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三星投26億擴展Line 17工廠(chǎng)10nm級DRAM內存產(chǎn)能
- 三星上月底發(fā)布了2017年Q1季度財報,營(yíng)收只增加1.5%的情況下凈利潤大增46%,其中貢獻最多的就是閃存芯片部門(mén),也就是DRAM內存和NAND閃存。時(shí)至今日,DRAM、NAND閃存缺貨、漲價(jià)的情況都沒(méi)有緩解,現在還是供不應求,好在三星、SK Hynix、美光等公司也加大了投資力度提升產(chǎn)能,其中三星也要斥資26.4億美元擴產(chǎn)Line 17工廠(chǎng),下半年加速10nm級DRAM內存生產(chǎn)。 三星前不久才宣布了全球最大的半導體工廠(chǎng)平澤工廠(chǎng)竣工,那個(gè)是針對NAND閃存的,主力產(chǎn)品將是64層堆棧的3D NAN
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
新興內存百家爭鳴 商品化腳步穩健向前
- 內存是半導體的主力產(chǎn)品之一，目前主要由動(dòng)態(tài)隨機存取內存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項產(chǎn)品。 不過(guò)，由于DRAM必須持續上電才能保存數據，NAND Flash又有讀寫(xiě)速度較DRAM慢，且讀寫(xiě)次數相對有限的先天限制，因此內存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內存架構，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性。 根據研究機構Tech Insights估計，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內存，都已陸續進(jìn)入小量生產(chǎn)階段。 不
- 關(guān)鍵字： 內存 DRAM
2016年全球前十大半導體業(yè)者排名出爐
- 2016年全球前十大半導體業(yè)者排名出爐。據IHSMarkit所搜集的數據顯示，2016年全球半導體產(chǎn)業(yè)的營(yíng)收成長(cháng)2%，而前十大半導體業(yè)者的營(yíng)收則成長(cháng)2.3%，優(yōu)于產(chǎn)業(yè)平均水平。以個(gè)別產(chǎn)品類(lèi)型來(lái)看，DRAM與NANDFlash是2016年營(yíng)收成長(cháng)動(dòng)能最強的產(chǎn)品，成長(cháng)幅度超過(guò)30%;車(chē)用半導體的市場(chǎng)規模也比2015年成長(cháng)9.7%。 IHS預期，由于市場(chǎng)需求強勁，2017年內存市場(chǎng)的營(yíng)收規?？赏賱?chuàng )新高，車(chē)用半導體市場(chǎng)的規模則有機會(huì )成長(cháng)超過(guò)10%。整體來(lái)說(shuō)，2017年半導體產(chǎn)業(yè)的表現將出現穩健成長(cháng)。
- 關(guān)鍵字： DRAM NANDFlash
微軟與Rambus合作研發(fā)超低溫DRAM存儲系統
- 量子計算機如今已經(jīng)成為科技巨頭們爭奪的新高地，IBM、谷歌都涉獵其中。 現在，微軟也要在量子計算領(lǐng)域發(fā)揮能量了。 半導體技術(shù)公司Rambus最新宣布已經(jīng)與微軟達成合作，雙方將研發(fā)一種能夠在零下180攝氏度環(huán)境下穩定運行的DRAM系統，為未來(lái)的量子計算機服務(wù)。 Rambus研究所副總裁Gary Bronner介紹稱(chēng)，與微軟的合作旨在零下180攝氏度環(huán)境下提升DRAM系統的容量和運算效率，并且降低功耗。 同時(shí)，高速串行/并行鏈路也能夠在低溫和超導環(huán)境中有效運行，從而確保整個(gè)存儲系統
- 關(guān)鍵字： 微軟 DRAM
力晶：大陸DRAM做不起來(lái) 5G時(shí)代存儲器會(huì )長(cháng)缺
- 力晶創(chuàng )辦人暨執行長(cháng)黃崇仁表示，大陸扶植半導體以為撒錢(qián)就可以，但未來(lái)用補助研發(fā)費用來(lái)扶植新廠(chǎng)的策略很難再延續，必須要有技術(shù)在手才行，但現在美系存儲器大廠(chǎng)美光(Micron)已經(jīng)盯上大陸3家存儲器，包括紫光長(cháng)江存儲、合肥長(cháng)鑫和聯(lián)電的福建晉華，預計進(jìn)入大陸DRAM產(chǎn)業(yè)的腳步會(huì )放緩，配合韓國2018年冬季奧運率先展示5G技術(shù)，未來(lái)DRAM是長(cháng)期缺貨的走勢! 黃崇仁進(jìn)一步表示，全球DRAM產(chǎn)業(yè)已經(jīng)5年沒(méi)有新廠(chǎng)加入，三星電子(Samsung Electronics)蓋廠(chǎng)也是針對10納米晶圓代工和NAND F
- 關(guān)鍵字： DRAM 5G
力晶：大陸DRAM做不起來(lái) 5G時(shí)代存儲器會(huì )長(cháng)缺
- 力晶創(chuàng )辦人暨執行長(cháng)黃崇仁表示，大陸扶植半導體以為撒錢(qián)就可以，但未來(lái)用補助研發(fā)費用來(lái)扶植新廠(chǎng)的策略很難再延續，必須要有技術(shù)在手才行，但現在美系存儲器大廠(chǎng)美光(Micron)已經(jīng)盯上大陸3家存儲器，包括紫光長(cháng)江存儲、合肥長(cháng)鑫和聯(lián)電的福建晉華，預計進(jìn)入大陸DRAM產(chǎn)業(yè)的腳步會(huì )放緩，配合韓國2018年冬季奧運率先展示5G技術(shù)，未來(lái)DRAM是長(cháng)期缺貨的走勢! 黃崇仁進(jìn)一步表示，全球DRAM產(chǎn)業(yè)已經(jīng)5年沒(méi)有新廠(chǎng)加入，三星電子(Samsung Electronics)蓋廠(chǎng)也是針對10納米晶圓代工和NAND F
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三星制定DRAM發(fā)展藍圖 15納米是制程微縮極限
- 三星電子為了鞏固存儲器霸業(yè)，制定 DRAM 發(fā)展藍圖，擘劃制程微縮進(jìn)度。業(yè)界預估，15 納米可能是 DRAM 制程微縮的極限，擔憂(yōu)三星遭中國業(yè)者追上。 韓媒 etnews 18 日報導，業(yè)界消息稱(chēng)，三星去年開(kāi)始量產(chǎn) 18 納米 DRAM，目前正研發(fā) 17 納米 DRAM，預定今年底完成開(kāi)發(fā)、明年量產(chǎn)。與此同時(shí)，三星也成立 16 納米 DRAM 開(kāi)發(fā)小組，目標最快 2020 年量產(chǎn)。相關(guān)人士透露，微縮難度高，2020 年量產(chǎn)時(shí)間可能延后。 三星從 20 納米制程(28→25&rar
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韓媒曝三星DRAM發(fā)展藍圖、15nm是制程微縮極限？
- 三星電子為了鞏固存儲器霸業(yè)，制定DRAM發(fā)展藍圖，擘劃制程微縮進(jìn)度。業(yè)界預估，15納米可能是DRAM制程微縮的極限，擔憂(yōu)三星遭中國業(yè)者追上。 韓媒etnews 18日報導，業(yè)界消息稱(chēng)，三星去年開(kāi)始量產(chǎn)18納米DRAM，目前正研發(fā)17納米DRAM，預定今年底完成開(kāi)發(fā)、明年量產(chǎn)。與此同時(shí)，三星也成立16納米DRAM開(kāi)發(fā)小組，目標最快2020年量產(chǎn)。相關(guān)人士透露，微縮難度高，2020年量產(chǎn)時(shí)間可能延后。 三星從20納米制程(28→25→20)，轉進(jìn)10納米制程(18&rarr
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DDR4將首度超越DDR3 2017年占整體DRAM58%
- 第四代高速DRAM存儲器DDR4自2014年上市以來(lái)，銷(xiāo)售額在整體DRAM存儲器總銷(xiāo)售額中的占比不斷成長(cháng)。尤其是隨著(zhù)2016年DDR4平均售價(jià)(ASP)跌至約與DDR3相同，當年DDR4銷(xiāo)售額占比更是飆升至45%，大幅拉近與DDR3占比間的距離。 調研機構IC Insights預估，隨著(zhù)如英特爾(Intel)最新14納米制程x86 Core系列處理器等都開(kāi)始向DDR4存儲器靠攏，預計2017年全球DDR4銷(xiāo)售額占比將會(huì )揚升至58%，首度超越DDR3的39%，正式終結過(guò)去6年DDR3占比持續維持第
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機構:DRAM與NAND FLASH價(jià)格下半年將下降
- Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會(huì )開(kāi)始呈現反轉，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價(jià)格會(huì )在 2018 年出現明顯下滑，并在 2019 年重新陷入一個(gè)相對低點(diǎn)。 Gartner 表示，自 2016 年中期以來(lái)，隨著(zhù) NAND Flash 的漲價(jià)，SSD 的每字節的成本也出現了驚人上漲。 不過(guò)，這種上漲趨勢將在本季達到頂峰。 其原因在于中國廠(chǎng)商大量投入生產(chǎn)的結果，在產(chǎn)能陸續開(kāi)出后，市場(chǎng)價(jià)格就一反過(guò)去的漲勢，開(kāi)始出現下跌的情況。 Gart
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IC Insights :DRAM價(jià)格下半年要下滑
- IC Insights 對DRAM后市提出示警，預期下半年隨著(zhù)供給增加，產(chǎn)品價(jià)格恐將下滑，DRAM 市場(chǎng)無(wú)可避免將展開(kāi)周期性修正。 IC Insighta 指出，DRAM 價(jià)格自 2016 年中以來(lái)快速走高，據統計，DRAM 平均售價(jià)已自 2016 年 4 月的 2.41 美元，大幅攀高到今年 2 月的 3.7 美元，漲幅高達至 54%。 在產(chǎn)品價(jià)格大漲帶動(dòng)下，IC Insights 預估，今年 DRAM 產(chǎn)值可望達 573 億美元規模，將較去年成長(cháng)達 39%。 IC Insight
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高啟全：長(cháng)江存儲自主3D NAND、DRAM研發(fā)歡迎美光一起加入
- 臺灣DRAM教父高啟全轉戰大陸紫光集團操盤(pán)存儲器大計劃超過(guò)1年，日前晉升長(cháng)江存儲的執行董事、代行董事長(cháng)，接受DIGITIMES獨家專(zhuān)訪(fǎng)公開(kāi)未來(lái)規劃;他指出，已齊聚500名研發(fā)人員在武漢投入3D NAND開(kāi)發(fā)，也考慮研發(fā)20/18納米DRAM，會(huì )在技術(shù)開(kāi)發(fā)具競爭力后才開(kāi)始投產(chǎn)，歡迎美光(Micron)加入合作，雙方合則兩利，且時(shí)間會(huì )對長(cháng)江存儲有利! 長(cháng)江存儲計劃存儲器的研發(fā)，制造基地在武漢、南京兩地，紫光2017年1月底資金到位，現階段長(cháng)江存儲的股權結構是大基金占25%、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金和
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集邦咨詢(xún)：美光圍堵，無(wú)礙中國DRAM研發(fā)進(jìn)程
- 近日，有媒體報道美國存儲器大廠(chǎng)在臺灣地區采取司法手段其防止技術(shù)遭遇泄露，目標是前華亞科及前瑞晶關(guān)鍵制程和研發(fā)人員，目前已有上百人遭到約談?！ ∈袌?chǎng)更是傳出，美光這一行動(dòng)已經(jīng)波及聯(lián)電與大陸廠(chǎng)商晉華的合作事宜，導致后者出資在聯(lián)電臺灣南科廠(chǎng)設置的試產(chǎn)線(xiàn)停產(chǎn)?！ 〔贿^(guò)，4月5日，聯(lián)電方面對外表示，確實(shí)有員工收到了訴訟通知，但只是個(gè)人行為，與公司無(wú)關(guān)。此外，聯(lián)電還表示，目前DRAM仍處制程技術(shù)開(kāi)發(fā)階段，尚無(wú)試產(chǎn)線(xiàn)，并無(wú)外傳試產(chǎn)線(xiàn)暫停的情況，其DRAM技術(shù)的研發(fā)計劃也將持續不變?！ 「鶕钭稍?xún)觀(guān)察，近年來(lái)，中國
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機存儲器最為常見(jiàn)的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時(shí)間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒(méi)有被刷新，存儲的數據就會(huì )丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應用。
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細 ]
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