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全球DRAM供應量不足 HPE內存價(jià)格暴漲

  •   據消息人士透露,HPE公司自今日起將其服務(wù)器內存價(jià)格提高了20%,由于目前正處于全球范圍內DRAM供應量短缺的恢復階段,因此該服務(wù)器的相關(guān)組件成本較以往更高,從而導致了此番HPE服務(wù)器內存價(jià)格上漲。與此同時(shí),各DRAM廠(chǎng)商亦迎來(lái)創(chuàng )紀錄的銷(xiāo)售額新高。        在一封發(fā)送給貿易客戶(hù)的郵件中,HPE公司談到了涉及了這一定價(jià)變動(dòng),并解釋稱(chēng):“8月21日星期一,HPE將老版本與低容量?jì)却鍿KU的建議銷(xiāo)售價(jià)格提升10%至20%。”   以下內存產(chǎn)品將受到影響:
  • 關(guān)鍵字: DRAM  HPE  

MRAM接班主流存儲器指日可待

  •   隨著(zhù)更多業(yè)者進(jìn)入MRAM市場(chǎng),STT執行長(cháng)Barry Hoberman在日前受訪(fǎng)時(shí)談到了MRAM帶來(lái)的商機及其可能取代現有主流存儲器技術(shù)的未來(lái)前景。   或許有人會(huì )把2016年形容為磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)市場(chǎng)的引爆點(diǎn)。而在那之前,Everspin Technologies是唯一一家出貨商用MRAM產(chǎn)品的公司。不過(guò),就像Spin Transfer Technologies(STT)執行長(cháng)Barry Hoberman一如既往地表達肯定之意:Everspin的成就有助于其他的MRAM業(yè)者鋪路。
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三星移動(dòng)DRAM逆勢調漲 SK海力士或可望受惠

  •   傳三星電子(Samsung Electronics)與全球智能手機業(yè)者,協(xié)商提高移動(dòng)DRAM(Mobile DRAM)價(jià)格過(guò)程占了上風(fēng),將有助于2017年下半的半導體事業(yè)獲利表現。三星電子這項舉動(dòng),可望讓同為韓國存儲器大廠(chǎng)的SK海力士(SK Hynix)跟著(zhù)受惠。   韓媒Business Post引述業(yè)界看法,指出三星電子預計從2017年第4季起,針對大中華地區智能手機業(yè)者,祭出10~20%的移動(dòng)DRAM價(jià)格調漲策略,部分韓媒則是指出,三星電子這項舉動(dòng)僅針對部分中低價(jià)智能手機業(yè)者。   韓國業(yè)界
  • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

紫光國芯又有動(dòng)作 下一代DRAM產(chǎn)品開(kāi)發(fā)進(jìn)展順利

  •   8月21日晚,據紫光國芯發(fā)布的2017上半年財報顯示,公司上半年盈利1.23億元,同比下降17.86%。新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)方面,紫光國芯最新開(kāi)發(fā)完成的NAND Flash已經(jīng)開(kāi)始了市場(chǎng)推廣,下一代DRAM產(chǎn)品開(kāi)發(fā)進(jìn)展順利。   作為中國半導體行業(yè)的龍頭企業(yè),紫光國芯表示,受公司持續加大可編程系統芯片、存儲器芯片的研發(fā)投入等眾多因素的影響,使得上半年凈利潤下滑。   據了解,紫光國芯主營(yíng)業(yè)務(wù)為集成電路芯片設計與銷(xiāo)售,并致力于向用戶(hù)提供先進(jìn)的芯片設計產(chǎn)品以及專(zhuān)業(yè)的芯片解決方案。產(chǎn)品主要包括智能卡芯片、特種集成
  • 關(guān)鍵字: 紫光  DRAM  

圍繞半導體芯片設計布局,紫光國芯下一代DRAM開(kāi)發(fā)順利

  •   今年以來(lái),全球集成電路市場(chǎng)增長(cháng)迅速,我國集成電路產(chǎn)業(yè)在國家政策引導、市場(chǎng)需求拉動(dòng)的雙重作用下,繼續保持了平穩快速的發(fā)展。其中,頗具產(chǎn)業(yè)代表的紫光國芯股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“紫光國芯”)以“自主創(chuàng )新”與“國際合作”相結合的發(fā)展路徑,圍繞芯片設計核心業(yè)務(wù),同時(shí)開(kāi)拓了存儲器芯片、智能芯片等集成電路產(chǎn)品相關(guān)應用市場(chǎng)。   8月21日晚間,紫光國芯發(fā)布了2017上半年財報,財報顯示,公司上半年實(shí)現營(yíng)收8.01億元,同比增長(cháng)24.01%;歸
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DRAM持續火爆 再迎創(chuàng )紀錄的營(yíng)收總值

  • 雖然全球DRAM供應短缺的問(wèn)題正得到逐步緩解,但供需之間仍存在充足的缺口——至少能夠讓各芯片制造商繼續迎來(lái)創(chuàng )紀錄的營(yíng)收總值。
  • 關(guān)鍵字: DRAM  芯片  

臺媒:大陸DRAM突破技術(shù)障礙還得靠臺灣

  •   據臺灣經(jīng)濟日報報道,大陸積極發(fā)展內存產(chǎn)業(yè),但由于仍難突破三DRAM大廠(chǎng)的技術(shù)防線(xiàn),在政策與時(shí)間壓力下,反而凸顯臺廠(chǎng)扮演關(guān)鍵少數的重要性,業(yè)界分析臺廠(chǎng)未來(lái)勢必成為大陸首要爭取合作的對象。   大陸的內存產(chǎn)業(yè),目前形成紫光集團、合肥睿力及福建晉華等三大勢力,但在美光發(fā)動(dòng)司法調查,緊盯三大廠(chǎng)竊取專(zhuān)利和營(yíng)業(yè)秘密行為后,日前紫光已表態(tài)未來(lái)將朝自主研發(fā)前進(jìn)。   另合肥睿力由前華亞科副總劉大維主導的團隊,仍如火如荼進(jìn)行,并宣示明年要切入19nm生產(chǎn)DRAM;福建晉華則和聯(lián)電合作,委托聯(lián)電開(kāi)發(fā)DRAM相關(guān)制程技
  • 關(guān)鍵字: DRAM  聯(lián)電  

三大內存創(chuàng )最缺且漲勢最久紀錄,手機品牌包產(chǎn)能

  •   DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大內存會(huì )一直缺貨到明年,許多客戶(hù)搶貨,已包下南亞科、旺宏和華邦電全部產(chǎn)能。 業(yè)界指出,未簽訂長(cháng)約的客戶(hù),內存供貨將短缺,沖擊產(chǎn)品上市或出貨時(shí)程。   集邦、IC Insight等研究機構最近紛紛出具報告,強調DRAM、NAND Flash到年底都處于缺貨狀態(tài);NOR Flash更因美系二大供貨商淡出效應在下半年顯現,缺貨問(wèn)題更嚴重。   業(yè)界表示,三大內存應用范圍廣,尤其N(xiāo)OR Flash幾乎是各電子產(chǎn)品儲存程序代碼關(guān)鍵組件,雖然單價(jià)遠比DRAM
  • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM  

臺媒:大陸DRAM突破技術(shù)障礙還得靠臺灣

  •   據臺灣經(jīng)濟日報報道,大陸積極發(fā)展內存產(chǎn)業(yè),但由于仍難突破三DRAM大廠(chǎng)的技術(shù)防線(xiàn),在政策與時(shí)間壓力下,反而凸顯臺廠(chǎng)扮演關(guān)鍵少數的重要性,業(yè)界分析臺廠(chǎng)未來(lái)勢必成為大陸首要爭取合作的對象。   大陸的內存產(chǎn)業(yè),目前形成紫光集團、合肥睿力及福建晉華等三大勢力,但在美光發(fā)動(dòng)司法調查,緊盯三大廠(chǎng)竊取專(zhuān)利和營(yíng)業(yè)秘密行為后,日前紫光已表態(tài)未來(lái)將朝自主研發(fā)前進(jìn)。   另合肥睿力由前華亞科副總劉大維主導的團隊,仍如火如荼進(jìn)行,并宣示明年要切入19nm生產(chǎn)DRAM;福建晉華則和聯(lián)電合作,委托聯(lián)電開(kāi)發(fā)DRAM相關(guān)制程技
  • 關(guān)鍵字: DRAM  SK海力士  

第二季PC DRAM合約價(jià)漲逾一成,全球DRAM營(yíng)收季增16.9%

  •   集邦咨詢(xún)內存儲存研究(DRAMeXchange)調查顯示,2017年第二季的DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收表現再度創(chuàng )下新高。從價(jià)格方面來(lái)看,由于客戶(hù)端已經(jīng)將庫存水位逐步往上提升,第二季供不應求狀況雖不至于像第一季度嚴重,但整體仍處于供貨吃緊的狀況。標準型內存與服務(wù)器用內存第二季價(jià)格上漲逾一成,行動(dòng)式內存則因中國品牌手機廠(chǎng)下修出貨數量,價(jià)格僅小幅上漲5%內。   DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出,觀(guān)察市場(chǎng)面,受惠于平均銷(xiāo)售單價(jià)的上揚與新制程的持續轉進(jìn),大規模的擴張產(chǎn)能至今年年底仍未見(jiàn),全球DRAM市場(chǎng)第二
  • 關(guān)鍵字: DRAM  NOR  

并購路不易走 中國芯片產(chǎn)業(yè)如何實(shí)現自主替代?

  • 在海外并購道路障礙重重的情況下,我們通過(guò)培養積蓄人才來(lái)為中國創(chuàng )“芯”積攢力量,向2020年實(shí)現芯片自給率40%、2025年自給率70%的目標前進(jìn),是更為有效地打破“缺芯”現狀實(shí)現自主替代的路徑。
  • 關(guān)鍵字: 芯片  DRAM  

IC Insights:今年全球IC分類(lèi)增長(cháng)排行,DRAM達55%

  •   根據市場(chǎng)研究調查機構 IC Insights 的預估,2017 年全球 IC 市場(chǎng)可望成長(cháng)約 16%。 其中,在DRAM將成長(cháng)更將達 55%,將是 2017 年中成長(cháng)幅度最大的 IC 產(chǎn)品。    ?   IC Insights 表示,DRAM 市場(chǎng) 2013 年與 2014 年分別成長(cháng) 32% 及 34%,也都是當年成長(cháng)最大的 IC 產(chǎn)品領(lǐng)域。 統計過(guò)去 5 年,DRAM 市場(chǎng)經(jīng)常是成長(cháng)最大,或者衰退最大的 IC 產(chǎn)品項目,顯示 DRAM 市場(chǎng)變化極端的特性。 不過(guò),DRAM 市
  • 關(guān)鍵字: DRAM  IC  

背靠聯(lián)電的技術(shù),晉華存儲DRAM實(shí)力能否殺出重圍?

  •   在2016年7月16日,投資370億元人民幣、月產(chǎn)6萬(wàn)片12吋內存晶圓、年產(chǎn)值達12億美元的晉華存儲器集成電路生產(chǎn)線(xiàn)一期項目開(kāi)工儀式。        據資料顯示,晉華存儲器集成電路生產(chǎn)項目由福建省電子信息集團和泉州、晉江兩級政府共同投建,總規劃面積594畝,預計于2018年9月達產(chǎn)。作為國家重點(diǎn)支持的DRAM存儲器生產(chǎn)項目,晉華項目已納入國家“十三五”集成電路重大生產(chǎn)力布局規劃重大項目清單,并獲得首筆30億元國家專(zhuān)項建設基金支持。   此項目堪稱(chēng)晉江所有重
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全球半導體2017年增速將達16%,其中10種產(chǎn)品增速可達兩位數

  • ,世界半導體貿易統計組織(WSTS)將半導體分為33個(gè)大類(lèi)。近日,市場(chǎng)調研機構IC Insights給出了這33類(lèi)產(chǎn)品在2017年市場(chǎng)狀況的預期。   33種IC產(chǎn)品2017年增速排名(預計)如下圖所示。增速最快的是DRAM,這并不意外,2017年上半年DRAM價(jià)格異常出色,IC Insights預計2017年DRAM總銷(xiāo)售額同比增長(cháng)55%,從而成為半導體細分市場(chǎng)增長(cháng)率冠軍。問(wèn)鼎增長(cháng)率冠軍對DRAM市場(chǎng)而言并不是新鮮事,2013年和2014年DRAM同樣引領(lǐng)整個(gè)產(chǎn)業(yè)增長(cháng)。在過(guò)去5年,DRAM要么是增長(cháng)率
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三星計劃調整Q4Mobile DRAM合約價(jià) 漲幅約10%

  •   全球DRAM龍頭韓國三星電子近期通知相關(guān)電子委托制造廠(chǎng),計劃調漲第4季行動(dòng)式存儲器(Mobile DRAM)合約價(jià),漲幅近一成,反映DRAM供貨短缺仍未紓解,漲勢可望延續至今年第4季,南亞科和華邦電等同步受惠。   存儲器業(yè)者強調,DRAM從去年起漲,主要受惠資料中心的服務(wù)器用DRAM需求強勁,加上網(wǎng)通類(lèi)產(chǎn)品的需求隨導入嵌入式多芯片封裝存儲器的整合架構,帶動(dòng)DRAM需求增加,但供給端因DRAM產(chǎn)業(yè)制程已接近極限,前三大廠(chǎng)包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠(chǎng),造成供貨緊縮,使平均銷(xiāo)售單價(jià)居高不下,
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