鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng )新研究成果

自鎧俠官網(wǎng)獲悉，鎧俠（Kioxia）宣布其多項創(chuàng )新研究成果，將于今年12月7日至11日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子器件大會(huì )（IEDM）上發(fā)表。

聲明中稱(chēng)，鎧俠旨在不斷創(chuàng )新以滿(mǎn)足未來(lái)計算和存儲系統的需求。此次發(fā)布包括以下三大創(chuàng )新技術(shù)：

氧化物半導體通道晶體管DRAM（OCTRAM）：該技術(shù)由鎧俠聯(lián)合南亞科技共同開(kāi)發(fā)，通過(guò)改進(jìn)制造工藝，開(kāi)發(fā)出一種垂直晶體管，提高了電路集成度。OCTRAM技術(shù)有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等領(lǐng)域具有廣闊的應用前景。

高容量交叉點(diǎn)MRAM（磁阻隨機存取存儲器）技術(shù)： 與SK海力士聯(lián)合開(kāi)發(fā)的高容量交叉點(diǎn)MRAM技術(shù)，通過(guò)將高密度選擇器與磁隧道結相結合，實(shí)現了業(yè)界領(lǐng)先的單元密度。同時(shí)，該技術(shù)還采用了創(chuàng )新的讀出方法，有效降低了讀取干擾，提升了存儲器的可靠性。這項技術(shù)在人工智能和大數據處理等領(lǐng)域具有巨大的應用潛力。MRAM因其非易失性、高速讀寫(xiě)、無(wú)限寫(xiě)入次數和高可靠性等特性，被認為有望在多種應用領(lǐng)域替代現有的存儲技術(shù)。MRAM的基本單位為磁隧道結（MTJ），利用材料的磁阻變化來(lái)存儲數據。

具有水平單元堆疊結構的下一代3D存儲技術(shù)：鎧俠自主研發(fā)的下一代3D閃存技術(shù)采用水平單元堆疊結構，相比傳統的垂直堆疊結構，具有更高的位密度和可靠性。這項創(chuàng )新有望進(jìn)一步提升閃存的存儲容量和性能，滿(mǎn)足未來(lái)數據存儲不斷增長(cháng)的需求。3D DRAM通過(guò)垂直堆疊技術(shù)，將DRAM單元尺寸大幅減少，提高能效的同時(shí)降低單元面積。這種技術(shù)有望成為推動(dòng)DRAM微縮的關(guān)鍵因素，滿(mǎn)足不斷增長(cháng)的存儲需求和性能要求。