北京君正：21nm DRAM新工藝預計年底推出

近日，北京君正在接受機構調研時(shí)就DRAM的新工藝情況表示，21nm和20nm都有在研，預計21nm的今年年底會(huì )推出，20nm預計將于明年中前后推出，后續還會(huì )繼續進(jìn)行更新工藝的產(chǎn)品研發(fā)。

關(guān)于存儲中各類(lèi)市場(chǎng)的收入占比情況，北京君正表示，汽車(chē)市場(chǎng)占比大概40%以上，工業(yè)和醫療今年市場(chǎng)景氣度差一些，去年占比超過(guò)30%，今年大概不到30%，剩下大約20%多的是通信和消費等其他領(lǐng)域。

存儲產(chǎn)品價(jià)格方面，北京君正的存儲產(chǎn)品主要面向行業(yè)市場(chǎng)，這個(gè)市場(chǎng)的價(jià)格變動(dòng)特點(diǎn)和消費類(lèi)市場(chǎng)不同，這幾年行業(yè)市場(chǎng)存儲價(jià)格高點(diǎn)是2022年，2022年末行業(yè)市場(chǎng)進(jìn)入下行周期后，價(jià)格逐漸有所下調，但幅度相對較小。

北京君正同時(shí)披露各產(chǎn)品線(xiàn)的毛利率水平：計算芯片的毛利率波動(dòng)較大，受市場(chǎng)需求和競爭影響較大，今年三季度的毛利率約為35%多；存儲芯片的毛利率三季度大約接近34%；模擬與互聯(lián)芯片毛利率一直保持在較高水平，三季度仍然保持在50%以上。