最新預期 2017 年全球芯片產(chǎn)值將成長(cháng) 11%，兩倍高于原先估計的 5%。IC Insights 解釋原因為 DRAM、NAND 快閃存儲器展望明顯上修。 IC Insights 現在預期今年 DRAM 銷(xiāo)售額有望跳增 39%、NAND 快閃存儲器有望成長(cháng) 25%，隨著(zhù)報價(jià)走揚，未來(lái)兩者都還有進(jìn)一步上修的可能。 IC Insights 指出
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM
2015年大陸貢獻全球IC需求29%,供給僅4%
- 2013年，中國從海外進(jìn)口了2,330億美元的半導體，進(jìn)口金額首度超越石油，也促成了中國「半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展綱要」的出現，并在2014年9月募集第一波的「大基金」。 2015年，半導體的進(jìn)口金額維持2,307億美元的高檔，大約貢獻了全球29%的半導體需求量，但中國能自己供應的比重僅有4%。 中國政府希望到2020年為止，能夠維持每年20%的成長(cháng)。 相較于海外的購并工作不斷的受到干擾，中國顯然更積極于自建工廠(chǎng)的努力。 整體而言，我們可以用「自建工廠(chǎng)」，發(fā)展3D Flash，也同步發(fā)展材料設備業(yè)等幾個(gè)字
- 關(guān)鍵字： IC DRAM
三星美光1xnm DRAM 接連出狀況，市場(chǎng)供貨吃緊仍沒(méi)改善
- 自 2016 年中開(kāi)始，DRAM 內存供貨不足，造成市場(chǎng)價(jià)格全面上漲的情況，如今又要多加一個(gè)變量。 那就是 DRAM 內存的市場(chǎng)龍頭三星，在 2017 年 2 月中旬陸續召回部分序號的 18 奈米制程的內存模塊，并且再重新出貨給客戶(hù)之后，仍然發(fā)生有瑕疵的狀況。 而且，此事件已影響了名列前茅的 PC 大廠(chǎng)在 DPPM (每百萬(wàn)臺的不良率) 有大幅提升的狀況。 再加上，不僅是三星出現這樣的情況，連美光 (Micron) 的 17 奈米制程 PC DRAM 內存模塊都有類(lèi)似的情形發(fā)生，如此也為 2017 年
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
紫光國芯第四代DRAM存儲器成功通過(guò)科技成果評價(jià)
- 2017年3月22日，受工業(yè)和信息化部電子科學(xué)技術(shù)情報研究所委托，北京中企慧聯(lián)科技發(fā)展中心在北京主持召開(kāi)由紫光國芯股份有限公司/西安紫光國芯半導體有限公司自主研發(fā)的“高性能第四代DRAM存儲器”科技成果評價(jià)會(huì )。 北京中企慧聯(lián)評價(jià)機構嚴格按照《科技成果評價(jià)試點(diǎn)暫行辦法》的有關(guān)規定和要求，秉承客觀(guān)、公正、獨立的原則，聘請同行專(zhuān)家對該項科技成果進(jìn)行了評價(jià)。評價(jià)委員會(huì )聽(tīng)取了項目完成單位的技術(shù)總結報告，對評價(jià)資料進(jìn)行了審查，經(jīng)嚴格質(zhì)詢(xún)和充分討論形成了評價(jià)意見(jiàn)。 &nb
- 關(guān)鍵字： 紫光國芯 DRAM
韓國與大陸技術(shù)差距僅剩3~5年？SK海力士提前應對專(zhuān)利紛爭
- 大陸存儲器正在迅猛發(fā)展，去年紫光主導的長(cháng)江存儲在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地引起全球關(guān)注，韓國業(yè)界對此評估稱(chēng)，韓國與大陸廠(chǎng)商間的技術(shù)差距僅剩3~5年。有消息指出，為避免再度上演類(lèi)似過(guò)去與Rambus、東芝等半導體同業(yè)間的專(zhuān)利大戰，SK海力士近期特意與專(zhuān)利分析團隊中新成立大陸工作小組，以研究學(xué)習大陸商業(yè)法、專(zhuān)利法等相關(guān)法律。 據韓媒亞洲經(jīng)濟引述SK海力士?jì)炔肯⒎Q(chēng)，SK海力士的大陸專(zhuān)利分析小組將采取無(wú)固定編制、相關(guān)成員可自由參與研究學(xué)習大陸專(zhuān)利法等相關(guān)法律的模式。因大陸半導體技術(shù)暫時(shí)還
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM
韓國與大陸技術(shù)差距僅剩3~5年？SK海力士提前應對專(zhuān)利紛爭
- 大陸存儲器正在迅猛發(fā)展，去年紫光主導的長(cháng)江存儲在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地引起全球關(guān)注，韓國業(yè)界對此評估稱(chēng)，韓國與大陸廠(chǎng)商間的技術(shù)差距僅剩3~5年。有消息指出，為避免再度上演類(lèi)似過(guò)去與Rambus、東芝等半導體同業(yè)間的專(zhuān)利大戰，SK海力士近期特意與專(zhuān)利分析團隊中新成立大陸工作小組，以研究學(xué)習大陸商業(yè)法、專(zhuān)利法等相關(guān)法律。 據韓媒亞洲經(jīng)濟引述SK海力士?jì)炔肯⒎Q(chēng)，SK海力士的大陸專(zhuān)利分析小組將采取無(wú)固定編制、相關(guān)成員可自由參與研究學(xué)習大陸專(zhuān)利法等相關(guān)法律的模式。因大陸半導體技術(shù)暫時(shí)還
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Micron宣布在臺成立DRAM卓越制造中心
- Micron 宣布于本月14日成功標得達鴻先進(jìn)科技的拍賣(mài)資產(chǎn)，并將以此建立Micron在臺之后段生產(chǎn)基地。Micron現已取得這新生產(chǎn)基地之所有權。 經(jīng)由此收購案， Micron取得與其臺中廠(chǎng)相鄰的無(wú)塵室和設備，并將使Micron 的晶圓制造與后段封測得以集中于同一據點(diǎn)，并專(zhuān)注于建立集中式的后段封測營(yíng)運。 全球制造副總裁Wayne Allan指出：“此舉為Micron在臺建立DRAM卓越制造中心的重要一步。將晶圓制造和后段封測結合在同一地點(diǎn)，構建一個(gè)完整連貫的高效制造支援組織，
- 關(guān)鍵字： Micron DRAM
DRAM與NAND差別這么大，存儲之爭都爭啥？
- 什么是DRAM? DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器，最為常見(jiàn)的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時(shí)間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次，如果存儲單元沒(méi)有被刷新，存儲的信息就會(huì )丟失。 (關(guān)機就會(huì )丟失數據) 工作原理 動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復用來(lái)組成的?！ ?nbsp;
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
內存霸主三星擴產(chǎn) 恐讓下半年DRAM漲勢止歇
- 全球內存龍頭三星電子傳出將進(jìn)行DRAM擴產(chǎn)計劃，業(yè)界認為，由于建廠(chǎng)時(shí)間還要兩年，難解今年缺貨窘境，不過(guò)受心理層面影響，恐讓下半年DRAM漲勢止歇。 三星決定斥資87億美元，擴充南韓華城廠(chǎng)DRAM產(chǎn)能。 三星表示，新產(chǎn)線(xiàn)約需兩年時(shí)間建造，將視研發(fā)進(jìn)度和制程轉換良率，決定生產(chǎn)18nm或更先進(jìn)制程的DRAM。 對于今年DRAM供需，稍早包括南亞科總經(jīng)理李培瑛、創(chuàng )見(jiàn)董事長(cháng)束崇萬(wàn)，及威剛董事長(cháng)長(cháng)陳立白都表示，今年DRAM因主要供應大廠(chǎng)將產(chǎn)能挪移生產(chǎn)儲存型閃存(NAND Flash)，且只做DRAM
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楊士寧：為何長(cháng)江存儲決定跨入存儲領(lǐng)域？
- 長(cháng)江存儲執行長(cháng)楊士寧點(diǎn)出，為何長(cháng)江決定跨入存儲領(lǐng)域?他表示，半導體組件可分為四大塊領(lǐng)域：首要運算CPU、存儲、通訊及第四部分涵蓋了物聯(lián)網(wǎng)(IoT)感測器、模擬IC等較為分散的領(lǐng)域。然CPU領(lǐng)域行業(yè)生態(tài)較為復雜、通訊芯片領(lǐng)域也已經(jīng)形成fabless+foundry穩固態(tài)勢，大舉跨入存儲這一領(lǐng)域仍是大有可為的。楊士寧精準點(diǎn)出了大陸發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)的戰略思考。分析指出，大陸當下大力發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)是正確的。 楊士寧分析，從半導體存儲器技術(shù)分類(lèi)來(lái)看，目前DRAM和NAND閃存儲存的總產(chǎn)值占全球存儲器產(chǎn)業(yè)的95%
- 關(guān)鍵字： 長(cháng)江存儲 DRAM
打造臺灣DRAM中心 美光27億買(mǎi)下達鴻廠(chǎng)房
- 美光昨(14)日以新臺幣27.52億元標下TPK-KY宸鴻轉投資公司達鴻臺中廠(chǎng)房。美光表示，標下的臺中廠(chǎng)房未來(lái)將用于DRAM先進(jìn)封測技術(shù)發(fā)展，與美光中科及華亞科廠(chǎng)房進(jìn)行資源整合，打造中國臺灣地區DRAM中心。 達鴻位在中科后里園區廠(chǎng)房及設備昨由臺中法院委外法拍，最后由美光以新臺幣27.52億元得標，廠(chǎng)房占地約4公頃，土地面積約20，729坪。達鴻于2015年11月5日向臺中地方法院聲請重整及緊急處分，并于隔年7月22日宣告破產(chǎn)，此后臺中法院隨即進(jìn)行強制拍賣(mài)廠(chǎng)房及設備的流程作業(yè)。 達鴻為F-
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM
2017年整體DRAM市場(chǎng)供貨吃緊 第一季價(jià)格漲10~15％
- 臺灣南亞科總經(jīng)理李培瑛表示，今年整體DRAM市場(chǎng)供貨吃緊，上半年平均銷(xiāo)售單價(jià)持續走揚，預期第一季平均銷(xiāo)售單價(jià)季增10~15%，公司的毛利率相較上季可望有顯著(zhù)的提升，第二季價(jià)格也將續揚，下半年仍看審慎樂(lè )觀(guān)，預期價(jià)格波動(dòng)不大。 南亞科指出，今年DRAM在供給方面，前三大廠(chǎng)皆以提高新制程比例增加產(chǎn)出為主，并未大幅擴張新產(chǎn)能。 預期2017年供給年成長(cháng)約20%。 在需求方面，預期2017年DRAM需求成長(cháng)穩定，成長(cháng)主力來(lái)自手機及服務(wù)器的搭載量增加，預估整體年增率高于22%。 因此，今年DRAM市場(chǎng)
- 關(guān)鍵字： DRAM
DRAM漲價(jià)成為投資動(dòng)力 美光聯(lián)手華亞科求自保
- 華亞科并入美光后,本月正式更名為美光臺灣分公司桃園廠(chǎng),美光也計劃擴大投資臺灣,將在臺中建立后段DRAM封測廠(chǎng),相關(guān)投資將在標購達鴻位在后里中科園區的廠(chǎng)房后立即啟動(dòng)。 美光目前主要生產(chǎn)據點(diǎn)在桃園和臺中,合并后員工超過(guò)6,000人。 位于原華亞科的桃園廠(chǎng)主要以20納米制程生產(chǎn)DRAM生產(chǎn)重鎮,單月產(chǎn)能10萬(wàn)片;臺中廠(chǎng)以25納米為主力,月產(chǎn)能逾8萬(wàn)片,但已進(jìn)行1x納米制程開(kāi)發(fā)試產(chǎn),預定下半年正式生產(chǎn)出貨。 美光將以臺灣為DRAM主要生產(chǎn)據點(diǎn),除制造端外,也計劃往后段和產(chǎn)品應用和設計進(jìn)行整合
- 關(guān)鍵字： DRAM 美光
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機存儲器最為常見(jiàn)的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時(shí)間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒(méi)有被刷新，存儲的數據就會(huì )丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應用。
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細 ]
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