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ddr5 dram 文章 進(jìn)入ddr5 dram技術(shù)社區
存儲“芯”動(dòng)態(tài)：美光擴產(chǎn)廣島DRAM廠(chǎng) 三星擬擴充西安NAND Flash產(chǎn)能
- 多數手機以不同存儲規格來(lái)區別高配版、標準版，而不同版本之間的差價(jià)可達到幾百元，這讓我們看到了作為四大通用芯片之一的存儲器的重要性。 半導體存儲器是一個(gè)高度壟斷的市場(chǎng)，其三大主流產(chǎn)品 DRAM，NAND Flash，NOR Flash 更是如此，尤其是前兩者，全球市場(chǎng)基本被前三大公司占據，且近年來(lái)壟斷程度逐步加劇。以DRAM和NAND兩種主要存儲芯片為例，2016年第一季度，DRAM市場(chǎng)93%份額由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據，而NAND Flash市場(chǎng)幾乎全
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM
微軟與Rambus合作研發(fā)超低溫DRAM存儲系統
- 量子計算機如今已經(jīng)成為科技巨頭們爭奪的新高地，IBM、谷歌都涉獵其中。 現在，微軟也要在量子計算領(lǐng)域發(fā)揮能量了。 半導體技術(shù)公司Rambus最新宣布已經(jīng)與微軟達成合作，雙方將研發(fā)一種能夠在零下180攝氏度環(huán)境下穩定運行的DRAM系統，為未來(lái)的量子計算機服務(wù)。 Rambus研究所副總裁GaryBronner介紹稱(chēng)，與微軟的合作旨在零下180攝氏度環(huán)境下提升DRAM系統的容量和運算效率，并且降低功耗。 同時(shí)，高速串行/并行鏈路也能夠在低溫和超導環(huán)境中有效運行，從而確保整個(gè)存儲系統在
- 關(guān)鍵字： 微軟 DRAM
第一季PC DRAM合約價(jià)格上漲約三成
- 集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)表示，2017年第一季度的DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收表現再度創(chuàng )下新高。從價(jià)格方面來(lái)看，由于去年第四季嚴重供不應求，多數PC-OEM廠(chǎng)商選擇提早在去年12月洽談第一季的合約價(jià)以確保供貨穩定，使得第一季合約價(jià)再度上漲超過(guò)三成，亦帶動(dòng)其他內存類(lèi)別同步上揚，如服務(wù)器內存在第一季的價(jià)格上揚也相當可觀(guān)，移動(dòng)式內存價(jià)格也有近一成的漲幅。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，第一季DRAM總體營(yíng)收較上季大幅成長(cháng)約13.4%。從市場(chǎng)面來(lái)觀(guān)察，原廠(chǎng)產(chǎn)能增加的效應最快在
- 關(guān)鍵字： DRAM
麥格理分析師：DRAM和Flash價(jià)格會(huì )持續漲到年底
- 據外媒報道，存儲芯片市場(chǎng)上周出現降溫雜音，麥格理分析師Daniel Kim提出反駁。 他認為下半年DRAM和NAND價(jià)格仍會(huì )續漲，有利美光、西部數據、三星、南亞科、力成、東芝和SK海力士股價(jià)。 據巴隆周刊(Barron's)報導，Daniel Kim發(fā)布報告說(shuō)：「所有數據和消息都表明存儲芯片市場(chǎng)今年下半年會(huì )比預期更強。 」他看好存儲芯片價(jià)格會(huì )持續漲到今年底。 整體來(lái)說(shuō)，Daniel Kim認為芯片價(jià)格上漲，即暴露看空論點(diǎn)的瑕疵。 他指出，建構數據中心的廠(chǎng)商「重視的是系統的表現而
- 關(guān)鍵字： DRAM Flash
傳日本硅晶圓廠(chǎng)下砍大陸訂單 優(yōu)先供貨臺/美/日半導體大廠(chǎng)
- 全球硅晶圓缺貨嚴重，已成為半導體廠(chǎng)營(yíng)運成長(cháng)瓶頸，后續恐將演變成國家級的戰火，半導體業(yè)者透露，日本硅晶圓大廠(chǎng)Sumco決定出手下砍大陸NOR Flash廠(chǎng)武漢新芯的硅晶圓訂單，優(yōu)先供貨給臺積電、英特爾(Intel)、美光(Micron)等大廠(chǎng)，不僅加重NOR Flash短缺情況，日系供應商供貨明顯偏向臺、美、日廠(chǎng)，恐讓大陸半導體發(fā)展陷入硅晶圓不足困境。 硅晶圓已成為半導體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵物資，過(guò)去10年來(lái)硅晶圓產(chǎn)能都是處于供過(guò)于求狀態(tài)，如今硅晶圓卻面臨缺貨，且已缺到影響半導體廠(chǎng)生產(chǎn)線(xiàn)運作，尤其是12吋規
- 關(guān)鍵字： 晶圓 DRAM
高盛:DRAM漲勢將趨冷明年轉跌
- 據外電報道，高盛判斷，DRAM價(jià)格漲勢可能在未來(lái)幾季降溫， 2018年價(jià)格也許會(huì )轉跌，決定調降內存大廠(chǎng)美光評等。 巴倫周刊8日報導，高盛的Mark Delaney報告表示，過(guò)去四個(gè)季度以來(lái)，DRAM毛利不斷提高。 過(guò)往經(jīng)驗顯示，DRAM榮景通常持續四到九季，此一趨勢代表DRAM多頭循環(huán)已經(jīng)來(lái)到中后段。 業(yè)界整合使得本次價(jià)格高點(diǎn)，比以往更高。 Delaney強調，和DRAM業(yè)界人士談話(huà)發(fā)現，DRAM現貨價(jià)的成長(cháng)動(dòng)能放緩，價(jià)格似乎觸頂或略為下滑。 NAND情況較不嚴重;產(chǎn)業(yè)人士表示，NAND價(jià)
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
后PC時(shí)代 移動(dòng)型DRAM成市場(chǎng)主力
- 三星挾帶存儲器產(chǎn)業(yè)龍頭優(yōu)勢，本季營(yíng)收可望超越英特爾而榮登半導體產(chǎn)業(yè)王座，證明了后PC時(shí)代的到來(lái)，隨著(zhù)移動(dòng)產(chǎn)業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)及智能汽車(chē)產(chǎn)業(yè)興起，讓原先并未擴產(chǎn)的存儲器產(chǎn)業(yè)成為炙手可熱的領(lǐng)域，也使得三星更加壯大。 三星本次挾帶自家DRAM及NANDFlash報價(jià)急速攀升的氣勢，半導體制造事業(yè)可望躍居產(chǎn)業(yè)龍頭，原因正是DRAM及NANDFlash都受惠于智能手機搭載需求倍增，在制程轉換及產(chǎn)能已數年未擴充等因素作用下，帶動(dòng)存儲器報價(jià)上漲。 從DRAM角度來(lái)看，存儲器原廠(chǎng)中，有能力大量產(chǎn)出晶圓的僅有三星、
- 關(guān)鍵字： 英特爾 DRAM
三星投26億擴展Line 17工廠(chǎng)10nm級DRAM內存產(chǎn)能
- 三星上月底發(fā)布了2017年Q1季度財報,營(yíng)收只增加1.5%的情況下凈利潤大增46%,其中貢獻最多的就是閃存芯片部門(mén),也就是DRAM內存和NAND閃存。時(shí)至今日,DRAM、NAND閃存缺貨、漲價(jià)的情況都沒(méi)有緩解,現在還是供不應求,好在三星、SK Hynix、美光等公司也加大了投資力度提升產(chǎn)能,其中三星也要斥資26.4億美元擴產(chǎn)Line 17工廠(chǎng),下半年加速10nm級DRAM內存生產(chǎn)。 三星前不久才宣布了全球最大的半導體工廠(chǎng)平澤工廠(chǎng)竣工,那個(gè)是針對NAND閃存的,主力產(chǎn)品將是64層堆棧的3D NAN
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
新興內存百家爭鳴 商品化腳步穩健向前
- 內存是半導體的主力產(chǎn)品之一，目前主要由動(dòng)態(tài)隨機存取內存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項產(chǎn)品。 不過(guò)，由于DRAM必須持續上電才能保存數據，NAND Flash又有讀寫(xiě)速度較DRAM慢，且讀寫(xiě)次數相對有限的先天限制，因此內存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內存架構，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性。 根據研究機構Tech Insights估計，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內存，都已陸續進(jìn)入小量生產(chǎn)階段。 不
- 關(guān)鍵字： 內存 DRAM
2016年全球前十大半導體業(yè)者排名出爐
- 2016年全球前十大半導體業(yè)者排名出爐。據IHSMarkit所搜集的數據顯示，2016年全球半導體產(chǎn)業(yè)的營(yíng)收成長(cháng)2%，而前十大半導體業(yè)者的營(yíng)收則成長(cháng)2.3%，優(yōu)于產(chǎn)業(yè)平均水平。以個(gè)別產(chǎn)品類(lèi)型來(lái)看，DRAM與NANDFlash是2016年營(yíng)收成長(cháng)動(dòng)能最強的產(chǎn)品，成長(cháng)幅度超過(guò)30%;車(chē)用半導體的市場(chǎng)規模也比2015年成長(cháng)9.7%。 IHS預期，由于市場(chǎng)需求強勁，2017年內存市場(chǎng)的營(yíng)收規?？赏賱?chuàng )新高，車(chē)用半導體市場(chǎng)的規模則有機會(huì )成長(cháng)超過(guò)10%。整體來(lái)說(shuō)，2017年半導體產(chǎn)業(yè)的表現將出現穩健成長(cháng)。
- 關(guān)鍵字： DRAM NANDFlash
微軟與Rambus合作研發(fā)超低溫DRAM存儲系統
- 量子計算機如今已經(jīng)成為科技巨頭們爭奪的新高地，IBM、谷歌都涉獵其中。 現在，微軟也要在量子計算領(lǐng)域發(fā)揮能量了。 半導體技術(shù)公司Rambus最新宣布已經(jīng)與微軟達成合作，雙方將研發(fā)一種能夠在零下180攝氏度環(huán)境下穩定運行的DRAM系統，為未來(lái)的量子計算機服務(wù)。 Rambus研究所副總裁Gary Bronner介紹稱(chēng)，與微軟的合作旨在零下180攝氏度環(huán)境下提升DRAM系統的容量和運算效率，并且降低功耗。 同時(shí)，高速串行/并行鏈路也能夠在低溫和超導環(huán)境中有效運行，從而確保整個(gè)存儲系統
- 關(guān)鍵字： 微軟 DRAM
力晶：大陸DRAM做不起來(lái) 5G時(shí)代存儲器會(huì )長(cháng)缺
- 力晶創(chuàng )辦人暨執行長(cháng)黃崇仁表示，大陸扶植半導體以為撒錢(qián)就可以，但未來(lái)用補助研發(fā)費用來(lái)扶植新廠(chǎng)的策略很難再延續，必須要有技術(shù)在手才行，但現在美系存儲器大廠(chǎng)美光(Micron)已經(jīng)盯上大陸3家存儲器，包括紫光長(cháng)江存儲、合肥長(cháng)鑫和聯(lián)電的福建晉華，預計進(jìn)入大陸DRAM產(chǎn)業(yè)的腳步會(huì )放緩，配合韓國2018年冬季奧運率先展示5G技術(shù)，未來(lái)DRAM是長(cháng)期缺貨的走勢! 黃崇仁進(jìn)一步表示，全球DRAM產(chǎn)業(yè)已經(jīng)5年沒(méi)有新廠(chǎng)加入，三星電子(Samsung Electronics)蓋廠(chǎng)也是針對10納米晶圓代工和NAND F
- 關(guān)鍵字： DRAM 5G
力晶：大陸DRAM做不起來(lái) 5G時(shí)代存儲器會(huì )長(cháng)缺
- 力晶創(chuàng )辦人暨執行長(cháng)黃崇仁表示，大陸扶植半導體以為撒錢(qián)就可以，但未來(lái)用補助研發(fā)費用來(lái)扶植新廠(chǎng)的策略很難再延續，必須要有技術(shù)在手才行，但現在美系存儲器大廠(chǎng)美光(Micron)已經(jīng)盯上大陸3家存儲器，包括紫光長(cháng)江存儲、合肥長(cháng)鑫和聯(lián)電的福建晉華，預計進(jìn)入大陸DRAM產(chǎn)業(yè)的腳步會(huì )放緩，配合韓國2018年冬季奧運率先展示5G技術(shù)，未來(lái)DRAM是長(cháng)期缺貨的走勢! 黃崇仁進(jìn)一步表示，全球DRAM產(chǎn)業(yè)已經(jīng)5年沒(méi)有新廠(chǎng)加入，三星電子(Samsung Electronics)蓋廠(chǎng)也是針對10納米晶圓代工和NAND F
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您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條ddr5 dram!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對ddr5 dram的理解，并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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