下半年存儲器漲勢迎拐點(diǎn)：2017全年價(jià)格漲幅仍十分可觀(guān)

　　市場(chǎng)調研機構IC Insights表示，2017年DRAM和NAND型閃存銷(xiāo)售額都將創(chuàng )出歷史新高，而DRAM和NAND閃存創(chuàng )新高的原因都是由于價(jià)格瘋漲。該機構預計，2017年DRAM出貨量同比下降，而NAND閃存也僅增長(cháng)2%，閃存出貨量增長(cháng)對存儲器銷(xiāo)售額創(chuàng )新高雖然是正面作用，但并非主要原因。

　　存儲器價(jià)格上漲始于2016年第二季度，到2017年上半年為止，每季度價(jià)格都持續向上走。如圖所示，從2016年第三季度，到2017年第二季度，DRAM價(jià)格季度平均增長(cháng)率為16.8%，NAND閃存價(jià)格季度平均增長(cháng)率為11.6%。

　　從2016年第三季度DRAM平均售價(jià)瘋漲開(kāi)始，DRAM制造商又開(kāi)始步入加碼投資周期，不過(guò)這一輪DRAM廠(chǎng)商投資大部分都花在了升級技術(shù)方面，并沒(méi)有盲目擴充產(chǎn)能。

　　IC Insights判斷，2017年閃存廠(chǎng)商絕大部分資本支出都投入在3D NAND工藝技術(shù)上。為提升其位于韓國平澤市巨型新工廠(chǎng)的產(chǎn)能，2017年三星在NAND閃存上的資本支出將同比大幅上升。

　　從歷史數據來(lái)看，價(jià)格上漲周期帶來(lái)的投資擴產(chǎn)沖動(dòng)，通常會(huì )造成產(chǎn)能過(guò)剩，產(chǎn)能過(guò)剩程度越高，將來(lái)價(jià)格下跌也會(huì )越猛烈。三星、SK海力士、美光、英特爾、東芝/閃迪、武漢新芯/長(cháng)江存儲，以及可能出現的中國資本支持的新玩家，都提出了雄心勃勃的3D NAND生產(chǎn)計劃，未來(lái)幾年3D NAND閃存產(chǎn)能出現過(guò)剩的概率非常高。

　　IC Insights收集的數據顯示，DRAM的平均售價(jià)增長(cháng)率峰值出現在2016年第四季度，但直到2017年第二季度，漲勢都很強勁。該機構預測，2017年第三季度DRAM價(jià)格還能維持些許漲勢，但第四季度將出現微跌，標志這輪漲價(jià)周期即將終結。

　　雖然2017年下半年DRAM漲勢趨緩，但IC Insights預計全年漲幅仍將達63%，這是自該機構從1993年開(kāi)始追蹤DRAM市場(chǎng)數據以來(lái)的最高漲幅，此前記錄是1997年的57%。

　　NAND閃存2017年價(jià)格漲幅也將創(chuàng )紀錄地達到33%。不過(guò)，在2000年，NOR型閃存還主導市場(chǎng)時(shí)，其平均售價(jià)一年漲幅達到了52%。