聚焦20納米DRAM！華邦電111億美元建新廠(chǎng) 規劃每月4萬(wàn)片產(chǎn)能

　　中國臺灣地區DRAM大廠(chǎng)華邦電5日宣布，在南科投資新廠(chǎng)的計劃已經(jīng)獲得臺灣科技部科學(xué)工業(yè)園區審議委員會(huì )的核準，總投資金額達新臺幣3,350億元(約合111億美元)。若以之前華邦電董事長(cháng)焦佑鈞所說(shuō)，建廠(chǎng)時(shí)間預計3年的情況下，則新廠(chǎng)2020年將可進(jìn)入投產(chǎn)。

　　華邦電為臺灣地區的DRAM大廠(chǎng)，目前僅有中科的一座12寸廠(chǎng)。2016年的年產(chǎn)能約4.3萬(wàn)片，2017年年底將擴增至4.8萬(wàn)片，2018年底則擴增到5.3萬(wàn)片。未來(lái)，最大的擴充能量到5.5萬(wàn)片時(shí)就已經(jīng)將當前臺中廠(chǎng)的剩余空間給全部用光。

　　因此，面對未來(lái)的營(yíng)運成長(cháng)，興建新廠(chǎng)成為不得不做的準備。在相關(guān)人員查看過(guò)南科路竹基地的土地之后，希望可以取得25公頃規模來(lái)建廠(chǎng)，于是華邦電在2017年6月底向經(jīng)濟部補件遞交計劃書(shū)，現在終于獲得相關(guān)單位的同意。

　　華邦電表示，目前公司正致力于轉型為利基型存儲器解決方案供應商，近年持續穩定獲利，轉型效益顯著(zhù)。華邦電在營(yíng)運成長(cháng)之際，隨著(zhù)物聯(lián)網(wǎng)等未來(lái)趨勢之新興需求不斷崛起，尋求下一階段成契長(cháng)機，秉持重視臺灣在地投資的理念，向園區提出投資設立新廠(chǎng)案，希望進(jìn)一步深耕臺灣產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

　　未來(lái)將依董事會(huì )通過(guò)時(shí)程公告建廠(chǎng)及產(chǎn)能規劃相關(guān)事宜，亦密切觀(guān)察市場(chǎng)動(dòng)態(tài)與供需情況，以穩健腳步審視產(chǎn)能配置，期以充沛產(chǎn)能滿(mǎn)足客戶(hù)需求。

　　之前華邦電董事長(cháng)焦佑鈞曾經(jīng)表示，關(guān)于新建廠(chǎng)的計劃，原本一點(diǎn)也不急。不料，當前臺中12寸廠(chǎng)產(chǎn)能在市況好的情況下，很短的時(shí)間內就擴產(chǎn)完畢，而且還不敷使用。再加上因為缺工的因素下，新建廠(chǎng)從動(dòng)工到試產(chǎn)要花3年的時(shí)間，光是土建就要花上20個(gè)月。所以，最快必須在當下就決定落腳處，不然時(shí)間將會(huì )來(lái)不及。

　　而根據《科技新報》獨家掌握到的消息指出，未來(lái)華邦電南科新廠(chǎng)的產(chǎn)能將規劃為每月達4萬(wàn)片，以因應目前市場(chǎng)上的需求。而且，近期華邦電就將在董事會(huì )上通過(guò)該項投資的各項內容，另外預計還進(jìn)行特定對象的私募增資計劃。據了解，該私募計劃已經(jīng)獲得國際性半導體大廠(chǎng)的青睞，預計屆時(shí)將參與該項華邦電的私募。

　　未來(lái)，由于有該國際性半導體大廠(chǎng)的加入，使得華邦電的產(chǎn)品有了穩定的出?？谥?，可能會(huì )進(jìn)一步驅動(dòng)縮短建廠(chǎng)的時(shí)程。據了解，如果一切順利，未來(lái)期望藉由新廠(chǎng)的土建時(shí)期，就逐步先行導入生產(chǎn)設備，并先利用臺中廠(chǎng)的有限空間，再逐漸將部分設備安裝到位。之后，隨著(zhù)新廠(chǎng)完成興建，再將設備陸續搬遷至新廠(chǎng)中，以期能縮短其中所必須消耗的測試時(shí)間，希望能提早產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)的時(shí)間。

　　至于新廠(chǎng)制程計劃，主要是為了因應2020年之后需求，生產(chǎn)線(xiàn)將以20納米世代制程DRAM為主體，也可望建置3x納米NAND/NORFlash產(chǎn)能。

　　華邦電總經(jīng)理詹東義日前指出，臺中廠(chǎng)產(chǎn)能不足且Flash需求強勁，DRAM及Flash的生產(chǎn)設備不同，今年擴產(chǎn)都以Flash為主，目前臺中廠(chǎng)DRAM制程已可支援3x/2x納米，但投資金額很大，反而是擴充Flash產(chǎn)能的投資效益較好，臺中廠(chǎng)的擴產(chǎn)以投資報酬率(ROI)最大化為主軸。但長(cháng)期來(lái)看，華邦電需要興建新晶圓廠(chǎng)，DRAM產(chǎn)能限制才能移除。

　　華邦電的DRAM制程下半年將開(kāi)始導入38納米，低容量NANDFlash目前采用46納米生產(chǎn)1～2Gb容量芯片，后續進(jìn)行制程微縮后可望進(jìn)入32納米世代，至于NORFlash制程以46/58納米為主。設備業(yè)者預期，華邦電新廠(chǎng)應可在2020年進(jìn)入量產(chǎn)，以制程推進(jìn)來(lái)看，新廠(chǎng)將會(huì )以20納米世代制程DRAM產(chǎn)線(xiàn)為主軸，NAND/NORFlash則會(huì )建置3x納米產(chǎn)能，后續再視情況建置2x納米生產(chǎn)線(xiàn)。