SK海力士今年投資規模上看62億美元 致力于技術(shù)提升

　　以往半導體產(chǎn)業(yè)的競爭要素在產(chǎn)能擴大與降低成本，但制程愈趨于先進(jìn)，研發(fā)難度提高，投資規模擴大不保證能帶來(lái)對等獲利。面對產(chǎn)業(yè)環(huán)境改變，SK海力士(SK Hynix)期盼借由技術(shù)創(chuàng )新開(kāi)拓全球市場(chǎng)。

　　據韓媒每日經(jīng)濟報導，SK海力士計劃在2017年下半提高10納米級DRAM生產(chǎn)比例，并持續增加14納米NAND Flash產(chǎn)量，以取得更具優(yōu)勢的成本競爭力，提高事業(yè)獲利性。

　　SK海力士將持續以大規模研發(fā)投資提高技術(shù)競爭力。

　　資通訊技術(shù)發(fā)達帶動(dòng)存儲器需求成長(cháng)，移動(dòng)裝置用DRAM及NAND Flash產(chǎn)品的容量持續增加，用于大數據及云端資料中心的服務(wù)器DRAM、固態(tài)硬碟(SSD)需求激增，人工智能(AI)、深度學(xué)習(Deep Learning)的技術(shù)發(fā)展更是帶動(dòng)存儲器需求擴大的市場(chǎng)利基。

　　2017年1月SK海力士推出LPDDR4X，是全球最高容量的超低功耗移動(dòng)裝置DRAM;4月開(kāi)發(fā)出超高速繪圖DRAM Graphics DDR6(GDDR6)，可作為AI、虛擬實(shí)境(VR)、自駕車(chē)、4K以上高像素顯示器的存儲器解決方案。

　　在NAND Flash部分，2017年SK海力士成功開(kāi)發(fā)72層3D NAND Flash之后，已在7月啟動(dòng)量產(chǎn)，比原本48層產(chǎn)品生產(chǎn)力提高30%，芯片內部運作速度提高兩倍，讀寫(xiě)性能提高20%，并且推出搭載自主研發(fā)控制器的移動(dòng)裝置用eMMC產(chǎn)品及PCI介面固態(tài)硬碟，以高性能、高可靠度的3D NAND Flash解決方案強化事業(yè)競爭力。

　　SK海力士為了取得控制器技術(shù)，2012年購并美國Link A Media Devices與義大利Ideaflash S.r.l.，2013年購并臺廠(chǎng)銀燦科技控制器事業(yè)部，2014年購并Softeq Development FLLC。2012年在韓國京畿道盆唐成立Flash解決方案設計中心，2013年在韓國科學(xué)技術(shù)院(KAIST)校園內成立儲存媒體解決方案中心。

　　在相關(guān)投資方面，2016年SK海力士執行6.29兆韓元(約56億美元)投資計劃，2017年投資規模上看7兆韓元，并且計劃在2019年6月底前投資2.2兆韓元于清州興建NAND Flash工廠(chǎng)。研發(fā)經(jīng)費投入2016年為2.10兆韓元，占營(yíng)收12.2%。

　　SK海力士表示，在變化多端的半導體市場(chǎng)與競爭結構中，唯有透過(guò)大膽進(jìn)行研發(fā)投資加強技術(shù)競爭力，才能維持市場(chǎng)領(lǐng)導地位。