中國存儲業(yè)的“春天”來(lái)了？

　　據目前的報道，中國已有四家公司欲做存儲器，分別是長(cháng)江存儲，投資240億美元，到2020年月產(chǎn)能將達30萬(wàn)片，目標是自己研發(fā)的3DNAND閃存;另一家是泉州晉華存儲器項目，投資約60億美元，做利基型DRAM，技術(shù)來(lái)源于UMC;還有一家是合肥智聚，投資80億美元，已于2016年6月開(kāi)工，由王寧國博士執掌，計劃在今年年底左右進(jìn)入設備安裝階段，由于項目尚未正式公布，產(chǎn)品不詳;最后是南京紫光，投資300億美元。

　　從公布的進(jìn)度看，除南京紫光沒(méi)有詳細計劃之外，其他3家的進(jìn)度似乎差異并不大，基本上都是在2018~2019年進(jìn)入量產(chǎn)階段。

　　據個(gè)人看法，可能有兩個(gè)指標是看點(diǎn)，一個(gè)是什么時(shí)間那家公司能達成10億美元以上的銷(xiāo)售額;另一個(gè)是產(chǎn)品的市場(chǎng)份額。

　　因為從全球市場(chǎng)份額能看出真本事，目前我國臺灣地區的DRAM約占全球總市場(chǎng)份額的5%。至于什么時(shí)間企業(yè)能實(shí)現贏(yíng)利，這是個(gè)不可焦急的目標。

　　顯然，長(cháng)江存儲受到了國家資金的支持，實(shí)力強大。然而按照中國半導體業(yè)的發(fā)展特點(diǎn)，依賴(lài)政府資金有它的不足之處，例如，增加了企業(yè)對政府的依附性，在關(guān)鍵時(shí)刻無(wú)人敢于承擔責任。

　　對于地方政府等支持項目，它們的難度比較大。首先是變數多，涉及了太多人治的因素，而且缺乏過(guò)硬的技術(shù)以及產(chǎn)品特色，要它具有產(chǎn)業(yè)發(fā)展的胸懷，及持續不斷地堅持，可能是有些困難。

　　中國存儲器業(yè)上馬的決定是十分困難的，然而如今可能有四家以上公司都欲突破，讓人感覺(jué)有些“唐突“，求勝太心切，更談不上集中兵力。但是，對照中國新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展軌跡，這次的發(fā)展步驟似乎很相似，這樣的過(guò)程在現階段幾乎不可避免。因此，半導體業(yè)者要盡可能保持冷靜，要充分利用好“資本與技術(shù)”兩個(gè)輪子，從理性上把技術(shù)突破放在首位，牢記產(chǎn)能擴充要與市場(chǎng)相適應。

　　所以，中國存儲器業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵時(shí)間點(diǎn)可能要推遲至2020年左右，現階段尚不可預測。

　　觀(guān)察我國臺灣地區上馬存儲器的歷程，它曾成功地在短時(shí)間內投入300億美元，實(shí)現產(chǎn)能擴大。因此，對于我國大陸地區而言，成功做出存儲器產(chǎn)品僅是個(gè)時(shí)間問(wèn)題。我國臺灣地區存儲器產(chǎn)業(yè)最終不成功的原因，主要是缺乏自主技術(shù)，且總想依賴(lài)別人，這種做法證明是行不通的。

　　另外，存儲器業(yè)的周期性起伏明顯，每經(jīng)過(guò)2~3年總有一段上升或者下降周期，體現在它的價(jià)格波動(dòng)方面。例如，服務(wù)器用DDR432GB模組，目前每條已突破200美元大關(guān)，2017年的首季合約價(jià)平均漲幅逾25%，高容量模組漲幅更是直逼30%以上。近期，DRAM的漲勢主要由三星主導，且漲勢仍未停歇，首季標準型DRAM漲幅逾三成，移動(dòng)DRAM漲幅約15%~20%，服務(wù)器用DRAM漲幅在25%~30%。存儲器市況從2016年6月觸底反彈后，從最低每單位1.31美元一路走高，年底升至1.94美元，且在供給有限而需求增加的狀況下，存儲器2017年有望延續漲勢。

　　ICInsights樂(lè )觀(guān)預測，未來(lái)五年(2016~2020年)，全球存儲器市場(chǎng)的年均增長(cháng)率CAGR將達7.3%，由2016年的773億美元，增加至2020年的1099億美元，這表明未來(lái)的存儲器市場(chǎng)將一片光明。

　　所以，中國存儲器業(yè)只要能趕上一波產(chǎn)業(yè)的上升周期，或許可能實(shí)現贏(yíng)利，這顯然取決于競爭實(shí)力以及足夠的耐心與堅持?，F階段有多達四家公司都想突破存儲器發(fā)展的難題，顯然都獲得成功的幾率不大。

　　另外，中國的芯片制造業(yè)幾乎都是從代工起步，如今存儲器卻要轉變成IDM模式。這樣的模式轉換不是一件簡(jiǎn)單的事，因為與代工相比，IDM模式更依賴(lài)于市場(chǎng)以及技術(shù)快速轉換的特點(diǎn)，對于企業(yè)來(lái)說(shuō)是個(gè)全新的挑戰。

　　中國半導體業(yè)邁向IDM模式是大勢所趨，然而它的難度不可低估，因此必須有充分的思想準備及決心。

　　據WSTS及ICInsights提供的2014年數據，全球存儲器銷(xiāo)售額為800億美元，而中國消耗了其中的約250億美元，占31%。中國存儲器市場(chǎng)巨大，未來(lái)替代的機會(huì )多，盡管這是上馬存儲器生產(chǎn)線(xiàn)的理由之一，但必須清醒認識到，這個(gè)市場(chǎng)是屬于全球的，必須依靠自己的實(shí)力去占領(lǐng)。

　　中國半導體業(yè)的發(fā)展方向已定，幾乎沒(méi)有退路，只有努力挺進(jìn)，但是要少些非市場(chǎng)化因素的干擾，要充分認識到半導體業(yè)的成熟可能決定于綜合的因素，不僅僅是“錢(qián)”，更為關(guān)鍵的是產(chǎn)業(yè)大環(huán)境的迅速改善。因此，未來(lái)有兩個(gè)方面要特別關(guān)注：一個(gè)是要“循序前進(jìn)，欲速則不達”;另一個(gè)是把焦點(diǎn)放在“骨干企業(yè)”身上，只有集中力量把“骨干企業(yè)”搞好，中國半導體業(yè)才真正有希望。

　　目前，說(shuō)中國存儲器業(yè)的”春天”已經(jīng)到來(lái)可能還為時(shí)尚早，確切地說(shuō)，應該是中國的半導體業(yè)一定要跨入全球存儲器的行列之中。至于未來(lái)能有多大的作為，要看我們的努力程度與造化，但是必須要在研發(fā)方面有所突破，或者在存儲器生產(chǎn)線(xiàn)的運營(yíng)中能夠掌握它的獨特規律。

　　中國半導體業(yè)用存儲器作為IDM模式的突破口是個(gè)新的嘗試。所以，一定要樹(shù)立信心，并要有足夠的耐心。中芯國際經(jīng)過(guò)15年的歷程，才剛達到年銷(xiāo)售額30億美元。所以，到2025年時(shí)再來(lái)回顧中國存儲器業(yè)可能也不遲。