EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
ddr5 dram
ddr5 dram 文章 進(jìn)入ddr5 dram技術(shù)社區
芝奇與華碩突破 DDR5-12112 內存頻率超頻世界紀錄
- 10 月 30 日消息，芝奇國際今日宣布再度刷新內存頻率超頻世界紀錄，由華碩 ROG 極限超頻者 SAFEDISK 上傳的成績(jì)，通過(guò)液態(tài)氮極限超頻技術(shù)，創(chuàng )下 DDR5-12112 的超頻紀錄。該紀錄使用的是芝奇 Trident Z5 旗艦系列 DDR5 內存，搭配最新英特爾酷睿 Ultra 9 285K 處理器及華碩 ROG MAXIMUS Z890 APEX 主板。IT之家附圖如下：此成績(jì)已上傳至 HWBOT 及 CPU-Z，超越了 10 月 25 日微星 MEG Z890 UNIFY-X
- 關(guān)鍵字： 芝奇 內存 DDR5
鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng )新研究成果
- 自鎧俠官網(wǎng)獲悉，鎧俠（Kioxia）宣布其多項創(chuàng )新研究成果，將于今年12月7日至11日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子器件大會(huì )（IEDM）上發(fā)表。聲明中稱(chēng)，鎧俠旨在不斷創(chuàng )新以滿(mǎn)足未來(lái)計算和存儲系統的需求。此次發(fā)布包括以下三大創(chuàng )新技術(shù)：氧化物半導體通道晶體管DRAM（OCTRAM）：該技術(shù)由鎧俠聯(lián)合南亞科技共同開(kāi)發(fā)，通過(guò)改進(jìn)制造工藝，開(kāi)發(fā)出一種垂直晶體管，提高了電路集成度。OCTRAM技術(shù)有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等領(lǐng)域具有廣闊的應用前景。高容量交叉點(diǎn)MRAM（磁阻隨機存取存儲器
- 關(guān)鍵字： 鎧俠 存儲技術(shù) DRAM MRAM 3D堆疊
HBM對DRAM廠(chǎng)的貢獻逐季攀升
- TrendForce指出，隨著(zhù)AI服務(wù)器持續布建，高帶寬內存（HBM）市場(chǎng)處高成長(cháng)階段，平均售價(jià)約是DRAM產(chǎn)品的三至五倍，待下一代HBM3e量產(chǎn)，加上產(chǎn)能擴張，營(yíng)收貢獻將逐季上揚。TrendForce指出，HBM市場(chǎng)仍處于高成長(cháng)階段，由于各大云端廠(chǎng)商持續布建AI服務(wù)器，在GPU算力與內存容量都將升級下，HBM成為其中不可或缺的一環(huán)，帶動(dòng)HBM規格容量上升。如NVIDIA Blackwell平臺將采用192GB HBM3e內存、AMD的MI325更是提升到288GB以上。由于HBM生產(chǎn)難度高、良率仍有顯著(zhù)
- 關(guān)鍵字： HBM DRAM TrendForce
三星開(kāi)發(fā)出其首款24Gb GDDR7 DRAM，助力下一代人工智能計算
- 三星電子今日宣布，已成功開(kāi)發(fā)出其首款24Gb GDDR7[1]?DRAM（第七代圖形雙倍數據傳輸率存儲器）。GDDR7具備非常高的容量和極快的速率，這使得它成為眾多下一代應用程序的理想選擇之一。三星半導體24Gb GDDR7 DRAM憑借高容量和卓越性能，24Gb GDDR7將廣泛應用于需要高性能存儲解決方案的各個(gè)領(lǐng)域，例如數據中心和人工智能工作站，這將進(jìn)一步擴展圖形 DRAM 在顯卡、游戲機和自動(dòng)駕駛等傳統應用領(lǐng)域之外的應用范圍。三星電子存儲器產(chǎn)品企劃團隊執行副總裁裴永哲（Bae YongCh
- 關(guān)鍵字： 三星 24Gb GDDR7 DRAM 人工智能計算
美光推出內置時(shí)鐘驅動(dòng)器的超高速DDR5內存系列新品，為AI PC的發(fā)展注入動(dòng)力
- ?Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）于近日宣布推出兩款內置時(shí)鐘驅動(dòng)器的全新類(lèi)型內存，即?Crucial??英睿達??DDR5?時(shí)鐘驅動(dòng)器無(wú)緩沖雙列直插式內存模塊?(CUDIMM)?和時(shí)鐘驅動(dòng)器小型雙列直插式內存模塊?(CSODIMM)，并已開(kāi)始批量出貨。這兩款全新內存均符合?JEDEC?標準，運行速度高達?6,400MT/s，是?DDR4?的兩
- 關(guān)鍵字： 美光 時(shí)鐘驅動(dòng)器 DDR5
消息稱(chēng)三星 1b nm 移動(dòng)內存良率欠佳，影響 Galaxy S25 系列手機開(kāi)發(fā)
- IT之家 9 月 4 日消息，據韓媒 ZDNET Korea 報道，三星電子 MX 部門(mén) 8 月向 DS 部門(mén)表達了對面向 Galaxy S25 系列手機的 1b nm （IT之家注：即 12nm 級） LPDDR 內存樣品供應延誤的擔憂(yōu)。三星電子于 2023 年 5 月啟動(dòng) 1b nm 工藝 16Gb DDR5 內存量產(chǎn)，后又在當年 9 月發(fā)布 1b nm 32Gb DDR5，并一直在內部推進(jìn) 1b nm LPDDR 移動(dòng)內存產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)工作。然而該韓媒此前就在今年 6 月
- 關(guān)鍵字： 三星 內存 DDR5
TrendForce：內存下半年價(jià)格恐摔
- 根據TrendForce最新調查，消費型電子需求未如預期回溫，中國大陸地區的智能型手機，出現整機庫存過(guò)高的情形，筆電也因為消費者期待AI PC新產(chǎn)品而延遲購買(mǎi)，市場(chǎng)持續萎縮。此一現象，導致以消費型產(chǎn)品為主的內存現貨價(jià)走弱，第二季價(jià)格較第一季下跌超過(guò)30％。盡管現貨價(jià)至8月份仍與合約價(jià)脫鉤，但也暗示合約價(jià)可能的未來(lái)走向。TrendForce表示，2024年第二季模塊廠(chǎng)在消費類(lèi)NAND Flash零售通路的出貨量，已大幅年減40％，反映出全球消費性?xún)却媸袌?chǎng)正遭遇嚴峻挑戰。內存產(chǎn)業(yè)雖一向受周期因素影響，但202
- 關(guān)鍵字： TrendForce 內存 DRAM
SK海力士成功開(kāi)發(fā)出全球首款第六代10納米級DDR5 DRAM
- 2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功開(kāi)發(fā)出采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現了10納米出頭的超微細化存儲工藝技術(shù)。SK海力士強調：“隨著(zhù)10納米級DRAM技術(shù)的世代相傳，微細工藝的難度也隨之加大，但公司以通過(guò)業(yè)界最高性能得到認可的第五代（1b）技術(shù)力為基礎，提高了設計完成度，率先突破了技術(shù)極限。公司將在年內完成1c DDR5 DRAM的量產(chǎn)準備，從明年開(kāi)始供應產(chǎn)品，引領(lǐng)半導體存儲器市場(chǎng)發(fā)展?！惫疽?b DRAM
- 關(guān)鍵字： SK海力士 第六代 10納米級 DDR5 DRAM
第二季DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收季增24.8%，預期第三季合約價(jià)將上調
- 根據TrendForce集邦咨詢(xún)調查，受惠主流產(chǎn)品出貨量擴張帶動(dòng)多數業(yè)者營(yíng)收成長(cháng)，2024年第二季整體DRAM（內存）產(chǎn)業(yè)營(yíng)收達229億美元，季增24.8%。價(jià)格方面，合約價(jià)于第二季維持上漲，第三季因國際形勢等因素，預估Conventional DRAM（一般型內存）合約價(jià)漲幅將高于先前預期。觀(guān)察Samsung（三星）、SK hynix（SK海力士）和Micron（美光科技）第二季出貨表現，均較前一季有所增加，平均銷(xiāo)售單價(jià)方面，三大廠(chǎng)延續第一季合約價(jià)上漲情勢，加上臺灣地區四月初地震影響，以及HBM
- 關(guān)鍵字： DRAM TrendForce 集邦咨詢(xún)
imec采用High-NA EUV技術(shù) 展示邏輯與DRAM架構
- 比利時(shí)微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實(shí)驗室中，利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發(fā)表了曝光后的圖形化組件結構。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機邏輯結構、中心間距為30納米的隨機通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動(dòng)態(tài)隨機存取內存（DRAM）專(zhuān)用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進(jìn)圖形化研究計劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線(xiàn)制程。透過(guò)這些研究成果，imec證實(shí)該微影技術(shù)的生態(tài)系
- 關(guān)鍵字： imec High-NA EUV DRAM
外媒：三星推出超薄型手機芯片LPDDR5X DRAM
- 8月7日消息，隨著(zhù)移動(dòng)設備功能的不斷增強，對內存性能和容量的要求也日益提高。據外媒gsmarena報道，三星電子近日宣布，公司推出了業(yè)界最薄的LPDDR5X DRAM芯片。這款12納米級別的芯片擁有12GB和16GB兩種封裝選項，專(zhuān)為低功耗RAM市場(chǎng)設計，主要面向具備設備端AI能力的智能手機。gsmarena這款新型芯片的厚度僅為0.65毫米，比上一代產(chǎn)品薄了9%。三星估計，這一改進(jìn)將使其散熱性能提高21.2%。gsmarena三星通過(guò)優(yōu)化印刷電路板（PCB）和環(huán)氧樹(shù)脂封裝技術(shù)，將LPDDR5X的厚度
- 關(guān)鍵字： 三星 手機芯片 LPDDR5X DRAM
HBM排擠效應 DRAM漲勢可期
- 近期在智慧手機、PC、數據中心服務(wù)器上，用于暫時(shí)儲存數據的DRAM價(jià)格漲勢停歇，買(mǎi)家拉貨不積極，影響DRAM報價(jià)漲勢。 業(yè)者期待，SK海力士、三星及美光前三大廠(chǎng)HBM產(chǎn)能增開(kāi)，對一般型DRAM產(chǎn)生的排擠效應，加上產(chǎn)業(yè)旺季來(lái)臨，可帶動(dòng)DRAM重啟漲勢。 據了解，6月指針性產(chǎn)品DDR4 8GB合約價(jià)約2.10美元、容量較小的4GB合約價(jià)1.62美元左右，表現持平，主要是供需雙方對價(jià)格談判，呈現拉鋸狀況。而另一方面，三星新一代HBM3E，據傳有望通過(guò)輝達（NVIDIA）認證，輝達GB200將于2025年放量，其
- 關(guān)鍵字： HBM DRAM 美光
圓滿(mǎn)收官！紫光國芯慕尼黑上海電子展2024展現科技創(chuàng )新實(shí)力
- 圓滿(mǎn)收官！紫光國芯慕尼黑上海電子展2024展現科技創(chuàng )新實(shí)力2024年7月8日至10日，西安紫光國芯半導體股份有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)：紫光國芯，證券代碼：874451）精彩亮相慕尼黑上海電子展。紫光國芯聚焦人工智能、高性能計算、汽車(chē)電子、工業(yè)控制、消費電子等重點(diǎn)領(lǐng)域，為客戶(hù)提供全方面的存儲產(chǎn)品及相關(guān)技術(shù)解決方案。展會(huì )現場(chǎng)重點(diǎn)展示了DRAM存儲系列產(chǎn)品、SeDRAM?技術(shù)和CXL技術(shù)、新品牌云彣（UniWhen?）和SSD產(chǎn)品系列。128Mb PSRAM，新一代DRAM KGD產(chǎn)品系列DRAM KGD展區首次展示了紫
- 關(guān)鍵字： 紫光國芯 慕尼黑電子展 DRAM SeDRAM CXL
ddr5 dram介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條ddr5 dram!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對ddr5 dram的理解，并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對ddr5 dram的理解，并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
ddr5 dram相關(guān)帖子
ddr5 dram資料下載
ddr5 dram專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473