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ddr5 dram 文章 進(jìn)入ddr5 dram技術(shù)社區
三大內存罕見(jiàn)同時(shí)缺貨,三星DRAM再漲10%
- DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大內存持續供貨短缺，創(chuàng )下史上罕見(jiàn)同缺記錄。 其中DRAM和NAND內存，更寫(xiě)下史上最長(cháng)漲勢。 內存業(yè)界表示，2008及2015年都出現過(guò)DRAM大漲，但多是因跌深或供貨商發(fā)生爆炸意外所造成的供需失衡，且DRAM和NAND Flash產(chǎn)能會(huì )排擠，很少看到兩大內存同漲。 這次DRAM和NAND內存兩大內存缺貨超乎預期且價(jià)格上漲，主要來(lái)自數據中心、移動(dòng)設備及計算機三大領(lǐng)域應用需求強，前三大廠(chǎng)包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠(chǎng)，造成供貨緊縮
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
2017年全球IC市場(chǎng)規模年增16% 成長(cháng)幅度創(chuàng )近年新高
- 隨著(zhù)DRAM與NAND Flash市場(chǎng)規模大幅成長(cháng)，調研機構IC Insights預估，2017年全球整體IC市場(chǎng)規模將較2016年大幅成長(cháng)16%，創(chuàng )下自2010年增33%以來(lái)，最佳年增紀錄。亦為2000年以來(lái)，第5度IC市場(chǎng)規模年增幅度達到雙位數百分比。 2017年全球DRAM市場(chǎng)規模將會(huì )年增55%，NAND Flash年增35%。不過(guò)該機構亦指出，促使DRAM與NAND Flash市場(chǎng)大幅成長(cháng)的最主要因素，是來(lái)自于DRAM與NAND Flash平均售價(jià)(ASP)的攀升，并不是受到DRAM與N
- 關(guān)鍵字： IC DRAM
半導體行業(yè)競爭激烈 國內半導體還需渡過(guò)哪些難關(guān)
- 過(guò)去兩年來(lái)，隨著(zhù)人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、大數據等應用的火熱發(fā)展，全球半導體產(chǎn)業(yè)迎來(lái)了新一輪熱潮。中國半導體制造設備也因此成為全球增速最快的市場(chǎng)，且下游需求良好，前景可期。 通盤(pán)來(lái)看，全球前十大半導體廠(chǎng)，有 英特爾、三星、SK海力士、美光、博通、高通、德州儀器、東芝、恩智浦、英飛凌。 國外對于中國半導體發(fā)展采取的措施 眾所周知，半導體行業(yè)的技術(shù)主要是來(lái)自于美日韓半導體廠(chǎng)商的，他們在半導體行業(yè)發(fā)展已有數十載，技術(shù)成熟，專(zhuān)利頗多，而對于中國近年內半導體行業(yè)的飛速發(fā)展他們也采取了各種防堵措施，
- 關(guān)鍵字： 半導體 DRAM
DRAM 第三季度合約價(jià)持續攀高，七月漲幅約 4.6%
- 集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)表示，DRAM價(jià)格從去年下半年起漲至2017年上半年，依然維持強勁上漲力道，今年第一季的PC DRAM合約均價(jià)來(lái)到24美元，漲幅逼近四成;第二季均價(jià)亦來(lái)到27美元，亦有超過(guò)一成的漲幅。7月PC DRAM合約價(jià)持續上揚約4.6%，預估下半年價(jià)格將會(huì )維持小幅上漲態(tài)勢。 旺季需求與七月華亞科氣體事件，DRAM供貨維持吃緊態(tài)勢 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，時(shí)序進(jìn)入下半年，DRAM產(chǎn)業(yè)供需也進(jìn)入傳統旺季，原本就呈現吃緊的DRAM市場(chǎng)更
- 關(guān)鍵字： DRAM
ICinsights:DRAM、NAND售價(jià)已暴漲一年
- IC Insights的報告顯示，DRAM及NAND Flash售價(jià)已經(jīng)連續四個(gè)季度上漲。 不過(guò)因為原廠(chǎng)紛紛提出擴產(chǎn)計劃，IC Insights稍早憂(yōu)心忡忡認為，未來(lái)幾年包括三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝、西部數據、武漢新芯、長(cháng)江存儲，都大舉提高3D NAND Flash產(chǎn)能，大陸還有新建廠(chǎng)商也會(huì )加入戰場(chǎng)，3D NAND Flash產(chǎn)能供過(guò)于求的可能性相當高。 近期SK海力士宣布今年資本支出追加至86.1億美元，進(jìn)行3D NAND Flash和DRAM兩大內存
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
存儲芯片銷(xiāo)售飆升：SK海力士第二季度獲利創(chuàng )新高
- 北京時(shí)間7月25日上午消息，韓國芯片制造商SK海力士周二稱(chēng)，由于存儲芯片需求強勁，其第二季營(yíng)業(yè)利潤較上年同期飆升574%，創(chuàng )有史以來(lái)新高，符合市場(chǎng)預期。 該財報刷新上次在第一季創(chuàng )下的歷史高位，SK海力士因而有望朝分析師所預估的史上最高年營(yíng)業(yè)利潤13萬(wàn)億韓元(約合786.54億人民幣)邁進(jìn)。 SK海力士表示，4-6月獲利為3.1萬(wàn)億韓元(約合187.56億人民幣)。營(yíng)收增長(cháng)70%至6.7萬(wàn)億韓元(約合405.37億人民幣)。DRAM芯片出貨量較1-3月增長(cháng)3%，平均售價(jià)上漲11%;NAND芯
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM
SK海力士今年投資規模上看62億美元 致力于技術(shù)提升
- 以往半導體產(chǎn)業(yè)的競爭要素在產(chǎn)能擴大與降低成本，但制程愈趨于先進(jìn)，研發(fā)難度提高，投資規模擴大不保證能帶來(lái)對等獲利。面對產(chǎn)業(yè)環(huán)境改變，SK海力士(SK Hynix)期盼借由技術(shù)創(chuàng )新開(kāi)拓全球市場(chǎng)。 據韓媒每日經(jīng)濟報導，SK海力士計劃在2017年下半提高10納米級DRAM生產(chǎn)比例，并持續增加14納米NAND Flash產(chǎn)量，以取得更具優(yōu)勢的成本競爭力，提高事業(yè)獲利性。 SK海力士將持續以大規模研發(fā)投資提高技術(shù)競爭力。 資通訊技術(shù)發(fā)達帶動(dòng)存儲器需求成長(cháng)，移動(dòng)裝置用DRAM及NAND Flash
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM
Gartner預測2017年全球半導體收入將達到4千億美元
- 根據全球領(lǐng)先的信息技術(shù)研究和顧問(wèn)公司Gartner的最新預測，2017年全球半導體總體收入將首度突破4,000億美元大關(guān)，達到4014億美元，較2016年增加16.8%。2010年全球半導體收入曾創(chuàng )下3000億美元的紀錄，更早之前則是在2000年超過(guò)了2000億美元?！ artner研究副總裁Andrew Norwood表示：“存儲器的短缺正在帶動(dòng)半導體市場(chǎng)的整體繁榮。由于存儲器廠(chǎng)商抬高DRAM和NAND的價(jià)格，其收入和利潤亦隨之增長(cháng)?！薄 artner預計2017年存儲器市場(chǎng)的收入漲幅
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM
下半年存儲器漲勢迎拐點(diǎn)：2017全年價(jià)格漲幅仍十分可觀(guān)
- 市場(chǎng)調研機構IC Insights表示，2017年DRAM和NAND型閃存銷(xiāo)售額都將創(chuàng )出歷史新高，而DRAM和NAND閃存創(chuàng )新高的原因都是由于價(jià)格瘋漲。該機構預計，2017年DRAM出貨量同比下降，而NAND閃存也僅增長(cháng)2%，閃存出貨量增長(cháng)對存儲器銷(xiāo)售額創(chuàng )新高雖然是正面作用，但并非主要原因。 存儲器價(jià)格上漲始于2016年第二季度，到2017年上半年為止，每季度價(jià)格都持續向上走。如圖所示，從2016年第三季度，到2017年第二季度，DRAM價(jià)格季度平均增長(cháng)率為16.8%，NAND閃存價(jià)格季度平均增
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM
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