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將DRAM技術(shù)根留臺灣的聯(lián)電 為何硬被扣上竊密罪

  • 員工有無(wú)竊取機密資料可以查證,企業(yè)有無(wú)教唆員工偷竊,也可以透過(guò)證據來(lái)佐證,但如何定義一家企業(yè)“積極”與“未積極”防范∕規范員工的行為,這十分兩難。
  • 關(guān)鍵字: DRAM  存儲器  

看RRAM如何“智斗”NAND flash和DRAM

  •   你如果問(wèn)當前內存市場(chǎng)是誰(shuí)的天下?那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash,三者牢牢控制著(zhù)內存市場(chǎng),當前都處于供不應求的狀態(tài)。不過(guò),在內存天下三分的大背景下,新一代存儲技術(shù)3D X-point、MRAM、RRAM等開(kāi)始發(fā)出聲音, RRAM非易失性閃存技術(shù)是其中進(jìn)展較快的一個(gè)。到目前為止,RRAM的發(fā)展進(jìn)程已經(jīng)超越了英特爾的3D X-point技術(shù), Crossbar公司市場(chǎng)和業(yè)務(wù)拓展副總裁Sylvain Dubois在2017中芯國際技術(shù)研討會(huì )上接受與非網(wǎng)的采訪(fǎng)時(shí)說(shuō):&ldquo
  • 關(guān)鍵字: RRAM  DRAM  

將DRAM技術(shù)根留臺灣的聯(lián)電 為何硬被扣上竊密罪

  •   聯(lián)電日前與大陸福建晉華合作開(kāi)發(fā)DRAM技術(shù)的案子中,因有美光(Micron)的離職員工將技術(shù)帶到聯(lián)電任職,不只是員工個(gè)人被起訴,聯(lián)電也被臺中地檢署根據違反營(yíng)業(yè)秘密法而被起訴,理由是“未積極防止侵害他人營(yíng)業(yè)秘密”,因此視為共犯。   我們可以從三大層面來(lái)探討聯(lián)電和大陸合作開(kāi)發(fā)DRAM技術(shù)的案子。第一,臺灣半導體產(chǎn)業(yè)在這個(gè)合作案當中,損失了什么?;第二,聯(lián)電在建立DRAM自主技術(shù)的過(guò)程中,有無(wú)竊取美光技術(shù)?;第三,如果企業(yè)沒(méi)有教唆員工竊密,只因為“未積極防范&rdqu
  • 關(guān)鍵字: DRAM  聯(lián)電  

2018年DRAM產(chǎn)業(yè)供給年成長(cháng)預估僅19.6%,延續供給吃緊走勢

  •   隨著(zhù)時(shí)序已近2017年第四季,三大DRAM廠(chǎng)已陸續在下半年召開(kāi)針對明年產(chǎn)能規劃的年度戰略會(huì )議,根據集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)調查,2018年各DRAM廠(chǎng)的資本支出計劃皆?xún)A向保守,意味著(zhù)產(chǎn)能擴張甚至技術(shù)轉進(jìn)都將趨緩,除了欲將價(jià)格維持在今年下半年的水平,持續且穩定的獲利也將是明年首要目標,預估2018年DRAM產(chǎn)業(yè)的供給年成長(cháng)率為19.6%,維持在近年來(lái)的低點(diǎn),加上2018年整體DRAM需求端年成長(cháng)預計將達20.6%,供給吃緊的態(tài)勢將延續。   DRAMeXchange研究協(xié)理吳
  • 關(guān)鍵字: DRAM  

2018年DRAM產(chǎn)業(yè)供給年成長(cháng)預估僅19.6%,延續供給吃緊走勢

  •   隨著(zhù)時(shí)序已近2017年第四季,三大DRAM廠(chǎng)已陸續在下半年召開(kāi)針對明年產(chǎn)能規劃的年度戰略會(huì )議,根據集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)調查,2018年各DRAM廠(chǎng)的資本支出計劃皆?xún)A向保守,意味著(zhù)產(chǎn)能擴張甚至技術(shù)轉進(jìn)都將趨緩,除了欲將價(jià)格維持在今年下半年的水平,持續且穩定的獲利也將是明年首要目標,預估2018年DRAM產(chǎn)業(yè)的供給年成長(cháng)率為19.6%,維持在近年來(lái)的低點(diǎn),加上2018年整體DRAM需求端年成長(cháng)預計將達20.6%,供給吃緊的態(tài)勢將延續。   DRAMeXchange研究協(xié)理吳
  • 關(guān)鍵字: DRAM  美光  

半導體,中國的芯片設計產(chǎn)業(yè)需要怎樣突破?

  • 世界集成電路三強:英特爾,三星,高通。光是高通和英特爾兩家,每年就能帶給美國八九百億美元的營(yíng)收,養活數萬(wàn)美國工程師,還能帶來(lái)一百多億美元的凈利潤。中國的經(jīng)濟升級最大的兩個(gè)領(lǐng)域是汽車(chē)制造工業(yè)和集成電路工業(yè)。未來(lái)怎樣能在這兩個(gè)超級產(chǎn)業(yè)完成逆襲?
  • 關(guān)鍵字: 芯片  DRAM  

DRAM市場(chǎng):海力士率先擴產(chǎn),其他企業(yè)能否緊隨其后

  •   DRAM存儲器是有史以來(lái)價(jià)格波動(dòng)最劇烈的IC產(chǎn)品。下圖是DRAM波動(dòng)性強的又一例證, 自2016年7月16日至2017年7月17日,短短一年時(shí)間,DRAM價(jià)格已經(jīng)翻了一番還要多。市場(chǎng)調研機構IC Insights表示,2017年DRAM單位存儲價(jià)格(price per bit)漲幅將超過(guò)40%,為史上最高。   僅僅一年前,DRAM采購商還在盡可能利用產(chǎn)能過(guò)剩狀況來(lái)向DRAM制造商壓價(jià),根本不管DRAM制造商在這樣低價(jià)合同上會(huì )賠多少錢(qián)?,F在,DRAM制造商正在“復仇”,不斷漲
  • 關(guān)鍵字: DRAM  海力士  

臺專(zhuān)家:中國半導體發(fā)展模式的探討

  •   大陸半導體業(yè)發(fā)展進(jìn)程在歷經(jīng)萌芽期、自力更生的初創(chuàng )時(shí)期、改革開(kāi)放前的起步探索時(shí)期、改革開(kāi)放初期的開(kāi)發(fā)引進(jìn)時(shí)期、全面布局的重點(diǎn)建設時(shí)期、高速發(fā)展期等階段之后,2014年迄今持續處于黃金發(fā)展期,當中2014年6月國務(wù)院發(fā)布的《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》、國家集成電路大基金,更成為中國半導體業(yè)發(fā)展最大的轉捩點(diǎn)。     爾后不論是中國制造2025、十三五規劃等新世紀發(fā)展戰略的帶動(dòng),或是2017年1月工業(yè)和資訊化部、國家發(fā)改委正式宣布《資訊產(chǎn)業(yè)發(fā)展指南》,確定集成電路等九大資訊產(chǎn)業(yè)將是
  • 關(guān)鍵字: 半導體  DRAM  

美光:未來(lái)兩季 DRAM供不應求

  •   美光全球制造副總裁艾倫昨(6)日表示,未來(lái)兩季DRAM仍是供不應求,產(chǎn)業(yè)仍處于健康穩定狀態(tài)。   他強調,美光在上季公布財報時(shí)也預估本季營(yíng)收和獲利展望,同時(shí)看好DRAM和儲存型閃存(NANDFlash)未來(lái)營(yíng)運表現。目前DRAM和NANDFlash需求非常強勁,但供應端產(chǎn)能提升的速度仍無(wú)法滿(mǎn)足市場(chǎng)需求,預估未來(lái)兩季,DRAM仍供不應求,產(chǎn)業(yè)處于健康狀態(tài)。   艾倫指出,美光目前在DRAM的投資策略,著(zhù)眼于制程技術(shù)推進(jìn),短期內不會(huì )增建新廠(chǎng)。目前其他二家主要DRAM制造大廠(chǎng),包括三星、SK海力士,也是
  • 關(guān)鍵字: 美光  DRAM  

聚焦20納米DRAM!華邦電111億美元建新廠(chǎng) 規劃每月4萬(wàn)片產(chǎn)能

  •   中國臺灣地區DRAM大廠(chǎng)華邦電5日宣布,在南科投資新廠(chǎng)的計劃已經(jīng)獲得臺灣科技部科學(xué)工業(yè)園區審議委員會(huì )的核準,總投資金額達新臺幣3,350億元(約合111億美元)。若以之前華邦電董事長(cháng)焦佑鈞所說(shuō),建廠(chǎng)時(shí)間預計3年的情況下,則新廠(chǎng)2020年將可進(jìn)入投產(chǎn)。   華邦電為臺灣地區的DRAM大廠(chǎng),目前僅有中科的一座12寸廠(chǎng)。2016年的年產(chǎn)能約4.3萬(wàn)片,2017年年底將擴增至4.8萬(wàn)片,2018年底則擴增到5.3萬(wàn)片。未來(lái),最大的擴充能量到5.5萬(wàn)片時(shí)就已經(jīng)將當前臺中廠(chǎng)的剩余空間給全部用光。   因此,面
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莫大康:中國半導體業(yè)要奮力突圍

  •   與美國在半導體先進(jìn)工藝制程等方面的差距,不僅表現在人材,技術(shù)等方面,可能更大的差距在于綜合的國力,以及產(chǎn)業(yè)大環(huán)境的改善,所以此次奮力突圍一定要取得更大的進(jìn)步。   01引言   近期華爾街日報撰文“中國的下一個(gè)目標奪下美國的芯片霸主地位”。明眼人看得很清楚,它是站在美方的立場(chǎng),歪曲事實(shí)。   此次中國半導體業(yè)的“奮力突圍”,有兩層意義:   一個(gè)是差距大,希望迅速的成長(cháng),至多是擴大芯片的自給率。   另一個(gè)是西方千方百計的阻礙中國半導體業(yè)的進(jìn)步
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存儲器價(jià)格為何居高不下?

  • 存儲器價(jià)格較高不再只是因為供需失衡。
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存儲器“漲”勢不停 中國有望填補產(chǎn)能缺口

  • 存儲器作為智能手機,電腦,智能手表等終端產(chǎn)品必不可少的元器件之一,它的缺貨將會(huì )導致整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈供應失衡,終端產(chǎn)品也將面臨著(zhù)無(wú)貨可用的尷尬。
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服務(wù)器DRAM大熱賣(mài)、報價(jià)季季漲 南亞科宜鼎受惠

  •   今年下半年英特爾及超微積極推出服務(wù)器新平臺,英特爾Purley平臺已經(jīng)開(kāi)始出貨,超微EPYC服務(wù)器處理器也開(kāi)始放量出貨,而在云端運算、人工智能的帶動(dòng)下,服務(wù)器用DRAM需求大爆增,服務(wù)器用DRAM本季報價(jià)又調漲一成,第四季續漲態(tài)勢無(wú)疑,全年漲幅上看五成,在此趨勢下,專(zhuān)攻服務(wù)器DRAM的南亞科與宜鼎,將會(huì )大受益。   DRAM因缺乏新廠(chǎng)產(chǎn)能開(kāi)出,業(yè)者多采制程推進(jìn)增加有限產(chǎn)出,但是反觀(guān)需求面卻穩健成長(cháng),帶動(dòng)今年以來(lái)DRAM供需持續吃緊,尤其在產(chǎn)能排擠效益下,服務(wù)器DRAM合約價(jià)今年上半年已大漲逾4成幅度
  • 關(guān)鍵字: 服務(wù)器  DRAM  

全球半導體企業(yè)紛紛爭霸 中國成為“攪局者”

  •   在智能化飛速發(fā)展的今天,全球半導體行業(yè)風(fēng)云變幻,傳統代表廠(chǎng)商相互競爭日益激烈。而中國正逐漸成為“攪局者”,紫光的全球并購拉開(kāi)了中國半導體產(chǎn)業(yè)登上國際舞臺的序幕。然而現在來(lái)看,前途仍然充滿(mǎn)荊棘!   國內掀起半導體產(chǎn)業(yè)并購熱   半導體作為世界性產(chǎn)業(yè),體現著(zhù)一個(gè)國家的綜合實(shí)力。在日本,半導體被稱(chēng)為“產(chǎn)業(yè)大米”,是所有電子產(chǎn)品生產(chǎn)不可或缺的一種原料之一。   8月23日晚,中國紫光集團斥資240億美元開(kāi)始興建國內首座先進(jìn)存儲芯片廠(chǎng),消息一經(jīng)傳出,引得國
  • 關(guān)鍵字: DRAM  臺積電  
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