三大內存罕見(jiàn)同時(shí)缺貨,三星DRAM再漲10%

　　DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大內存持續供貨短缺，創(chuàng )下史上罕見(jiàn)同缺記錄。 其中DRAM和NAND內存，更寫(xiě)下史上最長(cháng)漲勢。

　　內存業(yè)界表示，2008及2015年都出現過(guò)DRAM大漲，但多是因跌深或供貨商發(fā)生爆炸意外所造成的供需失衡，且DRAM和NAND Flash產(chǎn)能會(huì )排擠，很少看到兩大內存同漲。

　　這次DRAM和NAND內存兩大內存缺貨超乎預期且價(jià)格上漲，主要來(lái)自數據中心、移動(dòng)設備及計算機三大領(lǐng)域應用需求強，前三大廠(chǎng)包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠(chǎng)，造成供貨緊縮，DRAM與NAND同時(shí)大漲，漲這么久，已寫(xiě)下史上最長(cháng)紀錄。

　　除DRAM、NAND Flash外，NOR Flash也因美國二大供貨商淡出，加上OLED面板必須導入作為儲存保持OLED面板顏色飽和度參數，以及物聯(lián)網(wǎng)及車(chē)用半導體等新應用大增，市場(chǎng)供應到明年都處于缺貨。

　　近期全球DRAM龍頭韓國三星電子通知相關(guān)電子委托制造廠(chǎng)，計劃調漲第4季移動(dòng)內存合約價(jià)，漲幅近一成，反映DRAM供貨短缺仍未紓解，加上地緣政治緊張的預期心理，漲勢可望延續至今年第4季。

　　不少分析師預期DRAM價(jià)格將在本季創(chuàng )高峰，但受到美光桃園N2廠(chǎng)氮氣廠(chǎng)純化設備毀壞影響，DRAM缺貨不僅短期難解，價(jià)格漲勢也超乎預期。

　　稍早集邦調查，7月DRAM合約價(jià)單月漲幅達4.6%，雖然美光桃園N2廠(chǎng)已陸續恢復生產(chǎn)，美光也計劃在未來(lái)幾個(gè)月增產(chǎn)，彌補這段時(shí)間生產(chǎn)線(xiàn)影響的缺口。 但據調查，美光桃園N2廠(chǎng)這次受損及報廢的12寸DRAM晶圓估計達5萬(wàn)片，且多數以供貨給蘋(píng)果手機和相關(guān)服務(wù)器用的低功耗移動(dòng)DRAM，給全球最大移動(dòng)內存供貨商三星填補缺口的機會(huì )，并決定在第4季各大手機和移動(dòng)設備備貨旺季，調漲移動(dòng)內存售價(jià)。