存儲器分類(lèi)匯總，DRAM/EPROM/NAND FLASH這些行業(yè)名詞你真的知道嗎？

　　RAM：由字面意思就可以理解，SDRAM SRAM DRAM(下面藍色字體的這幾種)都可以統稱(chēng)RAM，random access memory(隨機存取存儲器)的縮寫(xiě)，下面是51hei.com為大家整理的目前所有的存儲器的區別。

　　SRAM：靜態(tài)隨機存儲器，就是它不需要刷新電路，不像動(dòng)態(tài)隨機存儲器那樣，每隔一段時(shí)間就要刷新一次數據。但是他集成度比較低，不適合做容量大的內存，一般是用在處理器的緩存里面。像S3C2440的ARM9處理器里面就有4K的SRAM用來(lái)做CPU啟動(dòng)時(shí)用的。

　　DRAM，動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器，需要不斷的刷新，才能保存數據。 而且是行列地址復用的，許多都有頁(yè)模式。

　　SDRAM：同步動(dòng)態(tài)隨機存儲器，像電腦的內存就是用的這種RAM叫DDR SDRAM。其集成度非常高，因為是動(dòng)態(tài)的，所以必須有刷新電路，每隔一段時(shí)間必須得刷新數據。其存儲單元不是按線(xiàn)性排列的，是分頁(yè)的。一般的嵌入式產(chǎn)品里面的內存都是用的SDRAM。

　　DDR SDRAM： 雙通道同步動(dòng)態(tài)RAM，需要刷新，速度快，容量大。(目前電腦就是用的DDR的內存條都好幾代了)

　　ROM：只讀存儲器的總稱(chēng)。以下這幾種紅色字體的都是屬于ROM

　　PROM：可編程只讀存儲器，只能寫(xiě)一次，寫(xiě)錯了就得報廢，現在用得很少了，好像那些成本比較低的OPT單片機里面用的就是這種存儲器吧。

　　EPROM：可擦除可編程存儲器，這東西也比較古老了，是EEPROM的前身，在芯片的上面有個(gè)窗口，通過(guò)紫外線(xiàn)的照射來(lái)擦除數據。非常之麻煩。

　　EEPROM：電可擦除可編程只讀存儲器，比之EPROM就先進(jìn)點(diǎn)了，可以用電來(lái)擦除里面對數據，也是現在用得比較多的存儲器，比如24CXX系列的EEPROM。

　　NANDFLASH和NORFLASH都是現在用得比較多的非易失性閃存。NOR采用的并行接口，其特點(diǎn)讀取的速度比之NAND快樂(lè )很多倍，其程序可以直接在NOR里面運行。但是它的擦除速度比較慢，集成度低，成本高的?，F在的NOR的容量一般在2M左右，一般是用在代碼量小的嵌入式產(chǎn)品方面。還有就是在A(yíng)RM9的開(kāi)發(fā)板上可以看見(jiàn)。

　　而NAND呢，采用的是串行的接口，CPU從里面讀取數據的速度很慢，所以一般用NAND做閃存的話(huà)就必須把NAND里面的數據先讀到內存里面，然后CPU才能夠執行。就跟電腦的硬盤(pán)樣的。但是它的集成度很高，我的ARM9的開(kāi)發(fā)板上面一塊256M的NAND還沒(méi)有一塊2M的NOR的一半大，所以成本很低。還有就是它的擦除速度也的NOR要快。要不然的話(huà)那就真的悲劇了，假如擦除一塊2M的NOR要一分鐘，如果NAND的擦除速度比NOR還要慢，那擦除一塊256M的NAND不是要幾個(gè)小時(shí)。NAND一般是用在那些要跑大型的操作系統的嵌入式產(chǎn)品上面，比如LINUX啊，WINCE啊。NOR可是可以跑，可以把LINUX操作系統剪裁到2M以?xún)?，一個(gè)產(chǎn)品難道只去跑系統嗎?用戶(hù)的應用程序呢!其實(shí)很多時(shí)候，一個(gè)嵌入式產(chǎn)品里面，操作系統占的存儲空間只是一小部分，大部分都是給用戶(hù)跑應用程序的。就像電腦，硬盤(pán)都是幾百G，可是WINDOWNS操作系統所占的空間也不過(guò)幾G而已。

　　DRAM、SDRAM和SRAM這幾種電腦常用的內存的區別

　　學(xué)習在于總結，由是乎抽點(diǎn)時(shí)間總結了下。

　　SRAM ： 靜態(tài)RAM，不用刷新，速度可以非?？?，像CPU內部的cache，都是靜態(tài)RAM，缺點(diǎn)是一個(gè)內存單元需要的晶體管數量多，因而價(jià)格昂貴，容量不大。

　　DRAM： 動(dòng)態(tài)RAM，需要刷新，容量大。

　　SDRAM ：同步動(dòng)態(tài)RAM，需要刷新，速度較快，容量大。(以前的電腦用的內存條)

　　DDR SDRAM： 雙通道同步動(dòng)態(tài)RAM，需要刷新，速度快，容量大。(目前電腦就是用的DDR的內存條都好幾代了)

　　具體解釋一：

　　什么是DRAM

　　DRAM 的英文全稱(chēng)是'Dynamic RAM'，翻譯成中文就是'動(dòng)態(tài)隨機存儲器'。DRAM用于通常的數據存取。我們常說(shuō)內存有多大，主要是指DRAM的容量。

　　什么是SRAM

　　SRAM 的英文全稱(chēng)是'Static RAM'，翻譯成中文就是'靜態(tài)隨機存儲器'。SRAM主要用于制造Cache。

　　什么是SDRAM

　　SDRAM 的英文全稱(chēng)是'Synchronous DRAM'，翻譯成中文就是'擴充數據輸出內存'，它比一般DRAM和EDO RAM速度都快，它已經(jīng)逐漸成為PC機的標準內存配置。

　　什么是Cache

　　Cache 的英文原意是'儲藏'，它一般使用SRAM制造，它與CPU之間交換數據的速度高于DRAM，所以被稱(chēng)作'高速緩沖存儲器'，簡(jiǎn)稱(chēng)為'高速緩存'。由于CPU的信息處理速度常常超過(guò)其它部件的信息傳遞速度，所以使用一般的DRAM來(lái)作為信息存儲器常常使CPU處于等待狀態(tài)，造成資源的浪費。Cache就是為了解決這個(gè)問(wèn)題而誕生的。在操作系統啟動(dòng)以后，CPU就把DRAM中經(jīng)常被調用的一些系統信息暫時(shí)儲存在Cache里面，以后當CPU需要調用這些信息時(shí)，首先到Cache里去找，如果找到了，就直接從Cache里讀取，這樣利用Cache的高速性能就可以節省很多時(shí)間。大多數CPU在自身中集成了一定量的Cache，一般被稱(chēng)作'一級緩存'或'內置Cache'。這部分存儲器與CPU的信息交換速度是最快的，但容量較小。大多數主板上也集成了Cache，一般被稱(chēng)作'二級緩存'或'外置Cache'，比內置Cache容量大些，一般可達到256K，現在有的主板已經(jīng)使用了512K～2M的高速緩存。在最新的Pentium二代CPU內部，已經(jīng)集成了一級緩存和二級緩存，那時(shí)主板上的Cache就只能叫作'三級緩存'了。

　　什么是閃存

　　閃存 目前主板上的BIOS大多使用Flash Memory制造，翻譯成中文就是'閃動(dòng)的存儲器'，通常把它稱(chēng)作'快閃存儲器'，簡(jiǎn)稱(chēng)'閃存'。這種存儲器可以直接通過(guò)調節主板上的電壓來(lái)對BIOS進(jìn)行升級操作。

　　解釋為什么dram要刷新，sram不需要：

　　這個(gè)是由于ram的設計類(lèi)型決定的，dram用了一個(gè)t和一個(gè)rc電路，導致電容毀漏電和緩慢放電。所以需要經(jīng)常的刷新來(lái)保持數據

　　具體解釋二：

　　DRAM，動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器，需要不斷的刷新，才能保存數據。 而且是行列地址復用的，許多都有頁(yè)模式。

　　SRAM，靜態(tài)的隨機存取存儲器，加電情況下，不需要刷新，數據不會(huì )丟失，而且，一般不是行列地址復用的。

　　SDRAM，同步的DRAM，即數據的讀寫(xiě)需要時(shí)鐘來(lái)同步。

　　DRAM和SDRAM由于實(shí)現工藝問(wèn)題，容量較SRAM大。但是讀寫(xiě)速度不如SRAM，但是現在，SDRAM的速度也已經(jīng)很快了，時(shí)鐘好像已經(jīng)有150兆的了。那么就是讀寫(xiě)周期小于10ns了。SDRAM雖然工作頻率高，但是實(shí)際吞吐率要打折扣。以PC133為例，它的時(shí)鐘周期是7.5ns，當CAS latency=2 時(shí)，它需要12個(gè)周期完成8個(gè)突發(fā)讀操作，10個(gè)周期完成8個(gè)突發(fā)寫(xiě)操作。不過(guò)，如果以交替方式訪(fǎng)問(wèn)Bank，SDRAM可以在每個(gè)周期完成一個(gè)讀寫(xiě)操作(當然除去刷新操作)。其實(shí)現在的主流高速存儲器是SSRAM(同步SRAM)和SDRAM(同步DRAM)。目前可以方便買(mǎi)到的SSRAM最大容量是8Mb/片，最大工作速度是166MHz;可以方便買(mǎi)到的SDRAM最大容量是128Mb/片，最大工作速度是133MHz。

　　SRAM是Static Random Access Memory的縮寫(xiě)，中文含義為靜態(tài)隨機訪(fǎng)問(wèn)存儲器，它是一種類(lèi)型的半導體存儲器。“靜態(tài)”是指只要不掉電，存儲在SRAM中的數據就不會(huì )丟失。這一點(diǎn)與動(dòng)態(tài)RAM(DRAM)不同，DRAM需要進(jìn)行周期性的刷新操作。 然后，我們不應將SRAM與只讀存儲器(ROM)和Flash Memory相混淆，因為SRAM是一種易失性存儲器，它只有在電源保持連續供應的情況下才能夠保持數據。“隨機訪(fǎng)問(wèn)”是指存儲器的內容可以以任何順序訪(fǎng)問(wèn)，而不管前一次訪(fǎng)問(wèn)的是哪一個(gè)位置。

　　SRAM中的每一位均存儲在四個(gè)晶體管當中，這四個(gè)晶體管組成了兩個(gè)交叉耦合反向器。這個(gè)存儲單元具有兩個(gè)穩定狀態(tài)，通常表示為0和1。另外還需要兩個(gè)訪(fǎng)問(wèn)晶體管用于控制讀或寫(xiě)操作過(guò)程中存儲單元的訪(fǎng)問(wèn)。因此，一個(gè)存儲位通常需要六個(gè)MOSFET。對稱(chēng)的電路結構使得SRAM的訪(fǎng)問(wèn)速度要快于DRAM。SRAM比DRAM訪(fǎng)問(wèn)速度快的另外一個(gè)原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM則使用行地址和列地址復用的結構。

　　SRAM不應該與SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM(Synchronous DRAM)，這與SRAM是完全不同的。SRAM也不應該與PSRAM相混淆，PSRAM是一種偽裝成SRAM的DRAM。

　　從晶體管的類(lèi)型分，SRAM可以分為雙極性與CMOS兩種。從功能上分，SRAM可以分為異步SRAM和同步SRAM(SSRAM)。異步SRAM的訪(fǎng)問(wèn)獨立于時(shí)鐘，數據輸入和輸出都由地址的變化控制。同步SRAM的所有訪(fǎng)問(wèn)都在時(shí)鐘的上升/下降沿啟動(dòng)。地址、數據輸入和其它控制信號均于時(shí)鐘信號相關(guān)。

　　DRAM：動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器，需要不斷的刷新，才能保存數據。而且是行列地址復用的，許多都有頁(yè)模式。

　　SRAM：靜態(tài)的隨機存取存儲器，加電情況下，不需要刷新，數據不會(huì )丟失，而且，一般不是行列地址復用的。

　　SDRAM：同步的DRAM，即數據的讀寫(xiě)需要時(shí)鐘來(lái)同步。

　　主要是存儲單元結構不同導致了容量的不同。一個(gè)DRAM存儲單元大約需要一個(gè)晶體管和一個(gè)電容(不包括行讀出放大器等)，而一個(gè)SRAM存儲單元大約需要六個(gè)晶體管。DRAM和SDRAM由于實(shí)現工藝問(wèn)題，容量較SRAM大，但是讀寫(xiě)速度不如SRAM。

　　一個(gè)是靜態(tài)的，一個(gè)是動(dòng)態(tài)的，靜態(tài)的是用的雙穩態(tài)觸發(fā)器來(lái)保存信息，而動(dòng)態(tài)的是用電子，要不時(shí)的刷新來(lái)保持。

　　內存(即隨機存貯器RAM)可分為靜態(tài)隨機存儲器SRAM，和動(dòng)態(tài)隨機存儲器DRAM兩種。我們經(jīng)常說(shuō)的“內存”是指DRAM。而SRAM大家卻接觸的很少。

　　SRAM其實(shí)是一種非常重要的存儲器，它的用途廣泛。SRAM的速度非?？?，在快速讀取和刷新時(shí)能夠保

　　持數據完整性。SRAM內部采用的是雙穩態(tài)電路的形式來(lái)存儲數據。所以SRAM的電路結構非常復雜。制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因為如此，才使其發(fā)展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用于CPU內部的一級緩存以及內置的二級緩存。僅有少量的網(wǎng)絡(luò )服務(wù)器以及路由器上能夠使用SRAM。