美光1γ DRAM開(kāi)始出貨，用上了EUV

美光科技公司近日宣布，該公司在業(yè)界率先向生態(tài)系統合作伙伴和特定客戶(hù)交付了專(zhuān)為下一代 CPU 設計的 1γ（1-gamma）、第六代（10 納米級）DRAM 節點(diǎn) DDR5 內存樣品。1γ DRAM 的這一里程碑建立在美光之前 1α（1-alpha）和 1β（1-beta）DRAM 節點(diǎn)領(lǐng)導地位的基礎上，旨在提供創(chuàng )新，為未來(lái)計算平臺提供支持，從云端到工業(yè)和消費應用，再到邊緣 AI 設備，如 AI PC、智能手機和汽車(chē)。

美光 1γ DRAM 節點(diǎn)將首先在其 16 Gb DDR5 DRAM 中得到利用，并隨著(zhù)時(shí)間的推移將集成到美光的內存產(chǎn)品組合中，以滿(mǎn)足行業(yè)對高性能、節能 AI 內存解決方案日益增長(cháng)的需求。16 Gb DDR5 產(chǎn)品旨在提供高達 9200 MT/s 的速度能力，與其前代產(chǎn)品相比，速度提高了 15%，功耗降低了 20% 以上。

隨著(zhù)人工智能在數據中心和邊緣的引入，對內存的需求從未如此之大。美光向 1γ DRAM 節點(diǎn)的過(guò)渡有助于解決客戶(hù)希望解決的關(guān)鍵挑戰：

增強的性能——基于 Micron 1γ 的 DRAM 提供了更高的性能，將支持從數據中心到邊緣設備的各種內存產(chǎn)品的計算擴展，以滿(mǎn)足未來(lái) AI 工作負載的需求。

節省功耗——美光的 1γ 節點(diǎn)采用下一代高 K 金屬柵極 CMOS 技術(shù)，并結合設計優(yōu)化，可將功耗降低 20% 以上，從而改善熱性能。

提高位密度輸出——美光的 1γ 節點(diǎn)利用 EUV 光刻技術(shù)、設計優(yōu)化和工藝創(chuàng )新，與上一代產(chǎn)品相比，每晶圓的位數輸出提高了 30% 以上，并且能夠有效擴展內存供應。

美光執行副總裁兼首席技術(shù)與產(chǎn)品官 Scott DeBoer 表示：「美光在開(kāi)發(fā)專(zhuān)有 DRAM 技術(shù)方面的專(zhuān)業(yè)知識，加上我們對 EUV 光刻技術(shù)的戰略性使用，已形成強大的尖端 1γ 內存產(chǎn)品組合，有望推動(dòng) AI 生態(tài)系統向前發(fā)展。1γ DRAM 節點(diǎn)的增強位密度輸出彰顯了美光的制造實(shí)力和效率，使我們能夠擴大內存供應以滿(mǎn)足不斷增長(cháng)的行業(yè)需求?！?br/>美光經(jīng)過(guò)多代驗證的 DRAM 技術(shù)和制造策略促成了這一優(yōu)化的 1γ 節點(diǎn)的誕生。1γ DRAM 節點(diǎn)創(chuàng )新得到了 CMOS 進(jìn)步的支持，包括下一代高 K 金屬柵極技術(shù)，該技術(shù)可提高晶體管性能，從而實(shí)現更好的速度能力、設計優(yōu)化和特征尺寸縮小，所有這些都帶來(lái)了節能和性能擴展的好處。此外，通過(guò)最佳地結合尖端 EUV 光刻技術(shù)、先進(jìn)的高縱橫比蝕刻技術(shù)和行業(yè)領(lǐng)先的設計創(chuàng )新，1γ 節點(diǎn)可提供行業(yè)領(lǐng)先的位密度優(yōu)勢。通過(guò)在全球各地開(kāi)發(fā) 1γ 節點(diǎn)制造，美光正在幫助確保行業(yè)擁有更好的技術(shù)和供應彈性。
美光科技執行副總裁兼首席商務(wù)官 Sumit Sadana 表示：「美光再次引領(lǐng)行業(yè)推出全球最先進(jìn)的內存技術(shù)。美光的 1γ DRAM 節點(diǎn)具有無(wú)與倫比的能效和非凡的性能，是一項突破性的成就。美光 1γ DRAM 產(chǎn)品將通過(guò)為從數據中心到邊緣的所有細分市場(chǎng)提供可擴展的內存解決方案來(lái)徹底改變 AI 生態(tài)系統，使我們的客戶(hù)能夠始終領(lǐng)先于快速發(fā)展的行業(yè)需求?！?/p>

將產(chǎn)品從云端轉變?yōu)檫吘?/strong>

作為未來(lái)產(chǎn)品的基礎，1γ 節點(diǎn)將集成到美光的內存產(chǎn)品組合中：

數據中心：基于 1γ 的數據中心 DDR5 內存解決方案，可將性能提高 15%，提高能源效率，并有助于持續擴展服務(wù)器性能，從而使數據中心能夠在未來(lái)的機架級功率和熱設計中進(jìn)行優(yōu)化。

Edge AI：1γ低功耗 DRAM 解決方案可提高節能效果并增加帶寬，從而增強 Edge AI 解決方案的用戶(hù)體驗。

AI PC：1γ DDR5 SODIMM 可提高性能并將功耗降低 20%，從而延長(cháng)電池壽命并改善整體筆記本電腦用戶(hù)體驗。

移動(dòng): 1γ LPDDR5X 將在邊緣實(shí)現卓越的 AI 體驗，并延續美光在移動(dòng)技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導地位。

汽車(chē): 基于 1γ 的 LPDDR5X 內存可擴展容量、壽命和性能，同時(shí)實(shí)現高達 9600 MT/s 的速度。

AMD 服務(wù)器平臺解決方案工程公司副總裁 Amit Goel 表示：「我們很高興看到美光在 1γ DRAM 節點(diǎn)上取得進(jìn)展，我們已經(jīng)開(kāi)始對美光 1γ DDR5 內存進(jìn)行驗證。我們的密切合作至關(guān)重要，因為我們將繼續通過(guò)下一代 AMD EPYC 產(chǎn)品（用于數據中心）以及整個(gè)產(chǎn)品組合中的消費級處理器來(lái)推進(jìn)計算生態(tài)系統?！?br/>「美光 1γ 節點(diǎn)的進(jìn)步為英特爾服務(wù)器和 AI PC 帶來(lái)了顯著(zhù)的功率和密度改進(jìn)。我們很高興看到美光在 DRAM 技術(shù)方面的持續創(chuàng )新，并期待基于這些容量來(lái)增強服務(wù)器系統性能和 PC 電池壽命，」英特爾公司副總裁兼內存和 IO 技術(shù)總經(jīng)理 Dimitrios Ziakas 博士表示?！赣⑻貭栒谂νㄟ^(guò)其對美光 1γ DDR5 內存樣品的嚴格服務(wù)器驗證流程，為客戶(hù)提供具有最高質(zhì)量和一流體驗的服務(wù)器系統?！?br/>符合條件的客戶(hù)和合作伙伴可參加美光針對 DDR5 的技術(shù)支持計劃 (TEP)，該計劃提供早期獲取技術(shù)信息和電氣和熱模型的機會(huì )，以及協(xié)助設計、開(kāi)發(fā)和推出下一代計算平臺的支持。