三星制定DRAM發(fā)展藍圖 15納米是制程微縮極限

　　三星電子為了鞏固存儲器霸業(yè)，制定 DRAM 發(fā)展藍圖，擘劃制程微縮進(jìn)度。業(yè)界預估，15 納米可能是 DRAM 制程微縮的極限，擔憂(yōu)三星遭中國業(yè)者追上。

　　韓媒 etnews 18 日報導，業(yè)界消息稱(chēng)，三星去年開(kāi)始量產(chǎn) 18 納米 DRAM，目前正研發(fā) 17 納米 DRAM，預定今年底完成開(kāi)發(fā)、明年量產(chǎn)。與此同時(shí)，三星也成立 16 納米 DRAM 開(kāi)發(fā)小組，目標最快 2020 年量產(chǎn)。相關(guān)人士透露，微縮難度高，2020 年量產(chǎn)時(shí)間可能延后。

　　三星從 20 納米制程(28→25→20)，轉進(jìn) 10 納米制程(18→17)，縮小線(xiàn)寬(Line-width)的速度明顯放緩。三星尚未成立 15 納米制程以下的研發(fā)團隊，因為由此開(kāi)始，電流外泄和電容器干擾和情況將更為明顯，需要開(kāi)發(fā)新的材質(zhì)。

　　三星設備解決方案部門(mén)的半導體實(shí)驗室人員 Jung Eun-seung 說(shuō)，為了繼續縮小線(xiàn)寬，必須開(kāi)發(fā)與當前不同的新材質(zhì)，并提高制程穩定性，以便進(jìn)入量產(chǎn)。業(yè)界人士估計，15 納米或許是制程微縮的極限，未來(lái)三星可能難以透過(guò)制程微縮拉大與對手差距，并擔憂(yōu)中國業(yè)者急起直追，趕上三星。