消息稱(chēng)三星芯片部門(mén)負責人攜1b DRAM樣品訪(fǎng)問(wèn)英偉達

2 月 18 日消息，據 TheElec 報道，三星芯片部門(mén)的負責人上周親自前往美國英偉達總部進(jìn)行訪(fǎng)問(wèn)。此次訪(fǎng)問(wèn)的目的是向英偉達展示三星最新研發(fā)的 1b DRAM 芯片樣品，該芯片主要用于高帶寬內存（HBM）。

消息人士透露，英偉達曾在去年要求三星改進(jìn)其 1b DRAM 的設計，此次展示的樣品正是基于英偉達的要求而改進(jìn)后的成果。通常情況下，三星設備解決方案（DS）部門(mén)的負責人親自向客戶(hù)展示樣品的情況較為罕見(jiàn)。

IT之家注意到，三星在去年曾計劃使用 1b DRAM 生產(chǎn) HBM，但遭遇了良品率和過(guò)熱問(wèn)題。該 DRAM 屬于第五代 10 納米產(chǎn)品，主要用于 HBM3E。由于面臨上述問(wèn)題，三星曾計劃改用 1a DRAM（1b DRAM 的前代產(chǎn)品）來(lái)生產(chǎn) HBM3E 8H 和 12H，并計劃跳過(guò) 1b DRAM，直接使用 1c DRAM 生產(chǎn) HBM4。然而，由于英偉達堅持要求使用 1b DRAM，三星不得不重新調整計劃。此次三星副董事長(cháng)兼 DS 部門(mén)負責人 Young Hyun Jun 的訪(fǎng)問(wèn)，很可能是為了確保三星能夠贏(yíng)得英偉達的 HBM3E 訂單。

目前，三星的競爭對手 SK 海力士已經(jīng)向英偉達供應采用 1b DRAM 生產(chǎn)的 HBM3E 12H，美光也預計將在近期開(kāi)始生產(chǎn)面向英偉達的人工智能加速器所需的 HBM。

上個(gè)月，三星曾表示其“改進(jìn)版”HBM3E 的準備工作進(jìn)展順利，并計劃于今年第二季度正式量產(chǎn)并供貨。Young Hyun Jun 不僅是 DS 部門(mén)的負責人，還兼任該部門(mén)下的內存業(yè)務(wù)負責人，他作為 DRAM 領(lǐng)域的專(zhuān)家，被認為主導了 1b DRAM 的設計改進(jìn)工作。

在 1 月份的 CES 展會(huì )上，英偉達首席執行官黃仁勛曾表示，三星需要重新設計其 HBM，以通過(guò)英偉達的資格認證。