提高下一代DRAM器件的寄生電容性能

摘要

隨著(zhù)傳統DRAM器件的持續縮小，較小尺寸下寄生電容的增加可能會(huì )對器件性能產(chǎn)生負面影響，未來(lái)可能需要新的DRAM結構來(lái)降低總電容，并使器件發(fā)揮出合格的性能。本研究比較了6F2蜂窩動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 器件與4F2垂直通道訪(fǎng)問(wèn)晶體管 (VCAT) DRAM結構的寄生電容。結果表明，與6F2結構相比，4F2結構顯著(zhù)降低了節點(diǎn)接觸 (NC) 與位線(xiàn) (BL) 之間的寄生電容。盡管4F2器件其他組件之間的寄生電容相比6F2器件略有增加，但它們仍處于支持器件達成目標性能的合格水平。相比6F2器件，4F2 DRAM器件的總寄生電容得到有效降低，可能在器件尺寸較小的情況下提供更優(yōu)的性能。

簡(jiǎn)介

隨著(zhù)傳統6F2 DRAM器件的不斷縮小，位線(xiàn)與接觸節點(diǎn) (CBL-NC) 之間的寄生電容由于這些DRAM組件之間距離的減少而增加。這種電容的增加導致位線(xiàn)感應裕量和刷新時(shí)間下降，進(jìn)而對存儲器性能產(chǎn)生負面影響。用于下一代DRAM器件的4F2 VCAT DRAM架構就是為了解決這一問(wèn)題并顯著(zhù)降低寄生電容。

評估新的DRAM架構通常會(huì )采用基于硅晶圓的實(shí)驗，但這種方法既耗時(shí)又昂貴。在本研究中，我們使用SEMulator3D?的虛擬工藝建模來(lái)評估6F2和4F2 DRAM器件之間的寄生電容，對比了不同DRAM結構中存在的各種寄生電容，并評估了4F2 DRAM器件相比6F2 DRAM器件在總電容方面可能實(shí)現的改進(jìn)。

器件結構和仿真方法

本研究使用版圖數據和工藝步驟數據組合在工藝建模平臺中構建虛擬3D結構。圖1a和圖1b分別展示了6F2 DRAM器件的仿真3D結構及其器件結構，圖1c和圖1d分別展示了4F2 DRAM器件的仿真3D結構及其器件結構。我們對這些結構進(jìn)行了電容提取，以計算每個(gè)DRAM器件中的寄生電容。

器件仿真結果

圖2顯示了6F2 和4F2 DRAM器件的寄生電容仿真結果。在4F2 DRAM結構中，CBL-NC顯著(zhù)減少，主要原因是與6F2 DRAM相比，位線(xiàn)與接觸節點(diǎn)之間的間距較大。由于字線(xiàn)未被埋入且比在6F2 DRAM中更接近位線(xiàn)，CBL-WL和CWL-NC在4F2 DRAM中更大。由于4F2和6F2 DRAM器件的位線(xiàn)結構差異不大，CBL-BL相當。由于4F2 DRAM中的關(guān)鍵尺寸更大且間距更小，CWL-WL和CNC-NC表現較差?？傮w而言，與6F2結構相比，4F2結構的總寄生電容仍顯著(zhù)減少。

與6F2 DRAM器件相比，4F2 DRAM器件的性能有所提升。與6F2結構相比，4F2結構中的CBL-NC以及總電容得到了有效降低（見(jiàn)圖2）。

使用4F2結構時(shí)，某些子元件的寄生電容會(huì )增加，但這些電容值遠遠低于6F2結構中的CBL-NC ，從而降低了總電容，這意味著(zhù)在工藝上有足夠的窗口來(lái)實(shí)現合格的器件性能。盡管CBL-NC得到了大幅減少，但在4F2 DRAM中，CWL-WL仍然是最大的寄生電容元件。然而，字線(xiàn)間的電容會(huì )影響晶體管柵極的控制，因此在4F2 DRAM設計中可能需要更加關(guān)注器件控制。

結論

我們使用虛擬工藝建模來(lái)研究不同DRAM結構的電容。結果表明，與6F2 DRAM結構相比，由于4F2 DRAM器件中主要寄生電容 (CBL-NC) 的減少，4F2 DRAM結構的總寄生電容可以顯著(zhù)降低。特別是在器件尺寸縮小的情況下，4F2 DRAM結構可能比6F2器件提供更好的性能。

參考資料：

[1]   Q. Wang, Y. De Chen, J. Huang, B. Vincent and J. Ervin. 2022 China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC)2022, pp. 1-4.

文章來(lái)源：泛林集團