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ddr5 dram 文章 進(jìn)入ddr5 dram技術(shù)社區
美光、SK海力士跟隨中！三星對內存、閃存產(chǎn)品提價(jià)3-5%：客戶(hù)已開(kāi)始談判新合同
- 4月7日消息，據國外媒體報道稱(chēng)，三星公司領(lǐng)導層將對主要全球客戶(hù)提高內存芯片價(jià)格——從當前水平提高3-5%。在三星看來(lái)，“需求大幅增長(cháng)”導致DRAM、NAND閃存和HBM產(chǎn)品組合的價(jià)格上漲，預計2025年和2026年價(jià)格都會(huì )上漲。一位不愿透露姓名的半導體業(yè)內人士表示：去年全年供應過(guò)剩，但隨著(zhù)主要公司開(kāi)始減產(chǎn)，供應量最近有所下降，目前三星漲價(jià)后部分新合同的談判已然啟動(dòng)。此外，人工智能 (AI) 設備在中國接連出現，由于工業(yè)自動(dòng)化，對半導體的需求正在逐漸增加。市場(chǎng)研究機構DRAMeXchange給出的統計顯示，
- 關(guān)鍵字： 內存 DRAM NAND HBM 三星 美光 SK海力士
下游客戶(hù)庫存去化順利，預計2Q25 DRAM價(jià)格跌幅將收斂
- 根據TrendForce集邦咨詢(xún)最新調查，2025年第一季下游品牌廠(chǎng)大都提前出貨因應國際形勢變化，此舉有助供應鏈中DRAM的庫存去化。展望第二季，預估Conventional DRAM（一般型DRAM）價(jià)格跌幅將收斂至季減0%至5%，若納入HBM計算，受惠于HBM3e 12hi逐漸放量，預計均價(jià)為季增3%至8%。PC DRAM、Server DRAM價(jià)格皆持平上季因應國際形勢變化，各主要PC OEM要求ODM提高整機組裝量，將加速去化OEM手中的DRAM庫存。為確保2025年下半年產(chǎn)線(xiàn)供料穩定，庫存水
- 關(guān)鍵字： TrendForce 集邦咨詢(xún) DRAM
美光1γ DRAM開(kāi)始出貨，用上了EUV
- 美光經(jīng)過(guò)多代驗證的 DRAM 技術(shù)和制造策略促成了這一優(yōu)化的 1γ節點(diǎn)的誕生。
- 關(guān)鍵字： 美光1γ DRAM
新型高密度、高帶寬3D DRAM問(wèn)世
- 3D DRAM 將成為未來(lái)內存市場(chǎng)的重要競爭者。
- 關(guān)鍵字： 3D DRAM
消息稱(chēng)三星芯片部門(mén)負責人攜1b DRAM樣品訪(fǎng)問(wèn)英偉達
- 2 月 18 日消息，據 TheElec 報道，三星芯片部門(mén)的負責人上周親自前往美國英偉達總部進(jìn)行訪(fǎng)問(wèn)。此次訪(fǎng)問(wèn)的目的是向英偉達展示三星最新研發(fā)的 1b DRAM 芯片樣品，該芯片主要用于高帶寬內存（HBM）。消息人士透露，英偉達曾在去年要求三星改進(jìn)其 1b DRAM 的設計，此次展示的樣品正是基于英偉達的要求而改進(jìn)后的成果。通常情況下，三星設備解決方案（DS）部門(mén)的負責人親自向客戶(hù)展示樣品的情況較為罕見(jiàn)。IT之家注意到，三星在去年曾計劃使用 1b DRAM 生產(chǎn) HBM，但遭遇了良品率和過(guò)熱問(wèn)題。該
- 關(guān)鍵字： 三星 芯片 1b DRAM 樣品 英偉達
SK海力士實(shí)現1c nm制程DRAM內存量產(chǎn)
- 據韓媒報道，近日，SK海力士成功完成了1c納米制程DRAM的批量產(chǎn)品認證，連續多個(gè)以25塊晶圓為單位的批次在質(zhì)量和良率上均達到要求，預計SK海力士將在2月初正式啟動(dòng)1c納米DRAM的量產(chǎn)。據了解，SK海力士在2024年8月末宣布成功實(shí)現1c納米工藝的 16Gb DDR5-8000 DRAM 內存開(kāi)發(fā)。SK海力士曾表示，1c工藝技術(shù)將應用于新一代HBM、LPDDR6、GDDR7等最先進(jìn)的DRAM主力產(chǎn)品群，進(jìn)一步鞏固其在內存市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。
- 關(guān)鍵字： SK海力士 1c納米 DRAM
?三星旗艦Galaxy S25系列放棄自家內存，美光成為首要供應商
- 三星Galaxy S25系列可能會(huì )選擇美光作為第一內存供應商，而非自家的產(chǎn)品。這一決定標志著(zhù)三星在旗艦智能手機中首次沒(méi)有優(yōu)先使用自家的內存解決方案，這也讓外界對三星內存技術(shù)的競爭力產(chǎn)生了質(zhì)疑。美光此前多年一直是三星旗艦Galaxy智能手機中的第二內存供應商，這次卻打敗三星成為了第一供應商，似乎折射出內部部門(mén)競爭的微妙行情。2024年9月就有報道指出因良率問(wèn)題，三星DS（設備解決方案）部門(mén)未能按時(shí)足量向三星MX（移動(dòng)體驗）部門(mén)交付Galaxy S25系列手機開(kāi)發(fā)所需的LPDDR5X內存樣品，導致MX部門(mén)的手
- 關(guān)鍵字： ?三星 Galaxy S25 內存 美光 DRAM LPDDR5X
買(mǎi)方采購策略調整，1Q25 DRAM合約價(jià)走跌
- 根據TrendForce集邦咨詢(xún)最新調查，2025年第一季進(jìn)入淡季循環(huán)，DRAM市場(chǎng)因智能手機等消費性產(chǎn)品需求持續萎縮，加上筆記本電腦等產(chǎn)品因擔心美國可能拉高進(jìn)口關(guān)稅的疑慮，已提前備貨，進(jìn)而造成DRAM均價(jià)下跌。其中，一般型DRAM（Conventional DRAM）的跌幅預估將擴大至8%至13%，若計入HBM產(chǎn)品，價(jià)格預計下跌0%至5%。PC DRAM價(jià)格估跌幅為8-13%，Server DRAM則跌5-10%TrendForce集邦咨詢(xún)表示，2024年第四季PC OEM在終端銷(xiāo)售疲弱，DRAM價(jià)格反
- 關(guān)鍵字： DRAM TrendForce 集邦咨詢(xún)
美國商務(wù)部向美光科技提供 61 億美元資金，用于在該國生產(chǎn)芯片
- 12 月 11 日消息，美國商務(wù)部周二表示，作為2022 年《芯片和科學(xué)法案》的一部分，美光科技已獲得高達 61.65 億美元（當前約 448.07 億元人民幣）的撥款，用于在美國制造半導體。該機構表示，這筆資金將支持美光的“二十年愿景”，即在紐約投資約 1000 億美元、在愛(ài)達荷州投資 250 億美元用于新工廠(chǎng)，并創(chuàng )造約 20,000 個(gè)新工作崗位。美國商務(wù)部還表示，美光將根據某些里程碑的完成情況逐步獲得上述資金。此外，美國商務(wù)部還宣布已與美光科技達成初步協(xié)議，將額外提供 2.75 億美元資金，用于擴建
- 關(guān)鍵字： 美國 美光科技 生產(chǎn)芯片 半導體 DRAM 內存芯片 存儲芯片
提高下一代DRAM器件的寄生電容性能
- 摘要隨著(zhù)傳統DRAM器件的持續縮小，較小尺寸下寄生電容的增加可能會(huì )對器件性能產(chǎn)生負面影響，未來(lái)可能需要新的DRAM結構來(lái)降低總電容，并使器件發(fā)揮出合格的性能。本研究比較了6F2蜂窩動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 器件與4F2垂直通道訪(fǎng)問(wèn)晶體管 (VCAT) DRAM結構的寄生電容。結果表明，與6F2結構相比，4F2結構顯著(zhù)降低了節點(diǎn)接觸 (NC) 與位線(xiàn) (BL) 之間的寄生電容。盡管4F2器件其他組件之間的寄生電容相比6F2器件略有增加，但它們仍處于支持器件達成目標性能的合格水平。相比6F2器件，4F
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瑞薩率先推出第二代面向服務(wù)器的DDR5 MRDIMM完整內存接口芯片組解決方案
- 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布率先推出面向第二代DDR5多容量雙列直插式內存模塊（MRDIMM）的完整內存接口芯片組解決方案。人工智能（AI）、高性能計算（HPC）和其它數據中心應用對內存帶寬的要求不斷提高，這就需要新的DDR5 MRDIMM。它們的運行速度高達每秒12,800兆次傳輸（MT/s）；與第一代解決方案相比內存帶寬提高1.35倍。瑞薩與包括CPU和內存供應商在內的行業(yè)領(lǐng)導者以及終端客戶(hù)合作，在新型MRDIMM的設計、開(kāi)發(fā)與部署方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用。瑞薩設計并推出三款全新關(guān)鍵組件：RRG
- 關(guān)鍵字： 瑞薩 DDR5 MRDIMM 內存接口芯片組
在2025年DRAM位元產(chǎn)出增長(cháng)下，供應商需謹慎規劃產(chǎn)能以保持盈利
- DRAM產(chǎn)業(yè)歷經(jīng)2024年前三季的庫存去化和價(jià)格回升，價(jià)格動(dòng)能于第四季出現弱化。TrendForce集邦咨詢(xún)資深研究副總吳雅婷表示，由于部分供應商在今年獲利后展開(kāi)新增產(chǎn)能規劃，預估2025年整體DRAM產(chǎn)業(yè)位元產(chǎn)出將年增25%，成長(cháng)幅度較2024年大。根據TrendForce集邦咨詢(xún)最新調查，DRAM產(chǎn)業(yè)結構越趨復雜，除現有的PC、Server、Mobile、Graphics和Consumer DRAM外，又新增HBM品類(lèi)。吳雅婷指出，三大DRAM原廠(chǎng)中，SK hynix（SK海力士）因HBM產(chǎn)品
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北京君正：21nm DRAM新工藝預計年底推出
- 近日，北京君正在接受機構調研時(shí)就DRAM的新工藝情況表示，21nm和20nm都有在研，預計21nm的今年年底會(huì )推出，20nm預計將于明年中前后推出，后續還會(huì )繼續進(jìn)行更新工藝的產(chǎn)品研發(fā)。關(guān)于存儲中各類(lèi)市場(chǎng)的收入占比情況，北京君正表示，汽車(chē)市場(chǎng)占比大概40%以上，工業(yè)和醫療今年市場(chǎng)景氣度差一些，去年占比超過(guò)30%，今年大概不到30%，剩下大約20%多的是通信和消費等其他領(lǐng)域。存儲產(chǎn)品價(jià)格方面，北京君正的存儲產(chǎn)品主要面向行業(yè)市場(chǎng)，這個(gè)市場(chǎng)的價(jià)格變動(dòng)特點(diǎn)和消費類(lèi)市場(chǎng)不同，這幾年行業(yè)市場(chǎng)存儲價(jià)格高點(diǎn)是2022年，2
- 關(guān)鍵字： 北京君正 21nm DRAM
郭明錤剖析英特爾 Lunar Lake 失敗原因
- 11 月 6 日消息，天風(fēng)證券分析師郭明錤昨日（11 月 5 日）在 Medium 上發(fā)布博文，深入分析了英特爾 Lunar Lake 失敗的前因后果。IT之家此前報道，是英特爾近期宣布在 Lunar Lake (LNL) 之后，將不再把 DRAM 整合進(jìn) CPU 封裝。雖此事近來(lái)成為焦點(diǎn)，但業(yè)界早在至少半年前就知道，在英特爾的 roadmap 上，后續的 Arrow Lake、Nova Lake、Raptor Lake 更新、Twin Lake、Panther Lake 與 Wildcat La
- 關(guān)鍵字： 郭明錤 英特爾 Lunar Lake DRAM CPU 封裝 AI PC LNL
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對ddr5 dram的理解，并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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